Главная Мощные приборы



Импульсное напряжение коллектор - эмиттере закрытого транзистора (Лбэ=10 Ом, t„500 мкс, ТфО.З мкс, Q2):

Г„ = -40-f-+85°С 2Т812А, 2Т812Б . . 350 В

Постоянное напряжение эмиттер - база:

2Т812А, 2Т812Б....... 6 В

КТ812А - КТ812В...... 7 В

Постоянный ток коллектора:

2Т812А, 2Т812Б....... 10 А

КТ812А -КТ812В...... 8 А

Импульсный ток коллектора: 2Т812А, 2Т812Б т„<20 мкс, 10 . . 17 А

т„<20 мкс, Q2........ 12 А

КТ812А -КТ812В т„<1 мс, QlO или

т„<50 мкс, Q2....... 12 А

Постоянный ток базы:

2Т812А, 2Т812Б....... 4 А

КТ812А - КТ812В...... ЗА

Импульсный ток базы: 2Т812А, 2Т812Б т„<20 мкс, 10 . . 7 А

т„20 мкс, Q2....... 5 А

КТ812А -КТ812В т„<1 мс, QIO или

т„<50 мкс, Q2....... 4 А

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора :

2Т812А, 2Т812Б (Тк = -60 4--f 50 "С),

КТ812А -КТ812В (Гк =-45-4-50 °С) 50 Вт

Температура перехода...... 150 °С

Температура окружающей среды;

2Т812А. 2Т812Б.......от-60 "С

до Тк=125°С

КТ812А-КТ812В......от-45 °С до

Т„ = 85 °С

При понижении температуры корпуса от -40 до -60°С и при повыщении от 85 до 100 °С (/g. и max линейно снижается до 500 для 2Т812А н до 400 В для 2Т812Б; при повышении температуры корпуса от 100 до 125 °С СкЭ и max линейно снижается до 400 для 2Т812А и до 300 В для 2Т812Б.

е При коротком фронте при понижении температуры корпуса от -40 до -60°С и при повышении температуры от 85 до 125 °С линейно снижается до 300 В.

При повышении температуры корпуса выше 50 °С Як max снижается в соответствии с формулой Як max [Вт] = (7п - Тк)/ктп,к

(Rt п, к - определяется из области максимальных режимов).

При применении транзисторов в каскадах строчной развертки телевизоров допускается эксплуатация их с коэффициентом загрузки, равным единице по UyQj и /к; при этом температура корпуса не должна превышать 100 "С.

Минимальное расстояние места пайки выводов от корпуса 5 м.м; температура панки не выше 250 °С в течение 3 с.



2T8lZ/f, ZTStZd,

KTeizB

"ги 30

O.f 0,8 7,2 1.6 lf„„B

75 60 45 dO

гтвпд ,ZT8iZE, кт8пя-ктв1гв

>

3 5 3 1,Я

fzta

35 30 25 20 15 10

ZTBIZfl, 2 7812 B, КТ8ПЯ-КТ81г8

--18,1к = вЯ

-60 -20 20 60 Tff.C

300 250 200 150 100 SO

гт81гл,

2 78126,

ктвггл-

KT8IZB

a hO 80 120

С„пЧ> 2600

2600

Zt О a

2200

2000

1800 1600

2Т812Й, 2 ТШб, К781гЯ-KT8IZB


10 /к,Л



2 те 12/1, ZT812B,

ктвШ-

КТвПву>

о г t 6 i,fl

16 /

zrei

KT8I

гЯ, 2T812B,

гя-кт812в

0.5 О

zretzfl,

278126, КТ812Й-К 7 8128

а,5 1 1,5

-7„-25

Т„150С

~/1а постоянном тоне

278)гА,КТ8ПД, 278125, К 78125

>

&

1111 1 III

10 10 и„з,в

КТ815А-КТ815Г

Транзисторы кремниевые меза-эпнтаксиально-планарные п-р-п универсальные. Предназначены для работы в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных устройствах.

Корпус пластмассовый с жесткими выводами. Масса транзистора не более 1 г.

0,5-s

13,5

ФЗ,0Р



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 [22] 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183


0.0133