Главная Мощные приборы



3.0 Z.5 2,0 1.5 .О 3,5

2Т9БЗЙ-г, 2ТЭБ36-2

f = 10 МГц

Cj.nP

5.5 5,0 k.5 I,, о 3.5 3.0

гтзбзя-г

f - !ОМГц

0.2 пФ

2TS63


2Т970А, КТ970А


Транзисторы кремниевые

эпитаксиально-планарные п-р-п

генераторные. Предназначены

-J, для применения в усилителя

мощности, умножителях часто

ты и автогенераторах на част

тах 100-400 МГц при напр»

жении 28 В. ,

Корпус металлокерамвч

ский с полосковыми выводам»;

Внутри корпуса имеется дву

звенная LC-цепь. Масса тра



Параметр

Зиачеиие

„„яая мощность (f = ллициент усиления по мощ-ости " = " =

-"*н?цнент полезного дейст-"оллектора (f = 400 МГц,

, = 100 вт), % «„лупь коэффициента передачи S иа высокой частоте (/ =

,300 МГц)

Коптичсскнй ток коллектора (fUsOO МГц). А

Постоянная времени цепи об- „ой связи на высокой часто-

11 = 5 МГц). ПС Еикость коллекторного перехода (/=30 МГц), пФ Обратный ток коллектор-эмиттер (;;эб=10 Ом). мА: Г=25 "С

Г = 85°С KT907A Г=125°С 2T970A Обратный ток эмиттера, мА: Г=25 "С

Г = 85*С KT970A

Г=125°С 2Т970А Индуктивность 1-го внутреннего 1-С-звеиа*. иГн

Индуктивность 2-го внутреннего tC-звена*. иГн

Емкость 1-го внутреннего LC-звена*. пФ

Емкость 2-го внутреннего LC-звена*. пФ

Индуктивность эмнттерного вы-№да*. иГн

ИндуктивиЪсть коллекторного Вдода*. нГн

вых Ку р

Си кЭ R

100 4

50 2

7,3< 1 I 1<

Режим измерения

а: it:

24 • 1 !•

I 25

0,39

0.2-

0,87

65»

30* 25

100 200 200

30 60 60

(10)

(28) 50

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор - эмнт-

(Ro,lO Ом).......

Постоянное напряжение эмиттер - база Постоянный ток коллектора . . . . °Ч входная мощность ... •VCBH коллекторной цепи {U24 В,

к50°С, [ = 400 МГц): п,х = 80 Вт (в течение 3 с) 11,1 = 70 Вт (длительно) РДНяя рассеиваемая мощность в динамическом режиме (Г„<40С) . . . . головое сопротивление переход - корпус

50 В 4 В 13 Л 25 Вт

170 Вт 0,7 "С/Вт



Температура перехода...... 160 "С

Температура корпуса-

2Т970А.......... 125°С

КТ970А......... 85 °С

Температура окружающей среды:

2Т970А......... от -60 °С до

Т„=125»С

КТ970А . . .......от -40 "С до

Г„ = 85

При Г„>40°С Рктах [Вт] = (160-Гк)/0.7.

Изгиб выводов транзистора допускается иа расстоянии не нее 3 мм от корпуса. Пайка выводов допускается на расстоянии менее 1 мм от корпуса при температуре 260 °С в течение 4 с.

120 100 ВО SO 40 20 О

Кур, 96

Я,/<Г310Я

Щз -- 28 В

f - гоомгц

Ч в в 10 11 Рвх,Вт /з1

100 16

80 14

60 12

40 W

20 8

2 Т370в ПТЭЮЙ

1008Г - 28 В


hp,/i so г

800 /,МГц

2Т310Я,

нтззоя

J. - зав МГЦ



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 [163] 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183


0.0107