Главная Мощные приборы



00 SOB

•0 - !

гтзя-г,

Ifffg 15 в Г к =90мя / -- 7 ГГЦ 1 1 ,

т гоо

Рв,."Вг

1

2ТВ43Я-2,

птв/зд-г

<

Щв 08 1к = 30 мЯ / тггц

ITBhlB-Z, KTBifi/l-Z

Рвых

U/fB -" OB N

I„ SOM/f J 8ГГЦ

>

10 мВт

60 500

50 400

40 300

30 гоо

го /00

20 О 60 80 Рдц.мВт

20 W

700 200 300 Рц.мдт

ZTS3fB-2, HTB3>tfl-2

-Онв- V /д-" 8амя >

V ГГц

20 40 ВО 80 Pj)(,mBt

50 40

20 10 О

,2 .О

0,в 0.6 0,4

о.г о

гтв4зя-2, ктв43я-г

и„д -58

f = ООМГЦ

frp, г г и, 8

2тв4зя-г,

ЯТВ43Я-2

- 5 в \ f = 1000/Гц

а 40 80 120 160 /д-, мД



Ю Ofi

0,1 О

ZTBh3ft-Z,

/ ЮОМГц

Г, О 0.5

40 80 120 160 1,1,МЯ

ггезя-1(Тб-зя

/ = ТОМГц

4 8 П 16 UffsB

С, 0,004nP (и,,5 в)


Ч-700М дал

АИ 0,1 nP(0,5В)

6л . 01 0,ZnV

24/iP

0,t5nP


0,9nP

0,5 ПГП

CI О.ЗпФ

Монтаж транзисторов осуществляется припайкой металлизированного основания держателя к теплоотводу прн 7"<150°С. Пайка выводов производится на расстоянии не менее 2 мм от держателя при Г260С. Допускается пайка выводов иа расстоянии до 0,5 мм от держателя при 7150"С в течение времени не более 3 с.

Допускается использование транзисторов в диапазоне частот J0 МГц -2 ГГц в усилителях и генераторах мощности при напряжении питания не более 10 В.



2Т652А-2

Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарныи п-р-п переключающий. Предназначен для работы в переключающих и усилительных устройствах герметизированной аппаратуры.

Бескорпусиые, на керамической подложке, с защитным покрытием и гибкими выводами. Выпускаются в таре, позволяющей производить измерение электрических параметров. Масса транзистора не более 0,015 Г.


электрические параметры

Параметр

Буквенное обозиаче-ине

Зиачеине

Режим измерения

ю и:

<

Граничное напряжение (Тя 30 мкс, Q. 50), В Напряжение насыщения коллектор - эмиттер, В Напряжение насыщения база - эмнттер, В Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ

Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ, МГц Время рассасывания, ис

Емкость коллекторного пехода (f=10 МГц),

Емкость эмнттерного перехода (/==10 МГц), пФ бpaтный ток коллектора. мкА:

Jr-»J+25»C Обратный ток эмиттера.

КЭО гр

КЭ иас

0,16*

0,28*

0,05

БЭ нас

0,86*

0,89*

900*

1000*

7.2*

(10)

1 10

(30)

0.01* I*

30 300



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 [132] 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183


0.0142