Главная Мощные приборы



2 Г808/1, к Т808/1

п,г 0,i 0,6 Ugj,e



2 7ЗОВЯ,

1 та OS Я

18 6Л

60 -20 20 60

ZT808K, К Т808 Л

1-6/1

21 ват,

л Т80ВЙ

>

Т„ = tiOC

~[fta постаRtHOft m

при * бООмпс, - ЗСмкс, Q > 1

1-I-T~

(/„•гот 9

\

a,t 0,8 1,2

Он,.8




-so -20 га 60

гооо

1600

2Т808Я, кг вое/1

О т г 3

2Т809А, КТ809А

Транзисторы кремниевые мезапланарные п-р-п переключательные Предназначены для работы в ключевых и импульсных устройствах.

Корпус металлический со стеклянными пзоляторамн н л<есткимн выводами. Масса транзистора без накидного фланца не более 22 г. Масса накидного фланца не более 12 г.


В импульсных режимах работы допускаются перегрузки по мощности рассеивания до 300 Вт в момент переключения. При этом длительность перегрузки должна быть не более 0,5 мкс, частота перегрузки не более 5 кГц, температура корпуса не выше 90 °С.

В импульсных режимах допускается обратное напряжение бэ до 8 В. При этом ток через переход база - эмиттер не должен превышать 1 А, скважность должна быть не менее 2, частота не менее 30 кГц. Допускается использование транзистора с импульсным током до 7 А при скважности не менее 2, Мгновенная мощность при переключении не должна превышать 100 Вт в течение не более 5 мкс " скважности не менее 1С.

Механические усилия на выводы транзисторов не должны превышать 19,62 И (2 кгс) в осевом и 3,43 И (350 г) в перпендикулярном направлениях к оси вывода.

Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 6 мм от корпуса транзистора.



Значение

Режим измерения

о> 0 X

Буквенное

Параметр

обозначение

о са о

<

<

= а S

га S

напряжение насыщения „ппектор - эмнттер, В "напряжение насыщения Ляза - эмиттер, В Катический коэффициент передачи тока в схе-

КЭнас БЭ нас

0,22* I ,03*

0, 6* 1 ,3*

0,4 0,4

21Э вкл

Время включения*, мкс

15 15 1 0 0,2

60* 50* 15« 0,26

1 00 130 1 00 0,3

Время спада», мкс

0,25

Время рассасывания.

Модуль коэффициента

передачи тока на высокой частоте (f=3 МГц)

1 ,7

Емкость коллекторного

перехода* (/=1 МГц), пФ

Обратный ток коллек-

гср - эмнттер (R бэ =

= 10 Ом), мА:

Тх =+25 и -60°С

Гк=!25 °С

Обратный ток эмиттера.

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор - эмнттер (i?63=10 Ом)....... 400 В

Постоянное напряжение база-эмиттер . 4 В

Постоянный ток коллектора .... ЗА Импульсный ток коллектора (тн400 мкс,

Q>10).......... 5 А

Постоянный ток базы...... 1,5 А

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора 2 (Г„ = 60+50°С) .... 40 Вт

Температура перехода...... 150 "С

Температура корпуса....... 125 "С

Тепловое сопротивление переход - корпус 2,5°С/Вт

Температура окружающей среды ... от -60°С до 7-„=125*С

При температуре перехода от 100 до 150 °С (/кэ mar снижается линейно на 10% иа каждые 10 °С.

~ При температуре корпуса выше 50°С Рк шах [Вт] = (Гп - Г~ ")/т п, к, где п, к - тепловое сопротивление переход - кор-Ус, определяемое из области максимальных режимов.



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 [20] 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183


0.0128