Главная Мощные приборы



Параметр

Обратный ток эмиттера, мА:

Г==25 °С 2Т930А. КТ930А 2Т930Б, КТ930Б 7- = 85 °С КТ930А КТ930Б Г=125 °С 2Т930А 2Т930Б

Индуктивность внутреннего LC-звеиа, нГн

2Т930А, КТ930А

2Т930Б, КТ930Б Емкость внутреннего LC-звена:

2Т930А, КТ930А

2Т930Б, КТ930Б Индуктивность эмиттерного вывода (/=1 мм)*, нГн

2Т930А, КТ930А

2Т930Б, КТ930Б Индуктивность коллекторного вывода (/=1 мм)* нГн Индуктивность базового вывода (/=1 мм)*, НГи:

2Т930А. КТ930А

2Т930Б, КТ930Б

Значение

400 600

Режим измерения

<

0,45 0,92*

0,14 О, 26

450 650

0,35 О, 24 1.6

I ,57 1,42

10 20

20 40

20 40

500 700


Параметр

транзис-

тора

J

2Т930А

1 ,57

0,44

0.35

4 50

2Т930Б

1,42

0. 26

0.24

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер («ба<100 Ом).......

Постояниое напряжение эмиттер - база Постоянный ток коллектора:

2Т930А, КТ930А.......

2Т930Б, КТ930Б......

50 Б 4 В

6 А 10 А



,-r4 входная мощность.

2Т930А, КТЭЗОА . . . . .

2Т930Б, КТ930Б ......

Гпрлняя рассеиваемая мощность в динамическом режиме (Тк<40°С):

2Т930А, КТ930А.......

2Т930Б, КТ930Б.......

Тепловое сопротивление переход - корпус:

2Т930А ..........

КТЭЗОА ........

2Т930Б ..........

КТ930Б..........

Температура перехода ......

Температура корпуса:

2Т930А, 2Т930Б ....

КТ930А, КТ930Б.......

Температура окружающей среды:

2Т930А, 2Т930Б ...

КТ930А, КТ930Б . .

7 Вт 18,5 Вт

75 Вт 120 Вт

1,6 °С/Вт 1,8 "С/Вт 1,0°С/Вт 1,2 °С/Вт 160 °С

125 °С

85 "С

от -60 °С до Гк=125°С от -40 °С до Г„ = 85°С

Прн Т„>40°С Рк.срша! [Вт] =(160-Т„) ?г и, к.

Шероховатость контактной поверхности теплоотвода должна быть не менее 1,6 Неплоскостность контактной поверхности теплоотвода должна быть не более 0,04 мм. Тепловое сопротивление корпус - теплоотвод при нанесении теплопроводящей смазки типа КПТ-8 на поверхность теплоотвода транзистора ие более 0,3 °С/Вт.

Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 1 мм от корпуса по методике, не приводящей к нарущенпю конструкции и герметичности транзистора. Пайку производить при температуре не выше 270 °С не более 3 с.

г тэзоА,

в г930/1

/= 100 МГЦ

= гв в

8С 60 40

го о

Р8Ь,,.ВТ

100 80 60 40

гтэзоБ,

КГЭЗОБ

= 400МГц

из-гвв

W0 80 60 40

го о



SO 40 JO 20

2Г930/1 К T930/I

--шт"

f = 200 МГЦ

= гав

ЮО 80 ВО 40

100 80 60 40

za о

ZT930B, ИТ93 Об

Рвых

100 Ml ц 28 в

120 100 80

40 НО О

Рвх, Вт

кр 35


>

гтэзоб ,кт9зод

/ 300МГц

30/1.

КТ93

6 8 1,1,Я

4 в 12 IS га Щэ, в

1г„,ос

за га

/ = 5МГц

fsB «

2т330Б, Н Т930В

930Я

НТ930Я 1

0,2 0,4 0,5 0,8 Ij,/1

/ = ЗОМГц

ТЭЗОБ, ЯТ930В

2 ГЭЗОЛ, В ТЗЗОЯ

I I-L -L.

в 12 16 1/„в, О



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 [147] 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183


0.7331