5 W 15 го Z5 lfffj,B

100 ZOO 300 1„,мя

Сп/С(1/кв30В)

С„пФ 30

0 4 8 1z 16 Щд,В

Z5 Z0 15

10 5

2 5,5

Запрещается при установке транзистора на теплоотвод скручивающие усилия прикладывать к пластмассовой части корпуса. Шероховатость контактной поверхности теплоотвода должна быть ие менее 2,5. Неплоскостиость контактной поверхности теплоотвода должна быть не более 0,03 мм.

Допускается пайка выводов на расстоянии ие менее 2 мм от корпуса по методике, ие приводящей к нарушению конструкции транзисторов. Пайку проводить паяльником при температуре ие более 260 °С в течение не более 6 с. Необходимо осуществлять теплоотвод между корпусом и местом пайки.

2Т913А-2Т913В, КТ913А-КТ913В

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах иа частотах 200-1000 МГн при напряжении питания 28 В.

Корпус металлокерамический с полосковыми выводами и монтажным винтом. Масса транзистора не более 1,6 г.

Электрические параметры

Параметр

Буквенное обозначение

Значение

Режим иэмереиня

t5 m

Выходная мощность {f = = 1 ГГц), Вт; 2T913A, КТ913А 2Т913Б, КТ913Б 2T9I3B, КТ913В Коэффициент усиления по мощности (/=1 ГГц); 2T9I3A (Явы1 = 3 Вт) KT913A (Рвы1 = 3 Вт) 2Т913Б (Р,ь,х = 5 Вт) КТ913Б (/,ых = 5 Вт) KT9I3B (Рвы1=.10 Вт) КТ913В (Явы1 = 10 Бт) Коэффициент полезного действия коллектора (f-i ГГц),

2T913A, KT9I3A (Рвых = = 3 Вт)

2Т913Б, КТ913Б (Р,ьг1 = = 5 Вт)

2Т913В, КТ913В (Рвы1 =

= 10 Вт) Модуль коэффициента пере-лачн тока иа высокой частоте (/=100 МГц):

2Т913А, KT913A

КТ9?зв

Напряжение насыщения

коллектор - эмнттер*. В "апряжение насыщения ба-р - Эмиттер*. В

Раничное напряжение коллектор эмнттер*, В

<f-,l\i"" ™ коллектора " = 100 МГц). А-

2:Г913А. КТ9,ЗА

2Т913Б. КТ913Б -Л913В913В

10 10

0,2 0,4

0,25 (0,03) 0,25 (0,03) 0,075

Параметр

Буквеииое обозиаче-

Значенне

Режим измерения

< и:

Постоянная времени цепи обратной связи иа высокой частоте (/=30 МГц), пс:

2Т913А

КТ913А

2Т913В. 2Т913В

КТ913Б, КТ913В Емкость коллекторного перехода (/=10 МГц), пФ:

2Т913А

КТ913А

2Т913Б

КТ913Б

2Т913В

КТ913В

Емкость эмиттерного перехода (/=10 МГц), пФ;

2Т913А

КТ913А

2Т913Б. 2T9I3B

КТ913Б, КТ913В Полное входное сопротивление (/=1 ГГц). Ом:

2Т913А (Рвы1=3 Вт)

2Т913Б (Рвы1 = 5 Вт)

2Т913В (Рвы1 = 10 Вт)

Обратный ток коллектор - эмиттер («63 = 10 Ом), мА:

2T9I3A

КТ913А

2Т913Б, 2Т913В

КТ913Б, КТ913В Обратный ток эмиттера, мА:

2T913A. 2Т913Б, 2Т913В

КТ913А, КТ913Б, КТ913В Индуктивность эмиттерного вывода при заземлении обоих выводов (у основания вывода)*, нГн:

2Т913А, КТ913А

2Т913Б, 2Т913В, КТ913Б,

КТ913В

Индуктивность коллекторного вывода (/=3 мм)*, иГк Индуктивность базового вывода ((=3 мм)*, иГи:

2Т913А, КТ913А

2Т913Б. 2Т913В, КТ913Б,

КТ913В

Емкость коллектор - эмиттер*, пФ:

2Т913А, КТ913А

2Т913Б, 2Т913Б

2Т913В, КТ913В

.+ 2V -1-/14

4,4*

0,5< 0.7

0,55 О, 25

1 ,95

3 2.5

0,7 1.5 1.5

60 75 120 150

1.0 1.5

(28)

0.05