Главная Мощные приборы



2Т939А, КТ939А

Транзисторы кремниевые эпитаксналь.о-планарные п-р-п уснли тельные. Предназначены для работы в усилителях класса А с новы." шейными требованиями к нелинейным искажениям.

Корпус металлокерамический с гибкими полосковыми выво.чами Масса транзистора не более 2 г.


/5,7

a,ts

Электрические параметры

Значение

Режим измерения

Параметр

Буквенное обозначение

о а: л

о о ш о с

с: S

<

Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ (/ = 300 МГц). ГГц Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Неравномерность коэффи-iLHetiTa передачи тока б режиме малого сигнала Постоянная времени цени обратной связи на высокой частоте (f=30 МГц), пс Емкость коллекторного перехода (f=10 МГц). пФ Емкость эмиттерного перехода (/=10 МГц), пФ Граничное напряжение. В

Обратный ток коллектора.

Г„ = -60 4-25 °С Г» =125 °С -Обратный ток эмиттера, мА-.

Г„ = -60 -Ь-Ь25°С Гк=125 °С

"21Э 21Э max hi 1 Э min

КЭО гр КБО

3.06*

3,3*

1 13*

35»

200*

,04*

1,25*

4,6*

(10)

3,5*

3,9*

(12)

17,5

(30)

200 50

200 50

40-400

(50)

(30)



Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор - эмиттер {о. Ю Ом, Г „ =25-f-125 "С) . . Постоянное напряжение коллектор - база \V„ = 25-125°C) . . . . .

Постоянное напряжение эмиттер - база Постоянный ток коллектора .... Постоянная расеиваемая мощность коллектора

(Г,. = -60- f25C)

Температура перехода Температура окружающей среды

30 В

30 в

3,5 В 400 мА

4 Вт 150 °С от -60 °С до 7к=125С

/кэКтак, КБ п;ах 11 При Г„ ОТ +25 °С ДО -60 °С Снижается линейно до 25 В.

2 Рк max при Гк>25°С снижается линейно на 0,032 Вт/°С.

"Z13

/ВО 160

ко то во во

1Т939Я,

птэздя

о 100 гоо 300 1з,м/ч

5.h 5.2 5.0

г Т339Я.

KT939fi

f = ЗОМГц

Щв-2в

о 10 20 30 Ij,Mfl

г т339/1,-

КТ93ЭЯ

- ЗОМГц

50 Mfl


5 10 15 и... В



С,п<Р до

20 15 10 5

2 тззая,

КТ939Я

j = 10 МГц

2 J


2,3 2,8 2.7

2Т939Я, КТ933Л

>

/ = 300 МГЦ

БОО 500 400 300 200 100

О 100 200 300 1ц, Mfl

2 Т339Я, нг9зд/1

ЧипОн3 В слеме 0У\

и„ „-V,fg 8 схеме ОБ

4 8 12 и-„„.

Допускается изгиб выводов на расстоянии не менее 3 мм от корпуса. Допускается соединение выводов любым видом пайки (кроме ультразвуковой и электрической сварки) при условии, что за время пайки температура в любой точке корпуса, включая точки контакта вывода с корпусом, не должна превышать 150°С. Пайка выводов допускается на любом расстоянии от корпуса по методике, не приводящей к нарушению конструкции и герметичности транзистора.

При проектировании устройств должны быть приняты меры, исключающие возникновение паразитной генерации. Допустимый статический потенциал 1000 В. При работе транзистора на частотах ниже 500 МГц рекомендуется контролировать максимальное напряжение на коллекторе в процессе отработки и наладки устройств.

Осевое усилие прижима транзистора к теплоотводу должно лежать в пределах 0,04-0,045 кгс-м. Неплоскостность контактной поверхности теплоотвода должна быть не более 0,04 мм. Разрешается обрезать выводы на расстоянии не менее 3 мм от корпуса. Оба электрических вывода должны быть симметрично соединены в схеме.



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 [153] 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183


0.0138