Главная Мощные приборы



Параметр

Буквенное обозначе. нне

Значение

Окончание

Режим измерения

<

Обратный ток коллектор - эмиттер («63=10 Ом). мА:

Г=25 °С

2Т909А

К;Т909А, КТ909В 2Т909Б • КТ909Б. КТ909Г 7-=85 С КТ909А, КТ909В КТ909Б, КТ909Г Т= 125 °С 2Т909А 2Т909Б

Обратный ток эмиттера, мА: /=25 "С 2Т909А

КТ909А, КТ909В 2Т909Б

1СГ909Б, КТ909Г Г = 85 °С КТ909А, КТ909В КТ909Б, КТ909Г 7-=125°С 2Т909А 2Т909Б

Индуктивность коллекторного вывода (/=3 мм), иГ Индуктивность базового вывода ((=3 мм)*, нГ Емкость пФ

Емкость пФ

Емкость тер*, яФ

эмиттер - база», коллектор - база*.

коллектор - эмит-

КЭ«

е.. о

2.5 О, 85 0,36

25 30 50 60

30 60

25 50

Предельные эксплуаталивиные данные

Постоянное напряжение коллектор - эмиттер («6,<10 Ом).......

Импульсное иапряжемие коллектор-эмиттер (Лбэ<10 Ом).......

Постоянное напряжение эмиттер - база Постоянный ток коллектора:

2Т909А, КТ909А. КТ909В.....

2Т909Б. КТ909Б, КТ909Г.....

Импульсный ток коллектора (тн20 мкс, Q>50):

2Т909А, КГ909А, КТ909В.....

2Т909Б, КТЭ09Б, КТ909Г.....

Постоянный ток базы:

2Т909А, КТ909А, КТ909В.....

2Т909Б, КТ909Б, КТ909Г.....

60 В

60 В 3,5 В

2 А 4 А

4 А 8 А



Средняя рассеиваемая мощность в динамическом режиме (Г„<40°С)»:

2Т909А, КТ909А. КТ909В..... 27 Вт

2Т909Б. КТ909Б, КТ909Г..... 54 Вт

Тепловое сопротивление переход - корпус:

2Т909А, КТ909А, КТ909В..... 5 "С/Вт

2Т909Б, КТ909Б, КТ909Г..... 2,5°С/Вт

Температура перехода:

2Т909А, 2Т909Б....... 160 °С

КТ909А, КТ909Б, КТ909В, КТ909Г . . 120°С

Температура корпуса:

2Т909А, 2Т909Б....... 125 °С

КТ909А, КТ909Б, КТ909В, КТ909Г . . 85 °С

Температура окружающей среды:

2Т909А. 2Т909Б....... от -60 "С до

КТ909А. КТ909Б, КТ909В, КТ909Г

7„=125 °С от -40 °С до

Гк=85 °С

1 При Г = Г„ mm (/кэ л max = 50 В-

2 Прн Гк>40С Рк.сртах [Вт] = (Тв-Г„)/Лт п, к.


60 v-50

гтэозя, ктзозя /

f=500

ZT309B, КТ303В

2 ТЗОЗБ, КТЗОЗб, К Т309Г

зв

\ \

2 тэазя, - ятзозя, ктзаяв

1 1

20 и„з,в





5 10 15 ZO U/i3,e


ZOO IjMfl

10 15 ZO V,, В

Допускается пайка выводов на расстоянии ие Менее 3 мм от корпуса в течение времени не более 10 с при температуре пайки ие более 260 °С. Обрезание выводов допускается на расстоянии ие менее 5 мм от корпуса.

2Т911А, 2Т911Б, КТ911А-КТ911Г

Транзисторь! кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах более 400 МГц при напряжении питания 28 В.

Корпус металлопластмассовый с полосковыми выводами и монтажным виитом. Масса транзистора ие более 6 г.



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 [137] 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183


0.0094