Главная Мощные приборы




0,t 0,i

0,2. 0,1

HTCS31S, КТСБ31В S 0,45мЛ

1bis Mfl

0,1 O.Z 0,3 o.h Ik, Я

a 0,1 0,2 0,3 0,4 iff,fl

tрас,НС 60


О 0,1 0,4 0,6 0,6 1к,Л ° 50 100 150 200 Ц,мй

р-п-р

1ТС609А-1ТС609В, ГТС609А-ГТС609В

Транзисторные матрицы, состоящие из четырех электрически изолированных германиевых сплавно-Яиффузиониых р-п-р переключающих сверхвысокочастотных транзисторов, Предназначены для при-меиения в переключающих схемах.

Корпус металлостеклянный с гибкими вывода-Ми. Масса матрицы не более 4 Г.




Параметр

Буквенное обозиаче-яяе

Значеипе

Режим измерения

Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ*, МГц

Граничное напряжеине, В

Напряжение насыщения коллектор - эмиттер, В:

JTC609A. ГТС609А 1ТС609Б. ITC609B, ГТС609Б, ГТС609В Напряжение насыщения база - эмнттер, В:

ITC609A, ГТС609А

1ТС609Б, 1ТС609В.

ГТС609Б. ГТС609В Статический козффк-циеит передачи тока в схеме ОЭ:

Г=20 "С

1ТС609А

1TQ609B

1ТС609В

1ТС609А

1ТС609Б

1ТС609В

1ТС609А - 1ТС609В

ГТС609А

ГТС609Б

ГТС609В

Г= 60 С и

+ 70 °С

1ТС609А-1ТС609В 7= 40С и

+ео °С

ГТС609А - ГТС609В

Время включения, мкс:

1ТС609А, ГТС609А 1ТС609Б. 1ТС609В ГТС609Б, ГТС609В

Время рассасывания,

Мкс:

ITC609A. ГТС609А 1ТС609Б. 1ТСе09В ГТС609Б, ГТС609В Емкость коллекторного перехода (/= =5 МГц), пФ Емкость эмнттерного перехода (/=5 МГц), пф

КЭО гр КЭ нас

«21Э

•рас

0,24* 0,24*

0,34* 0,34*

33 53 40 33*

80 15 30 50 80

0,5Л21э

Г=20°С

0.021* 0.021*

0.122* 0,122*

0,74* 0,74*

0.57* 0,57*

0.048 0.048»

0,438» 0,438»

19,8» 111.6»

54»

1.6 1.6

1 . 1 1,1

100 160 120

100 160 240

7=20С

0,1 0. 1

0,7 0.7

60 250

(3) (3) (3) (3) (5) (3) (3) (3)

(10)

0.5 0,5

0,5 0,5

0.5 0,5

0,5 0,5



Значеине

Режим намерения

§

Буквенное

Параметр

обозначение

« к

«>

о са

<

о с к

го и:

<

Обратный ток коллектора. мкА:

Т=20 °С

8.3*

ITC609A - 1ТС609В

(30)

ГТС609А - ГТС609В Г=-60 °С

(30)

(30)

1ТС609А - 1ТС609В

Г=60 °С

(30)

ГТС609А - ГТС609В

Г=70 "С

(30)

1ТС609А - 1ТС609В

Обратный ток эмит-

тера. мкА: Г=20 °С

1ТС609А - ITC609B

1. 1*

2.9«

100 200

2,5 2,5

ГТС609А - ГТС609В

7-= 60 °С 1ТС609А - ITC609B

Г=60 °С

ГТС609А - ГТС609В

1000

Г = 70 °С

1ТС609А - 1ТС609В

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор - эмиттер (Сэв =0,5-0,7 В)..... 50 В

Постоянное напряжение коллектор - база 50 В

Постоянное напряжение эмиттер - база 2,5 В

Импульсное напряжение эмнттер - база

(ти<10 мкс. Q2)i...... 3 В

Импульсный ток коллектора (ти<10 мкс,

Q>2)2.......... 0,7 А

Импульсный ток базы (ти<10 мкс,

Q2)2.......... 0,1 А

Постоянная рассеиваемая мощность всех структур матрицы (Г<43°С) ... 500 мВт Импульсная рассеиваемая мощность одного транзистора матрицы (тиЮ мкс) . . 5 Вт

Тепловое сопротивление переход - среда . 0,084 "С/лВт

Температура перехода...... 85 °С

Температура окружающей среды:

1ТС609А-1ТС609В...... -60--f 70"С

ГТС609А - ГТС609В...... -40 4- -f 60 "С

Сумма постоянного и импульсного напряжений эмиттер - база ие должна превыщать 3 В.

Значение тока для одного элемента матрицы при условии Непревышения мощности, рассеиваемой матрицей.

Прн Г>43°С Ртах [мВт]= (86-Г) ?т п, с



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 [174] 175 176 177 178 179 180 181 182 183


0.0098