Главная Мощные приборы



Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор - эмиттер (/?бэ10 Ом или Res-l кОм, запирающее напряжение эмиттер - база 0,5 В) . ЮО В Импульсное напряжение коллектор-эмиттер ........... 120 В

Постоянное напряжение коллектор - база 4 в

Постоянный ток коллектора .... 0,5 А Импульсный ток коллектора (ти<1 мс,

скважность не менее 2)...... 1,5 А

Постоянный ток базы...... 0,2 А

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Т = -40-4--Ь70°С) .... 10 Вт Тепловое сопротивление переход - корпус 8 °С/Вт Предельная температура перехода . . . 150 "С Температура окружающей среды . . . -40-f--f85°C

При температуре окружающей Як max [Вт]=(150-Г/Рт п, к.

среды выше 70 °С

20 О

к г807/1, НТ807е, К те 07 ДМ, КТ807БМ

Г= 85С

25°С

-tac

O.t 0,5 0,6 0,7 0,8 Ug,,B

"213

120 100 80 60 tO

20 0

XT 807/3, K7601B,

KTem/iM,

ПТ807БМ

V-SB, l„-0.5/1

213 BO

0,5 0,t 0,3 0,2 0,1

КГ807Л, КТв07 6, КТд07ЛМ, \.ГВ07бМ

« = SB

0,2 0,4 0,6 0,8 ...В

-hO -20 О 20 ио

-40 -го

КГ807Я ,ктва7б,

КТВтЯМ, КТв075М

0,5/1, Iff "0,1 в

о 20 40



Расстояние от корпуса транзистора до начала изгиба н панки пы-це менее 5 мм. Радиус изгиба 1,5-2 мм. Пайка выводов долж-"пронзводиться при температуре не выше 250 °С в Teneinic не более 3 с.

2Т808А, КТ808А

Транзисторы кремниевые мезапланарные п-р-п переключательные. Поедназначены для применения в ключевых устройствах, генерато-пах строчной развертки, электронных регуляторах напряжения.

Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими выводами. Масса транзистора без накидного фланца не более 22 г, масса накидного фланца не более 12 г.


Электрические параметры

Значение

жнм измерения

Буквенное

о в:

<

Параметр

обозна-

чение

<

а: ге е

:з m

",4

Напряжеипе насыщепля база - эмиттер, В .татическнй коэффици-

БЭ „ас

1.4*

ент передачи тока в схе-

ме ОЭ: 7=25 °С ?;-!25°С 2T808A Г- 100 С КТ808А

1 50

=-60 °С

neS" коэффициента передачи тока на высо-Сыя"°= -30,5 МГц) 1/~ рассасывания

Мкс Бгр.нас

121э1

(0,5)

коллектора МГц), пФ

15 I 0



Окончание

Значение

Режим HSMepenii

Параметр

Буквенное обозначение

с; «

<

Обратный ток коллек-

тор - эмиттер (/?63 = = 10 Ом), мА:

r=-f25 и -GO°C

2Т808А

(200)

КТ808А

(120)

Г=125°С 2Т808А

(160)

Г=!00°С КТ808А

(120)

Обратный ток эмиттера.

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор - эмиттер (Лбэ= 10 Ом, Гп до 100 °С) ... 120В Импульсное напряжение коллектор - эмиттер (Рбэ=10 Ом или (/бэ =2 В, Ти< <500 мкс, Q6, Тп до 100°С) ... 250 В Постоянное напряжение эмиттер - база . 4 В Постоянный ток коллектора .... 10 А

Постоянный ток базы...... 4 А

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Т„ = -60-f--1-50°С);

с теплоотводом....... 50 Вт

без теплоотвода....... 5 Вт

Тепловое сопротивление переход - корпус 2 °С/Вт

Температура перехода...... 150 °С

Температура окружающей среды: от -60 °С до

2Т808А.......... Гк=125°С

КТ808А......... от -60° С до

Тн = 100 °С

Постоянное и импульсное напряжение коллектор - эмиттер при температуре перехода от 100 до 150°С снижается линейно на 10% на каждые 10 °С. Температура перехода рассчитывается по формуле Тп = Тк -\- Rt п, к

Механические усилия на выводы транзисторов не должны превышать 19,62 И (2 кгс) в осевом и 3,43 И (350 г) в перпендикулярном направлениях к оси вывода.

Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 6 мм от корпуса транзистора.



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 [19] 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183


0.0119