Главная Мощные приборы



Окончание

Значение

Режим измереин;

Буквенное

Параметр

обозначение

«

<и о са

§

Ь (О

я е-

са £

s

Статический коэффициент

нередачк тока в схеме ОЭ

Гк = 25 °С

Гь = 85 °С

Гк = -40 °С

Отношение статических ко-

1 .6

0,001-1

эффициентов передачи тока

21Этах

в схеме ОЭ при большом

21Эгпах" 21Эт1п значениях тока коллектора

2 1Эгаах

0,05

Граничная частота коэффи-

циента передачи тока в схе-

ме ОЭ. МГц

Входное сопротивление

Ч 1э

1500

(0,03)

транзистора в режиме мало-

го сигнала (f=-0,8 кГц). Ом

Емкость коллекторного пере-

(10)

хода (/= 1 МГц), нФ

Емкость эмиттерного перехо-

1 15*

1 30

да 0 = 1 МГц). пФ

Обратный ток коллектора,

7- = 25 С

(45)

Г = 85 С

(40)

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор - эмиттер

R6ssi \ кОм КТ823А-1 . .

КТ823Б-1 . .

КТ823В-1 . . /б =0 А КТ823А-1 . .

КТ823Б-1

КТ823В-1

Постоянное напряжение эмнттер - база Постоянный ток коллектора Имп>льсный ток коллектора (t„10 мс, QSlOO) . . ...

Постоянный ток базы Постоянная рассеиваемая мощность коллек тора 2 (7- = 40ч- + 25°С) Температура перехода Тепловое сопротивление переход- кристалл Температура окр)жающей среды

45 В 60 В 100 В 45 В

60 В 80 В

0,5 А

20 Вт

125 °С 5°С/Вт -40 °С -f- -f85°C

Допускается /„ max = 3 А при условии непревышения мощности

При 7" = 25 -85°С в составе гибридной схемы Рктах--==(125-Т„)/5.




KT82J/I-1-КТв23В Г

Опь28

10 •

Wij./i


10 I„,/l

2Т826А-2Т826В, КТ826А-КТ826В

Транзисторы кремниевые мезапланарные п-р-п переключательные. Предназначены для работы в преобрзовате тях постоянного напряжения, высоковольтных стабилизаторах, ключевых устройствах

Корпус металлический со стеклянными изоляторами н жесткими выводами Масса транзистора не более 17 г.

/г;J


Место

Маркарпбка

Пайка выводов допускается на расстоянии ие менее 5 мм от корпуса транзистора.



Значение

Буквенное

Параметр

обозна-

чение

и а:

Режим измерения

IS £2

Граничное напряжение (/.= = 40 мГи), В;

2Т826А. 2Т826В, КТ82ЬЛ.

KT82GB

2Т826Б, КТ826В Напряжение насыщения коллектор - эмнттер, В Наприжсние насыщения база - эмиттер, В Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ:

Гк = 25°С

Гк=125 "С

2Т826А - 2Т826В

Гк=100 С

КТ826А - KT82GB

Гк = -60°С Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте (/=! МГц)

Время спада, мкс:

2Т826А, КТ826А

2T82GB. КТ826Б Емкость коллекторного перехода (1=\ МГц), пФ Емкость эмиттерного перехода (f-l МГц). пФ Обратный ток коллектор - эмиттер (Кбэ=10 Ом), мА:

Гк = 25 -С

Гк=125 °С

2Т826А - 2Т826В

Гк-100°С КТ826А-КТ826В

Гк= -60 "С Обратный ток эмиттера. мА

КЭнас БЭ „ас 2 1Э

12 1

500 600

300 120

,5 0,7

25»

(100)

300 300 500

о, 5 0,5 0.1

О, 1

0,2 0,2

/Б1 = 0,2 Л, /Б2 = 0,5 Л

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор - эмиттер («бэ<10 Ом, Тк=-60-h-+75°С) . Импульсное напряжение коллектор-эмнттер (Лбэй£10 Ом, т,1<20 мс, Q50, Тф 5? 0,2 мкс, скорость нарастания фронта не более 3,5 В/нс, Т„ = -60-f-75 °С) . . Импульсное напряжение коллектор-эмиттер (?бэ<10 Ом, Тн<20 мкс, Тф1,5 мкс, скорость нарастания фронта не более 0,66 В/нс, Т„ = 25°С)......

700 В

700 В

1000 В



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 [27] 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183


0.0163