Главная Мощные приборы



гтэтая,

к т 970 я

у = ЗОМГц

О--5 О !5 20 Uns.B


О 5 70 5 20 и3,1

0,81пЪ-

/2ТЗ-,0 к X

/ h

О.ЗОпГп 0,2нГн

\ jc 620п<Р\0.12яГп

фи-3 /

I-1мм

2Т975А, 2Т975Б

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п генераторные. Предназначены для "Рнменення в импульсиы1х усилителях мощности и генераторах на •астотах 1,4-1,6 ГГц при напряжении питания до 45 В.

Корпус металлокерамический полосковыми выводами. Внутри (•Рпуса имеются двухзвенные со-асующие LC-звенья на входе и

12.2

ZarS(t)3.5

бг транзистора не бо-



Параметр

Ьуквеииое обозначе ние

Выходная мощность (f=I,5 ГГц, Tii = IO мкс. Q-IOO). Вт:

2Т975А

2Т975Б

Выходная мощность (f=l,5 ГГц, Тн = Ю мкс, Q= 100), Вт:

2Т975А

2Т975Б

Коэффициент усиления по мощности (/=1,5 ГГц), дБ:

2Т975А (Рвых, я = 75 Вт)

2Т975Б (Рвых, я = 45 Вт) Коэффициент усиления по мощности (/=1,5 ГГц), дБ:

2Т975А (Рвы1, и =200 Вт)

2Т975Б (Рвых, к = 100 Вт) Коэффициент полезного действия коллектора (/= 1,5 ГГц),%:

2Т975А (Рвы1 = 75 Вт)

2Т975Б (Рвы. = 45 Вт) Коэффициент полезного действия коллектора (/=1.5 ГГц), %:

2Т975А (Рвых, я = 200 Вт)

2Т975Б (Рвых, и=100 Вт) Обратный ток коллектора. мА:

7 = 25 °С 2Т975А 2Т975Б

Г=125°С 2Т975А 2Т975Б

Обратный ток эмиттера, мА: Г = 25 "С 2Т975А 2Т975Б 7=125 "С 2Т975А 2Т975Б

К, и Рк. и У р. и <Ур, и

Значение

75 45

200 100

3,3 4 ,0

25 30

220* 130«

7« 7»

36« 36»

240» 140»

8,5* 8.5»

38* 38*

50 25 100 50

50 25 100 50

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор - база

Постоянное напряжение эмиттер - база

Импульсный ток коллектора (тнЮ мкс, QlOO, Т„<85°С):

2Т975А 2Т975Б

Импульсная рассеиваемая мощность в динамическом режиме (тяЮ мкс, QlOO, Г„<85 °С)2:3

2Т975А ..........

2Т975Б ..........

50 В 3 В

15 А 7 А

500 Вт 200 Вт



Температура перехода Температура корпуса Температура окружающей среды

180 °С

125°

от -60 °С до Т„=125 °С

I Прн Т„>85°С для 2Т975А /к „ max [А] = (180-Г„)/6,4, „„„ 2Т975Б /к.„ max [AJ = (I80-Гк)/13,6.

* 2 При 7„>85°С Рк, нтах [Вт] = (180-Г„)/?т.а.

3 Импульсное тепловое сопротивление переход - корпус при тя 10 мкс, QlOO рассчитывается в соответствии с соотнощени-ями:

2,4 / 0,86 \ ,,

+0,057 1--Г7= t„ ,

для 2Т975/?„ ["C/BtI = для 2Т975Б [°С/Вт1=-

Q 2,4

+0,114 1 -

0,86 \

Ут„ .


Z0 J0 40

0 Psx.Br

20 25 Р. ,вг ох, и

Р8их,н.вт




0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 [164] 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183


0.0117