Главная Мощные приборы



Ие пекочендуетс» напряжение питания 2Т937А-2, КТ937А-2 более В 11 2Т937Б-2, КТ937Б-2 более 15 В в диапазоне частот 0.9- 14 ГГн: ля ice.t типов транзисторов более 18 В в диапазоне частот 142 5 ГГц. Статический режим допускается при кБО В и

/ <50 мХ

Пайка вынодоп допускается на расстоянпп более 3 мм от корпуса nil температуре пайки 260 °С и 1 мм от корпуса прн температуре пайки 125°С и времонн панки не более 3 с.

2Т938А-2, КТ938А-2

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах до 5 ГГц прн напряжении питания до 20 В в герметизированной аппаратуре.

Корпус на мсталлокерамическом держателе с гибкими полосковыми выводами. Масса транзистора не более 0,15 г.

4,1

!6,1


Электрические [вараметры

Параметр

Значение

Режим измерения

<

выходная мощиостп {/-5 ГГц). Вт

Коэффициент усиления ио мощности (/ = 5 ГГц. /„ui=l ВТ) оффнцнент полезного дсйст-коллектора (/ = 5 [Тц. "« = 1 Вт). \

раничная частота коэффицисп-

а переда,,, тока. МГц рат™""" премснп цепи об-сг„"° <"язи на высокой ча-Крит„5=00 МГц), ис ЁзоП) д™" ко.т..сктора

пых

1 . 0

4,15*

26»

2000

2900»

4 2 0 0*

0.5*

0.6*

0. 1 8

0.27«

0 , 38*

О, 1 5



Параметр

>. я из X

Зиачеине

Окончание

Режим 1ччсрения

2.2*

2,6*

5.2*

0.5»

1 . 0

0.02* 0.3

0. 1 1 ,0

0.17

0.35

Ск.б

Емкость коллекторного перехода (/=10 МГц). нФ Емкость эмиттерного перехода (f=IO МГц), нФ Обратный ток коллектора. мА:

Г = 25 °С

Г= 125 "С Обратный ток эмиттера. мА;

Г = 25"С

Г=125 "С Индуктивность эмнттерного вывода (внутренняя)*, иГн Индуктивность коллекторного вывода (внутренняя)*. иГн Индуктивность базового вывода (внутренняя)*, иГн Емкость эмиттер - база*. нФ

Емкость коллектор - база, пФ нФ

Емкость коллектор - эмиттер*, пФ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор - база Постоянное напряжение эмиттер - база Постоянный ток коллектора Средняя рассеиваемая мощность в динамическом режиме (7"„25°С) Постоянная рассеиваемая мощность (t/B <10 В. 7-„<30°С).....

Тепловое сопротивление переход - корпус Тепловое сопротивление переход - корпус в динамическом режиме Температура перехода Температура корпуса:

2Т938А ... . .

КТ938А-2.......

Температура окружающей среды:

2Т938А-2........

КТ938А-2

28 В 2,5 В 0,18 А

2,5 Вт

1,5 Вт 80 "С/Вт

50"С/Вт 150 "С

125-С 85 °С

от -60 °С до Г„=125°С

от -45 °С до Т„ = 85 °С

При Г„>25°С Рк тат [Вт] = (150-Т„);/?т

Держатель транзистора припаивается к теплоотводу при Гк 200°С за время не более 3 с.



Пайку выводор допускается производить иа расстоянии не менее у от держателя при 7";5150°С. Допускается пайка выводов на

рассто

тоярпт I мм прн условии жесткой фиксации основания вывода относительно держателя.

/,2 10 ОВ 06 0,t (7/

-

2ГЭ38/1-

2, -Z

"не

-- 20 в

5ГГЦ

/гр 3,6

ЮО 200 300 400 Pg,мВт ГГц

2.4 2,0

ггэзвл-2,

ПТЭ5&Я-2

и„з- зв

50 100 ISO 200 1„,м/Т

2ТЭ38/1-2. ВТ93ВЯ-2

/, SOMA

Умб ОВ

I 1

f - 100 МГЦ

Р8Ь,Х,ВТ 12

0.6 0,4 0.2

0,5 0,4 O.J

0,2 0.! О

2 Т338 Л-2, КТ338Д-2

Psx 0.5вт

f Srrq

5 10 15 го

г ГЗЗвЯ-2,

лтззав -2

/ -300 МГц

г тз38/1-2,

НТЗЗв/1-Z

у - 10 МГЦ



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 [152] 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183


0.0117