Главная Мощные приборы



Is, 50

50 43 JO 20 10

2 r952/1, 2 T9J25, KT332fi-ПТ932В

сетг-1 / I

-"j-/

120 100

г T3JZ/I г T3326,

KTs32fl, "Г932 Б

0 0,1 0,4 0,6 0,8 Ujg,B 0 Jg JJ~Jg

2,5 2,0 1.5 1.0

27931/1, 2T932 6,

Ктззгй -

К Г3328

1,5/i

0,1 0,2 0,3 0,4 Ig/I


10< iO 608010

2T933A, 2Т933Б, KT933A, КТ933Б

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные р-п-р усилительные. Предназначены для применения в широкополосны.х усил1!-телях мощности и автогенераторах.

Корпус металлостеклянный с гибкими (2Т933А, 2Т933Б) и жесткими {КТ933А, КТ933Б) выводами. Масса транзисторов 2Т933.\,


КТ933А, КТ933Б



не более 1,5 г, КТ933А, КТ933Б не более 24 г без накидного • (масса накидного фланца не более 12 г).


2Т933А, 2Т933Б Электрические параметры

Значение

Режим измерения

<

Буквеин ое

<

Параметр

обозначе-

<D

га S

Граничная частота коэффи-

100»

1 20*

циента передачи тока в схе-

ме ОЭ, МГц

Статический коэффициент

передачи тока в схеме ОЭ:

=25 °С

2Т933А, КТ933А

(0,4)

2Т933Б, КТ933Б

45»

120*

7=-60 °с

2Т933А

2Т933Б

7=125°С

2Т933А

2Т933Б

"ол.?е"о„"" насыщения

•iSKTop - эмиттер, В Обратный ток каалектор-

2Т933А,кТ933°А

2Т9МА £ 219332

«одТн- ""1,;"оРиого пере-2T93-(rl4). пФ: ЗЗА, КТ933Б

КЭ нас КЭ R

0,2*

0,4*

1 ,5

0.5 0, 5

80 60

80 60 (20)

(0,4)

(0,05)

50"

1 00

---



Предельные эксплуатаннонные данные

Постоянное напряжение коллектор - эмнттер и коллектор-база:

2Т933А, КТТЗА....... 80 В

2Т933Б, КТ933Б....... 60 В

Постоянное напряжение эмиттер - база . 4,5 В

Постоянный ток коллектора .... 0,5 А

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора,

Гк5С50°С 2Т933А, 2Т933Б, КТ933А,

КТ933Б......... 5 Вт

Г„.-=125°С 2Т933А, 2Т933Б .... 0,2 Вт

Тепловое сопрогивление переход - корпус 20°С/Вт ,

Тепловое сопротивление переход - среда

2Т933А, 2Т933Б....... 125°С/Вт

Температура перехода...... 150 °С

Температура окружающей среды:

2Т933А, 2Т933Б....... от -60 °С до

Г,, = 125 °С

КТ933А, КТ933Б....... от -60 "С до

Г„=100 °С

При Гк>50°С Рк max [Вт] = (150~Г„)/«1.п.к (при псполь-зоваиии транзистора с теплоотводом), при Г>50°С Рк mav [Вт]= = (150-Г)/Ртп, с (при использовании транзистора без теплоотвода).

Is, Mfl SO

"213

40 JO 20 10

г тэззА,

2 Т933Б,

тяззя, пгзззб

f ов

%г 0,4 0,6 0,8 щ

60 50 40

20 10

г тзззл,

Н г331/1

<.-

01 0,2 0,3 0,4 1к



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 [121] 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183


0.0137