Главная Мощные приборы



Параметр

Буквенное обозначе* н не

Значение

OKOH»iaiiHe

Режнм измерення

Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте (f= 100 МГц) Критический ток коллектора (/=100 МГц). .\:

2Т914А

КТ9ИА Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте (/ = 5 МГц).

2Т914А КТ914А

(емкость коллекторною перехода (/ = 5 МГц). пФ Емкость эмиттерного перехода (f = 5 МГц)*. нФ Обратный ток коллектор - эмнттер (Рг>->== = 100 Ом). мА; Г = 25 °С

Г=125 °С 2T9I4A КТ914А

Обратный ток эмиттера, м А-

Г = 25 "С

Т= 125 °С 2Т914А

Индуктивность эмиттерного вывода*. нГи Индуктивность коллекторного вывода*. иГи Индуктивность базового вывода*. нГн Емкость эмиттер ~ корпус*. иФ

Емкость коллектор корпус*. пФ

Ёмкость база корпус*. мФ

".,,1

0,25

0,8*

1 30

0. 2*

0.01"

1 , 3

к. к

1 . 8

•0 U

1 . 3

1.0*

1 5 20

1 2 170

0.1 0.2

28 10

(10)

(28) 63

0.03

предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор эмиттер ...... , 65 В

Импульсное напряжение коллектор - эмиттер ..... . . 75 В

Постоянное напряжение эмнттер база 4 В

Постоянный ток коллектора . 0,8 А Импульсный ток коллектора (Ти<10О мкс.

Q>10)..... , 1.5 А

Постоянный ток базы . . 0,2 А



Средняя рассеиваемая мощность в динамическом режиме (Гк5£40°С) Тепловое сопротивление переход - корпус Температура перехода Температура корпуса Температура окружающей среды

7 Вт

16 "С/Вт 150 "С 125 °С от -60 °С до Г„=125 °С

Прп Г„>40°С Рк, срю.х [Вт] = (150-Г„)/16.

0.8 0,0 O.h

0,t 0,6 0,8 1,0 1,г Рд.Вг

,0 0,8

¥

UK3--2BB J =0ОМГц

Рвь„/Рбь,хУгОВ)

0,8 0,6

ВТЭИЯ

>

Рех - ВТ

у -- 400 МГц

S 10

50 hO 30

ztoUa,

Окзв

o.h 0,B 0,8 1,0 1,г Ps,8r

a d,2 0,h 0,6 0,8 Ij,B

irflfrJI,f0,2fl) l.h

Л .0 0.8 0.6

2 Т911*Я nl3!hB

0„3 • 28 В 1

0 гоо hoo soo BOO

0.8 \

0.1 0.6 0,5 0,h 0,3

гтэгчя,

к 7914 я

у -ЮОМГц

Б 8 Uff3,b 519



2 TSIt/l,

кгзгчл

rJ-kilyZOOMH)

•60 -30

a so 60 Tc

.0 0,6 0,6

2T31

КГЭ1

1/3 - 10 в у -- 5МГц

о 50 00 150 гоо Г,мй

Допускается пайка выводов на расстоянии не менее 1 мм от кор. пуса Усилие, перпендикулярное оси вывода, не более 0,5 Н Запрещается изгиб н кручение выводов.

2Т974А-2Т974В

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные р-п-р усилительные. Предназначены для работы в импульсных и линейных усилителях н преобразователях.

Корпус металлический со стеклянными изоляторами и гибкими выводами Масса транзистора не более 1,5 г.


♦7

Прн установке в аппаратуру транзистор должен прижиматься к теплоотводу. Шероховатость контактирующей поверхности теплоот вода должна быть не более 1,6. Неплоскостиость контактирующей поверхности теплоотвода должна быть не более 0,02 мм. Для уменьшения контактного сопротивления между корпусом и теплоотводо»" следует применять смазки, например КПТ-8. Допускается заливка транзистора компаундом ВТ25-200.

Допускается изгнб выводов на расстоянии ие менее 3 мм от корпуса с радиусом изгиба не менее 1,5 мм.



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 [169] 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183


0.0106