Главная Мощные приборы



"27J 300

ISO 100

к т 63 злит 619 д

1 л,

Г50 ItO 130

т но

0,5 !,0 1,5 2,0 2,5I,fl

ктеззд

-" 30 мя

птс-ззп-птез9д

5 10 15 20 25Iff.Mfl

60 50 40

1 КТ639Я-

1 ктвззл

5-0 МГи,

12 3 4 Slfjij.B

ISO 140

ISO О

КТ639Я-ЯТ639Д

у = 5-;омгц

1 г 3 4 SL/jg.



КТ644А-КТ644Г

Тпанзисторы кремниевые эннтакснально-планарные р-п-р уннвер-иЫе- Предназначены для применения в усилителях низкой часто-уснлителях мощности, пнлеоуснлигелях различного назмачення, ,ц,(.ных и переключающих схемах, в оконечных устройствах

Корпус пластмассовой"! с гибкими выводами Масса транзистора „е более 1,0 г.


Электрические параметры

ЗиамеЕ1ме

Режим

измерения

IjVKHCEIHOC

<

Параметр

г)бозм,1че

<

Модуль коэффициента пе-

1 м ,\

•1 . 0

2.8*

4.2*

редачи тока на высокой ча-

ст1,те (/=100 MTii)

Граничное напряжение В КТ644А, К1044Б

КЭО гр

KT64-1B. КТ644Г

Статический коэффициент

"2 1Э

передачи тока » схеме ОЭ

КТЬ44А, KTG448

20» 2 5*

лъ 40

10 10 10 1 О

0, i

1 , 0 I 0 1 50

КГЫ4В, М(.14Г Напряжение иасыпи-мия

кЭ "йс

0.14*

0. 18<

0, 1

(15)

«""лектор - эмиттер. В чаг,,яле]не насыщсппи ба

0,45*

0 ,55»

1 .6»

(50)

ЬЭ мае

1 . .)

1 50

(15)

а - эмиттер. В

Ьрс»,я рассасыиания, пс

рас С,

1 1 0

1 80

1 50

(!,->)

Время эмиттерио.о порсхо--Л! * = 5-0 МГц). пФ Обратный ток коллектора.

1 00

Обратим» ток эмиттера. пА

/ЭБО

I 00



Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжс1ч1е колтектор - база Постоянное напряжеине эмнттер - база Постоянный ток коллектора Импульсный ток коллектора (ТпЮ мкс Q>2) . . . . .

Постоянный ток базы

Постоянная рассеиваемая мощность коллек тора (-60<Г<35°С)2 . .

Импульсная рассеиваемая мощность (ти<

10 чкс. Q5=2 Г„<25 °С) 3 Тепловое сопротиплеиие переход-корпус Тепловое сопротивление перехот - среда . Температура перехода Температура окружающей среды

60 В 5 В 0,Ь А

1,0 А

0,2 А

1,0 Вт

20 Вт 10 "С/Вт 115°С/Вт 150 "С -60 - +125

При условии непревышения Як max

При использовании транзистора без теплоотвода при Г, >35°С

Рк т,х 1Вт] = {150-Г) ?1п с

При исиользовапии транзистора с теплоотводом при Г, >25°С Рк ,„,. [Вт1 = {150-7-„)/?тп, к

Минимальное расстояние ме ста панки рывоюв от корпуса 5 мм Температура пайки не более 250°С время пайки ие более 10 с \\ннимальиое рас стояние от корпуса до mcctj \ч гиба вывода 5 мм, ради\с и< гиба 1,5-2 мм При изгибе ие обхо ui40 принимат[, меры ис ключаюиюс передачу усилии иа п 1астмасс\ Кручение ныно ю» 3 1ирещается

,0 0.8

Krettifr

53.0m

20 IJ

j 1 TSlfltr

06 05 04 03 111

0 2 Oh 0 6 Ot

100 200 300 400 Ik,"



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 [115] 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183


0.0421