Главная Мощные приборы



2Т637А-2

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п генера-орцые. Предназначены для применения в усилителях мощности, „ожнтелях частоты и автогенераторах на частотах до 3 ГГц при д,ряжении питания 20 В в герметнзированиой аппаратуре.

Корпус металлокерамический с гибкими полосковыми выводами, дасса транзистора не более 0,15 г.

м h-

16,г


Электрические параметры

Значение

Режим измерения

Буквенное

ё з:

Параметр

оОозначе-

<и о

X и X

<

£

Выходная мощность (f =

0 , 5

1,0*

0, 1

=3 ГГц. медианное значе-

ние). Вт

Коэффициент усиления по

5,0*

0, 1

мощности (/ = 3 ГГц,

Рвы1=0.5 Вт)

СтатмчсскпП коэффициент

2 1Э

0,05

передачи тока в схеме ОЭ

Модуль коэффициента пере-

"2 1Э

0. i

дачи тока иа высокой ча-

стоте (/ = 300 МГц) Критический ток коллектора (/=300 МГц). А

0,45»

0,6*

Постоянная времени цепи

0,7*

1.0*

0, 03

"оратиоЯ связи на высокой

частоте (/=1(ю МГц), пс

ьмкость коллекторного перевода, пФ

2,4*

2,7*

«кость эмиттериого перевода, пф

10.5*

12,5*

Полное входное сопротивле--9т „" = 3 ГГц, Р„ = -200 МВт), Ом

10-(-

0, i

-f/15



Значение

Режим

llfPeH„.

Буквенное

«и 0 S л

Параметр

обозначение

л га

0 а О

m из

<

Обратный ток коллектора, мА

Г = 25 °С

Г=125 °С

0, I 1,0

Обратный ток эмиттера, мА; Г = 25 С Г=125°С

0, 1 1 ,0

Индуктивность вывода эмит-

тера*. нГи

Индуктивность вывода кол-

лектора*. иГн

Индуктивность вывода ба-зы*, нГн

0,112

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор - база 30 В

Постоянное напряжение эмнттер - база . 2,5 В

Постоянный ток коллектора .... 0,2 А

Импульсный ток коллектора (ТнЮ мкс,

<350).......... 0,3 А

Постоянный ток базы...... 0,1 А

Средняя рассеиваемая мощность в динамическом режиме (/800 МГц, Т„<25°С) 2 Вт

Импульсная рассеиваемая мощность

(т„<10 мкс, Q>50, Т„<25°С)2 ... 2,5 Вт

Тепловое сопротивление переход - корпус

микросхемы......... 62,5 °С/Вт

Температура перехода...... 150 °С

Температура корпуса...... 100 °С

Температура окружающей среды . » . от -60°С до

Г„=100С

При Г„>26°С Рк, ортах [Вт] = (15а-7,0 / 62,5. 2 При Гк>25°С Ркитах [Вт] =(150 -Г„)/83,3.



m гоо

100 0

гтбЛ/1-г

If Кб 20 8 1ц 0,1/1 f ЗГГц

BOO 500

Ш 300


гтвля-2

Рд, = о,гвг

1к =0,1/1

f =ЗГГц

Б в 10 П 14 Ug.B

Пк,°1 3S

30 25 20 15

10 S

ZTB3Tfl-Z

J = ЗГГц lKBOB

Ik 0,1/1

30 25 20 15

10 5

ZTSllfl-Z

Pg, -0,Z8T 1ц = 0,10

SO 100

150 Pg,MBT

Б 8 10 12 Ik Щв,В

3,0 2,5 2,0 IS f

21837/1-2

Uffj = 108

60 80 100 120 lOI.M/l 0

ZTB37/1-Z

f = 300МГц

10 Ug,B



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 [130] 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183


0.0129