Главная Мощные приборы



If ЦБ - год

Iff =100 Mfl f ЗГГц

г. О !.з

1,5 Л 1,2

50 то 150 гоо fg.Mr

>аом1Гц

-Г;,, пс

гтб31я-г

= 50 г

/ = ЮОМГЦ

2 Т6ИД-2

f ЮМ Гц

8В,В

О 2 4 Б 8 V,,

2& . 20

1б 14 12 10 8

ZTB37fl-Z

/д. - 100 Mfl Р = 2L JnBr

4 О -4 -8

-12 -16

2ТБ31А-2

Z 2,2 Z,4 Z,6 Z,8 /,ГГц

Z Z,Z Z,4 2.6 Z,8f,riM



При монтаже и паГже транзистора допускается температура не 200 °С в течение времени не более 3 с с усилием прижима 5 Н. гГйка выводов эмиттера и коллектора допускается на расстоянии менее 3 мм от керамического основания в течение времени ие бо-3 с. Допускается ироизподить пайку на расстоянии не менее tMM от керамического основания при температуре в месте пайки 900 °С в течение времени не более 1 с.

2Т643А-2, КТ643А-2

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п генера торные. Предназначены для применения в усилителях мощности имножнтелях частоты и автогенераторах на частотах 2-8 ГГц прг напряжении питания 15 В в герметизированной аппаратуре. Выпу скаются на мсталлокерамическом держателе с гибкими полоско выми выводами. Обозначение типа приводится на держателе марки ровкой синей точкой (одна для 2Т643А-2 и две для КТ643А-2). Мае са транзистора не более 0,2 г.

Точка I маркиродачпая


Электрические параметры

Параметр

Буквенное обозначение

Значение

Выходная мощное-- (f = ~/Гц). Вт

!°**"Циеит усилении "О мощности (f = 7 ГГц, " = 200 МВт) Раничная частота коэф-;1"ента передачи тока.

вых frp

500 2 , 5

5,2* 4,5

О, 14

550*

Режим измерения

к

0,09 0,09

0,05 0,13



Параметр

Фаза коэффициента передачи тока иа высокой частоте (/ = 1 ГГц), градус

Модуль коэффициента обратной передачи напряжения (f=IOO МГц) Постоянная времени цени обратной связи на высокой частоте*, не Емкость коллекторного иеречода (/= 10 МГц), иФ

Емкость эмиттерного перехода (/=10 МГц), пФ Обратный ток коллектора, мА-

Г = 2.5 °С

Т=125 °С Обратный ток эмиттера, иА-

Т = 25 °С

Г=125 °С Индуктивность эмиттерного вывода (внутренняя)*, иГн

Индуктивность коллек торного вывода (внутренняя)*. нГи Индуктивность базового вывода (внутренняя)*, нГи

Емкость эмиттер - корпус*, пФ

Емкость коллектор - корпус*, пф

Значение

Буквенное обозначение

S X X S

0) 0 са 0 с

V О X

с»

1Е(21Б>

9,5* 13*

10,5* 16*

15 25

Sl2Bl

0,4 . 10-3*

0,5-10"

1.5. 10-

\<

1 , 2*

1,3*

1 , 8

4,5*

0,1*

J,0 10

0,02* 0,6

0, 1

Сэ,„

Ск.к

О-ончанн, ;1? меренн,

0,05 0,13

25 (3)

0,05 0,05

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор - база 25 В Поетоянное напряжение эмиттер - база . 3 В Постоянный ток коллектора .... 0,12 А Средняя рассеиваемая мощность в динамическом режиме у к 50 °С..... 1.1 Вт

Тепловое сопротивление переход-корпус 90°С/Вт

Температура перехода...... 150 °С

Температура корпуса 2Т643А-2 ... 125 °С

Температура окружающей среды ... от -60°Сдо

7"„ = 125 °С

При Г„>50°С Рктах (Вт1 = (150-Г„)/90.



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 [131] 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183


0.01