Главная Мощные приборы



КТ821А-1-КТ821В-1

Тоанзисторы кремниевые меза-эпитаксиально-планарные п-р-п усильные. Предназначены для применения в усилителях низкой ча-"оты операционных и диффе-1„ииальных усилителях, пре-Р" зователях и импульсных "гтройствах герметизироваи-U аппаратуры.

Оформление бескорпусное, гибкими выводами, с защитным покрытием. Каждый тран-нстор упаковывается в ннди-„идуальную тару. Масса тран-1торг не более 0,02 г.


Электрические параметры

Параметр

Буквенное обозначение

Значение

Режим измерения

0>

о л а п

то S = о а: то

turn

<

<

КЭО гр

0,05

(КЭ нас

0, I 8*

0,05

(БЭ нас

1 , 2

0,05

(0,15)

(0,15)

(0,5)

(0.5)

(0,5)

(0,001-0,2)

Кг =

2)Этах

21Эт1п

(0,03)

Ч 1Э

0,005

,0

[0,5]

(40)

Граничное напряжение (Ти$300 мкс. Q> 100), Б:

KT82IA-I

КТ821Б-1

KT821B-I Напряжение насыщения

коллектор - эмнттер, В Напряжение насыщения база - эмнттер, В Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭг

КТ821А.!, КТ821Б-1

KT821B-I

KT82IA-I

КТ821Б-1

KT82IB-! ""Очение статических коэффициентов передачи тока в схеме ОЭ при большом 213 max" малом Л 2!Эп11п значениях тока коллектора

Граничная частота коэффн-передачи тока в схеме ОЭ, МГц

гп="° сопротивление ранзистора в режиме мало-Ем„п™-"* =-0-8 кГц), Ом Коля. "оллекторного пере-Емко. ""65 «Гц), пФ Joaa. (f l""-f"P"°-o пере-

Обратнь, "*

МКА коллектора.



Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор - эмиттер:

/?бэ<100 Ом КТ821А-1.....

КТ821Б-1.....

КТ821В-1.....

/б=ОА КТ821А-1.....

КТ821Б-1.....

КТ821В-1.....

Постоянное напряжение база - эмиттер Постоянный ток коллектора . . . . Импульсный ток коллектора (ТцЮ мс,

QlOO).........

Постоянный ток базы......

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора в составе гибридной схемы (Т = = -40-f--f25°C) .... . .

Температура перехода .......

Тепловое сопротивление переход- .<ристалл Температура окружающей среды

50 В 70 В 100 В 40 В 60 В 80 В 5 В 0,5 А

1,5 А 0,3 А

10 Вт 125 °С 10°С/Вт -40 °С н- -1-85 °С

Допускается J к тах = 1 А при условии непревышения мощности.

2 При 7 = 25-85 °С в составе гибридной схемы /ьта\ = = (12.=1-Г)/10.

Допускается пайка выводов на расстоянии не менее 3 мм от защитного покрытия.

0,15

0,1 0,05 О

НТ821Я-1-KT82IB-1

ОдЭнас

83ка.с

ln.Mfl

1,0 0,9 0,8 0,1 0.6



1--

HT8iie-l 1

0 0,1 0,t 0,6 Ugj,B

KT823A-1 -KT823B-1

Транзисторы кремниевые меза-эпитакснальио-планариые п-р-п усилительные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях и импульсных устройствах.

Оформление бескорпусное, с гибкими выводами, с защитным покрытием. Каждый транзистор упаковывается в индивидуальную тару. Масса транзистора не более 0,03 г.



Электрические параметры

Параметр

Буквенное обозиа ченне

Значение

Граничное напряжение Пи<300 мкс. Q>100), В: КТ823А-1 КТ823Б-1 KT823B-1 Напряжение

коллектор эмиттер, В "апряженне насыщеиня

эмнттер, в

насыщения щеиня ба-

КЭ нас БЭ нас

45 60 80

0.15*

О, 8*

О, 2* 0,9*

0,6 1,5

Режим измерения

<

та S

(0,1)



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 [26] 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183


0.014