Главная Мощные приборы



Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор - эмигтер («6,10 Ом)....... 55 В

Импульсное напряжение коллектор -эмиттер Ом)....... 55 В

Постоянное напряжение эмиттер - база 3,5 В Постоянный ток коллектора:

0ТЧ13-\, КТ913А....... 0,5 А

2Т913Б. 2Т913Б, 2Т913В, КТ913В . . 1,0 А Импульсный ток коллектора:

2Т913Л, КТ913А....... 1.0 А

2Т913Б, КТ913Б, 2Т913В, KT913iB . . 2,0 А Постоянный ток базы:

2Т913А, КТ913А....... 0,25 А

2Т913Б, КТ913Б, 2Т913В, КТ913В . . 0,5 А Средняя рассеиваемая мощность в динамическом режиме:

7-„й£55°С2 2Т913А, КТ913А . . . . 4,7 Вт

7„<70С2 2Т913Б, КТ913Б .... 8 Вт

Г„<25°С2 2Т913В, КТ913В .... 12 Вт Тепловое сопротивление переход - корпус:

2Т913А, КТ913А....... 20°С/Вт

2Т913Б, КТ913Б, 2Т913В, КТ913В . . 10°С/Вт

Температура перехода...... 150 °С

Температура корпуса:

2Т913А-2Т913В....... 125 °С

КТ913Л -КТ913В...... 85 °С

Температура окружающей среды:

2Т913Л, 2Т913Б, 2Т913В..... от-бОТдо

Т =125°С

КТ913Л, КТ913Б, КТ913В .... от"-45°С до Г„ = 85°С

В диапазоне температур 25 °С-7окр min снижается лииейио

до 45 В,

Для 7к>55°С (2Т913А, КТ913А), Г„>70°С (2Т913Б, КТ913Б) 7,,>2б°С (2Т913В, КТ913В) Рк.сртах [Вт] = (150-

-п) / fir и. ц.


1.0 IS г,о Psy,BT

в 6 k

гтз1зв,ктэпв

рд,-4вг

гтэчв, ктз1зе

•""ггэтзя, в тэ

1 v

Wx-IBt

/-1ГГ0,

25 Uj.B



го.ог

17,5 15,0 12,5 10,0

7.5 5,0

гТ913В,КТ9ГЗБ, 2Т9!Зд,КТЭ13в

1 1

О 0,h 0,8 1,2 I.fl

I/ -

2Т913Я,КГ913/Г

Щз-15в

f = гаамгц 1 1

О 0,2 0,4 0,8


г„,пс

10 20 JO 40 Щ,В


О 50 100 Т50 Ij,me


10 20 50 Vig,B

100 80 60 40 20 О

2Т9/ЗБ, КТЗ!Зв, 2Т913в, НТ313в

113Я, НТ913Я

При присоединении (пайке) выводов температура корпуса в любой его точке не должна превышать 85 °С. Изгиб и обрезание выводов допускается на расстоянии не менее 3 мм от корпуса.



2Т916А, КТ916А

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п генераторные. Предиазиачены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах иа частотах 200-1000 МГц при напряжении питания 28 В.

Корпус металлокерамический с полосковыми выводами и монтажным винтом. Масса транзистора не более (2 г.


Электрические параметры

Параметр

Буквеииое обозиаче-иие

Значение

Режим измерения

<

Выходная мощность (f= = 1 ГГц), Вт

Коэффициент усиления по мощности (f=l ГГц, Рвы1=20 Вт)

Коэффициент полезного действия коллектора (/=1 ГГц, Рвы1=20 Вт). %

Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ*

Напряжение насыщения коллектор - эмиттер*. В

Напряжение насыщения ба-за - эмнттер*. В

коэффициента пере-

- (иТоГлГгцГ"

вЫх Кур

"213 КЭ иас БЭнас

20 2.25

2,5»

35 0,2 0.98 14»

60<

0.4 1 ,0

0,25 0,25 0,25

0,03 0,03



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 [140] 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183


0.0082