Главная Мощные приборы



ш зав

г твгэй г, н тегэй

</

О 10 20 IfKj.B

го 16

10 20 30 Un,i

100 80 60 40 20 О

2TS2Stl-2, If Т 623/1

/ - ЮМГц

/ г

КТ639А-КТ639Д

Транзисторы кремниеиые эпитаксиальпо-плаиариые р-п-р уннвср-сальиыс. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, усилителях мощности, видеоусилителях различного назначения, устройствах автомобильной электроники, импульсных и переключающих схемах, 1) оконечных устройствах ЭВМ.

Корпус пластмассовый с гибкими выводами. Масса транзистора ПС бо.1се 1,0 г.


Минимальное расстояние места паГжи выводов от корпуса 5 мм. емпсратура панки не более 250 "С, время пайки не более 10 с. Ми-1имальное расстояние от корпуса до места изгиба вывода 5 мм, ра-лиус изгиба 1,5-2 мм. При изгибе необходимо принимать меры, ключающне передачу усилий на пластмассу. Кручение выводов запрещается.

Зак. 223



Параметр

Моту ль коэффициента исрсл 1ЧИ ток 1 иа высокой частоте (/ = 20 l и.) Гртипчиоо иаиряжсмис, В

КТЬЗ)А - К ЮЗОВ

КГбЗОГ К1Ь39Д Статический коэ()фици-еит передачи тока в схеме О ?

KIij39A КГбЗОГ

КТЬЗОБ КТЬЗОД

ктозпв

Птпря/кспис иасып1,сиия котлектор -эмиттер, В Наиряжсиие пас1.1Дсиил баз 1 ~ эмиттер. В Время рпссасывапия*, пс

Гм кость коллекторного nepexoia (/-5-10 МГи,), иФ

Emkocti. эмиттерЕЮГо перехода* (/ = 5-10 МГц). и<1>

Обратным ток коллектора, и А

Обратный ток эмиттера, и А

Ьукпониос обозначе лис

Зипчсимс

КЭО гр 1Э

КЭ мае БЭ пас

рас

КБО ЭБО

4 т ЬО

10 25» JO*

63 25» 30* I 00

40» 45*

80* 85*

120 125

1 20

1 00

0,5 1,25

100 I 00

(0,5)

30 (5)

500 500 300

I 50

1500 150 5

1500 ISO 5

I 500

50 50 50

Предельные эксплуатационные данные

Посгояииое напряжение коллектор - база

К1639Л - КТ639В...... 45 В

КТ639Г, К1639Д ... 60 В

Постоянное напряжение jMiixTep - база . 5 В

Постоянный ток колтсктора . 1,5 Л

Импульсный ток колчсктора (ThSIO мкс,

Q>2) . . . 2 А

Постоянный тек базы...... 0,2 А

1 Вт

Постоянная рассс1И!аемая мощность коллектора (-G0<7-< -f 35 °С) 2.....



.пульсная рассеиваемая мощность (т,, 10 мкс, Q5=2. Г, =£25°) • Тепловое сопротивление переход - корпус Тепловое сопротивление переход - среда Температура перехода . ...

Температура окр>жающе11 среды . .

60 Вт 10°С/Вт 115°С/Вт 150 "С -60 +125 °С

, При условии нснрсвьииеиия Рк max-

2 При использовании транзистора без теплоотвода при 7ь>35°С Рк.- (Вт1 = (150-Г)«тп,с.

h 60

30 ZO

нтеззя-

КТ639Д

и„, ов

0,2 04 0,6 at

ВЗнас.В 2.4

4.6 0,4

О 12*

кТ639Я

к т 639А

,0 I,,fl

0,0 0,6 0,4

Л., 300

150 100 50

КГ639Я-КТ639Д /

л,

0,5 10 Т/,Л

к Т639fill T5J9A

"i

150мЯ

6 в 10Щв.в



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 [114] 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183


0.0152