![]() | |
Главная Мощные приборы
5 W 15 го Z5 lfffj,B
100 ZOO 300 1„,мя Сп/С(1/кв30В)
С„пФ 30 0 4 8 1z 16 Щд,В Z5 Z0 15 10 5
2 5,5 Запрещается при установке транзистора на теплоотвод скручивающие усилия прикладывать к пластмассовой части корпуса. Шероховатость контактной поверхности теплоотвода должна быть ие менее 2,5. Неплоскостиость контактной поверхности теплоотвода должна быть не более 0,03 мм. Допускается пайка выводов на расстоянии ие менее 2 мм от корпуса по методике, ие приводящей к нарушению конструкции транзисторов. Пайку проводить паяльником при температуре ие более 260 °С в течение не более 6 с. Необходимо осуществлять теплоотвод между корпусом и местом пайки. 2Т913А-2Т913В, КТ913А-КТ913В Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах иа частотах 200-1000 МГн при напряжении питания 28 В. Корпус металлокерамический с полосковыми выводами и монтажным винтом. Масса транзистора не более 1,6 г. ![]() Электрические параметры Параметр Буквенное обозначение Значение Режим иэмереиня t5 m Выходная мощность {f = = 1 ГГц), Вт; 2T913A, КТ913А 2Т913Б, КТ913Б 2T9I3B, КТ913В Коэффициент усиления по мощности (/=1 ГГц); 2T9I3A (Явы1 = 3 Вт) KT913A (Рвы1 = 3 Вт) 2Т913Б (Р,ь,х = 5 Вт) КТ913Б (/,ых = 5 Вт) KT9I3B (Рвы1=.10 Вт) КТ913В (Явы1 = 10 Бт) Коэффициент полезного действия коллектора (f-i ГГц), 2T913A, KT9I3A (Рвых = = 3 Вт) 2Т913Б, КТ913Б (Р,ьг1 = = 5 Вт) 2Т913В, КТ913В (Рвы1 = = 10 Вт) Модуль коэффициента пере-лачн тока иа высокой частоте (/=100 МГц): 2Т913А, KT913A КТ9?зв Напряжение насыщения коллектор - эмнттер*. В "апряжение насыщения ба-р - Эмиттер*. В Раничное напряжение коллектор эмнттер*, В <f-,l\i"" ™ коллектора " = 100 МГц). А- 2:Г913А. КТ9,ЗА 2Т913Б. КТ913Б -Л913В913В
10 10 0,2 0,4 0,25 (0,03) 0,25 (0,03) 0,075 Параметр Буквеииое обозиаче- Значенне Режим измерения < и: Постоянная времени цепи обратной связи иа высокой частоте (/=30 МГц), пс: 2Т913А КТ913А 2Т913В. 2Т913В КТ913Б, КТ913В Емкость коллекторного перехода (/=10 МГц), пФ: 2Т913А КТ913А 2Т913Б КТ913Б 2Т913В КТ913В Емкость эмиттерного перехода (/=10 МГц), пФ; 2Т913А КТ913А 2Т913Б. 2T9I3B КТ913Б, КТ913В Полное входное сопротивление (/=1 ГГц). Ом: 2Т913А (Рвы1=3 Вт) 2Т913Б (Рвы1 = 5 Вт) 2Т913В (Рвы1 = 10 Вт) Обратный ток коллектор - эмиттер («63 = 10 Ом), мА: 2T9I3A КТ913А 2Т913Б, 2Т913В КТ913Б, КТ913В Обратный ток эмиттера, мА: 2T913A. 2Т913Б, 2Т913В КТ913А, КТ913Б, КТ913В Индуктивность эмиттерного вывода при заземлении обоих выводов (у основания вывода)*, нГн: 2Т913А, КТ913А 2Т913Б, 2Т913В, КТ913Б, КТ913В Индуктивность коллекторного вывода (/=3 мм)*, иГк Индуктивность базового вывода ((=3 мм)*, иГи: 2Т913А, КТ913А 2Т913Б. 2Т913В, КТ913Б, КТ913В Емкость коллектор - эмиттер*, пФ: 2Т913А, КТ913А 2Т913Б, 2Т913Б 2Т913В, КТ913В
.+ 2V -1-/14 4,4* 0,5< 0.7 0,55 О, 25 1 ,95 3 2.5 0,7 1.5 1.5 60 75 120 150 1.0 1.5 (28) 0.05 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 [139] 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 0.0123 |