Главная Мощные приборы



зченис

Режим

измерен,,;,

Букпениое

Параметр

обозна-

чен ire

1<

S. а

Модуль коэффициента перс-

дачи тока (1=10 МГц)

(21 j1

Статический коэффициент

передачи тока в схеме ОЭ

Г1! = 25°С 2Т803А

КТ803А

Г = -60°С 21 ВОЗА

Отношение статического ко-

эффициента передачи тока в

схеме ОЭ (измеренного при

С/КЭ =10 В, = 1 А, Ти =

= 125°С к измеренному при

КЭ = 10 В, /к=5 А, Гк =

21Э 213

= 25 °С) для 2Т803А

Напряжение насыщения

коллектор - эмиттер, В

КЭ „ас

0,5*

I , 75*

2, 5

Статическая крутизна пря-

мой передачи в схеме ОЭ,

Время включения* (ти-0,5-

10 мкс), мкс

0. 1

0, 3

Время выключения* (тц =

= 0.5-10 мкс), мкс

вы ил

0, 1

Время рассасывания* (/Сяас = 2, «11=10 Ом, Ти=-

-= 10 мкс). мкс

0, 6

Обратный ток коллектор -

эмиттер (Яоэ=100 Ом), мА: Гн = 25 "С 2Т803Л,

КТ803А

0,0025*

0,4*

Г = -60 °С 2Т803А

3-к = 125°С 2Т803А

Обратный ток коллектора*.

мА 2Т803А

0. 1

КТ803А

1 5

1 00

Обратный ток эмиттера*.

2Т803А

0,01*

ктаозА

0,01*

Емкость коллекторного пе-

рехода* (1=0,3 МГц), пФ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор - эмиттер (?оэ= 100 Ом) ...... 60 В

Импульсное напряжение коллектор - эмиттер ((7бэ =2 В -„=10 мкс, q>2) . . 80 В Постоянное напряжение эмиттер - база . 4 В Постоянный ток коллектора .... 10 А



Постоянная рассеиваемая мощность транзистора при Гк до 50 "С 2...... 6Э Вт

Г,, = 100°С KTS034..... 30 Вт

7-„=125С КТ803А...... 15 Вт

Тепловое сопротивление переход - корпус 1,66°С/Вт

Температура перехода ...... 150°С

Температура окружающей среди

2Т803А .........от -60 °С

до Г„ = 125°С

КТ803А.........от -40 "С

до Гк=100°С

1 При температуре перехода от 100 до 150 °С напряжение снижается линейно на 10% на каждые 10 "С. Температура перехода рассчитывается по формуле Тп - Тн + Rt н, кР.

2 При температуре корпуса el-je 50 "С Ртах [Вт] =60- (Г,,-


ктаозй

К,-ЮР

о 2 4 6 3. I.fl

SO *0 30

Z г803л, К г803/1

гт воз/1, ктваз/г

f = 10 МГц

10 15

1 Z 3



0,1f

ZT803fl,

ктбаз/1

\ Выкл

--MB

Z J

500 Ш 300

zoo wo

ZT803/1, КГ803/1

5000

toao

3000

2000 1000

ZT803fl, ктваз/}

0 O.S 1,0 1.5 Z.O Щ,8

л max

50 tO 30 20 W

27803/1, КТВ03Д

>

20 fO 60 BO 100 T°C

0 10 20 30 to irB

BO 50 fO 30 20

2Т803Л, КТйДЗв

RS " 100 Ом

to 60 во 100 1Z0 T„;c

27803/i, КГ803Л

7„-150C

>

10° W sa8aio%3,B

Пайка выводов транзисторов должна производиться при температуре не выше 275 °С в течение не более 3 с на расстоянии не менее 6 (2Т80ЭА) и 5 мм (КТ803А) от корпуса транзистора.

Не допускается работа транзистора в инверсном режиме.



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 [17] 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183


0.0138