Главная Мощные приборы




гтсв1зл,гтсб1зв

BTce/J/f-ArCB/Jr

40 60 во /00 Т, "С 20 40 60 80 J00 Т, »с

Пайку выводов разрешается производить на расстоянии ие менее 3 мм от корпуса матрицы. Температура пайки ие более 250 °С. Вре-мя пайкн ие более 5 с. Изгиб выводов допускается иа расстоянии не менее 3 мм от корпуса матрицы с радиусом закругления не менее 1,5 мм.

КТС631А-КТС631Г

Транзисторные сборки, состоящие из четырех электрически изолированных кремниевых эпитаксиально-плаиарных п-р-п универсальных сверхвысокочастотиых транзисторов. Предназначены для применения в дифференциальных усилительных, быстродействующих импульсных устройствах, различных каскадах вычислительных машин и другой радиоэлектронной аппаратуры.

Корпус металлостеклянный с жесткими выводами. Масса сборки пе более 4 г


18.5

,\\J.5Z

гМЗ-волпекпг ls.8iz-fy3a 8,1,10,14-3 питтед, % 11 - сшоднш 15-ворпуе



ялетрическве иараметры

Параметр

Значение

Режим измерения

гпаничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ,

КТС631А, КТС631Б

КТС631В, КТС631Г Постоянная времени цепи об-оатной связи (/=5 МГц), ис Цапряженне насыщения коллектор - эмигтер. В:

КТС631А. КТС631Г

КТС631Б. КТС631В Напряжение насыщения база - «инттер. В:

КТС631А. КТС631Г

КТС631Б, КТС631В

Время рассасывания, ис;

КТС631А. КТС631Б

KTC63IB. КТС631Г Статический коэффициент передачи в схеме ОЭ:

КТС631А. КТС631Г

КТС631Б. КТС631В Обратный ток коллектора, мА:

7-=-45 -f 25 °С КТС631А КТС631Б KTC631B КТС631Г Г=85С КТС631А КТС631Б КТС631В КТС631Г Обратный ток эмиттера, мА:

Г=45 4- -f 25 °С Г=85 °С

Емкость коллекторного перехода (/ii3M=iO МГц). пФ Емкость эмиттериого перехода (/«зм=10 МГц). пФ

КЭ нас БЭ иас

рас КБО

350 200

0,3 0,21»

О,9» 0,8*

7,5» 20»

20 20

1,2 1,2

115»

0.2 0,05 О, 05 0.2

1,0 0.5 0.5 1,0

0.1 0,5 15

(30) (30) 60) 60)

(20) (20) (10) (10)

(10)

450 100

450 100

300 150

(45) (10)

(45) (10)

(15)

Предельные эксплуатацнонные данные

Постоянное напряжение коллектор - эмнттер (/?вэ = 0):

7"=-5-T--f70°C КТС631А, КТС631Б .

КТС631В, КТС631Г .

7=85 °С КТС631А, КТС631Б .

КТС631В, КТС631Г .

30 В 60 В 24 В 50 В



Постоянное напряжение коллектор - база: Т= 45-г+70-С КТС631А, КТС631Б .

КТС631В, КТС631Г .

Г=85°С КТС631А, КТС631Б

КТС631В, КТС631Г .

Постоянное напряжение эмиттер - база .

Постоянный ток коллектора: , •- КТС631А, КТС631Г . . V : .! •

КТС631Б, КТС631В . . 4 , j" .

Импульсный ток коллектора (Тя<10 мкс, <?50):

КТС631А, КТС631Г

КТС631Б, КТС631В.....

Постоянная рассеиваемая мощность зисторной матрицы:

Т = 45ч-+55°С ....

Г=85°С......

траи-

Импульсная рассеиваемая мощность транзисторной матрицы (ТиЮ мкс, Q50 r = -45-4--f55C)......

Т=-85°С КТС631А, КТС631Г . .

КТС631Б, КТСБ31В . .

Температура перехода ......

Температура окружающей среды

30 В г 60 в -•.

24 в

/ 50 в 4 В

1 А, 0,3 А -

1,3 А 0,5 А

1 Вт 0,5 Вт

4 Вт 1,5 Вт 0,9 Вт 120 "С -45 °С -4- +85 °С

го m

tlTCSJW-/ITCSllr

Постоянная рассенваемая мощность коллектора одной структуры

транзисторной 7- = -45-+55С

КТС631А, КТС631Г . 0,7 Вт

КТС631Б, КТС631В . 0,3 Вт 7 = 85°С

КТС631А, КТС631Г . 0,2 Вт КТС631Б, КТС631В . 0,15 Вт 2 Импульсная рассеиваемая мощность коллектора одной транзисторной структуры при Г=45-4- +55 °С КТС631А, КТС631Г . 2,1 Вт КТС631Б, КТС631В . 0.9 Вт Г = 85 °С КТС631А. КТС631Г . 0,6 Вт КТС631Б, КТС631В . 0,45 Вт При температуре окружающей среды от 55 °С до 85С мощность снижается линейно.

Р,г 0,-1 о,в 0,8 Vjg,e



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 [173] 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183


0.068