Главная Мощные приборы



Из 5000

г500 гооо

1500 1000 500

130 Б, ЯТЗ.

ZT93L

Ifl, к

Т93П


10 20 за и„з,в

2Т934А-2Т934В, КТ934А-КТ934Д

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителял частоты и автогенераторах на частотах 100-400 МГц при напряжении питания 28 В.

Корпус металлокерамический с полосковыми выводами и монтажным винтом. Масса транзистора не более 4,5 г.

0.Г5


Шероховатость контактной поверхности теплоотвода должна быть не менее 2,5. Неплоскостиость контактной поверхности теплоотвода не более 0,04 мм. Для уменьщения контактного теплового сопротив-16ния между корпусом и теплоотводом следует применять теплоот-водящне смазки.

Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 3 мм от кор-Уса по методике, не приводящей к нарушению конструкции и герметичности транзистора. Пайку производить при температуре ие



Параметр

Буквеииое обозначе иие

Значение

КТ934Б (Рвь.1 = КТ934В (Рвы1 =

Выходная мощность = 400 МГц, Гк<40°С),

2Т934А. КТ934А

КТ934Г

2Т934Б, КТ934Б КТ934Д

2Т934В, КТ934В Коэффициент усиления мощности (f = 400 МГц):

2Т934А, КТ934А (Рвы1=

= 3 Вт)

2Т934Б.

= 10 Вт)

2Т934В,

= 25 Вт)

КТ934Г (Рвы1=10 Вт) КТ934Д (Рвьг1 = 20 Вт) Коэффициент полезного действия коллектора (f= = 400 МГц), %

Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ*:

2Т934А, КТ934А

2Т934Б, КТ934Б

2Т934В, КТ934В Напряжение насыщения коллектор - эмиттер*. В:

2Т934А

2Т934Б 2Т934В

Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте (f=100 МГц);

2Т934А, КТ934А

2Т934Б, КТ934Б

2Т934В, КТ934В

КТ934Г

КТ934Д

Критический ток коллектора (f=100 МГц), А:

2Т934А, КТ934А

2Т934Б, КТ934Б

2Т934В. КТ934В

КТ934Г

КТ934Д

Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте (f = 5 МГц), пс:

2Т934А, КТ934А

2Т934Б, КТ934Б

2Т934В, КТ934В

КТ934Г

КТ934Д

КЭ нас

3 10 12

20 25

3,3 2,4 50

0,15

0,08

5 5 5

4,5 4,5

О, 23 1.0 2,0 0.9 1 .8

Режим измерения

9» 5,5* 4*

50 50 50

0,2 О, 16 0,1 2

8.5 9* 9*

0.32* 1.5*

3,2 1 .4*

2,5"

5* 5* 5* 5* 5*

I 5*

150 1 50 I 50

0,35

14* 14* 14

0,6* 2,0* 4,0

20 20 25 25

10 10 1 О 10 10



Око]гчыиие

Параметр

Буквенное обозначение

Значение

Режим измерения

IS аа

•<

Fmkocti. коллекторного не-рехода .tf=5 МГц), пФ:

2Т934А. KT934A

2Т934Б. КТ934Б, КТ934Г

2T934B. КТ934В, КТ934Д Емкость эмнттерного перехода (/ = 5 МГп). пФ:

2Т934А. KT934A

2Т934Б. КТ934Б, КТ934Г

2Т934В. KT934B. КТ934Д Обратный ток коллектор - эмнттер (/гг,э=:о Ом). мА:

Г-25 °С

2Т934А

KT934A

2Т934Б

КТ934Б. КТ934Г 2T934B

KT934B. КТ934Д Г = 85 "С KT934A

КТ934Б. КТ934Г

КТ934В. КТ934Д

7=125-0

2Т934А

2Т934Б

2Т934В

OfipaTFiE.ffi ток эмиттера. мА:

7-25 С

2T934A 2T934B КТ934А. КТ934Б. КТ934Г КТ934В. КТ934Д 7=85С

КТ934А. КГ934Б. КТ934Г

KT934B. КТ934Д

7-= 125 °С

2T934A 2Т934В Индуктивность эмиттерно-И1 вывода*. иГн:

2T934A. КТ934А

2Т934Б. КТ934Б. КТ934Г

2T934B. КТ934В. КТ934Д Индуктивность коллекторного в1,1вода*. нГн Индуктивность базового вы-""Да*. иГн:

2Т931А. KT934A

2Т934Б. КТ934Б. КТ934Г

2Т934В. KT934B. КТ934Д дикость эмиттер - корпус*.

"Ус°пф коллектор - кор-Емкость база корпус*. иФ

Ь>БО

-G.k

5 7* IB

15* 70* 120*

30 I 00 200*

0,2 0.5* 2.5

0.2"

I .3 I . 2 1 . О 2.5

3. I 3, 1 2,8 I ,84

I .53

0.96

9 I 6 3 2

60 160

7 , 5 I О 1 5 20 30

I 5 30 60

10 30 40

7.5 8

7.5 8

(28)



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 [148] 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183


0.0121