Главная Мощные приборы



Значение

Режим .ii;;;;;;

Буквенное

Параметр

обозна-

с; та S S

чение

о с О

<;

t. s

а: i

--

Граничное напряжение. В;

КЭО гр

140*

2Т827А. КТ827А

1 00

1 10*

2Т827Б. КТ827Б

100*

2Т827В. КТ827В

Напряжение насыщения

КЭ „ас

1.45* 2,4*

коллектор - эмнттер, В

1 * 1 ,8*

з"*

10 20

40 200

Напряжение насыщения ба-

за - эмиттер. В

БЭнас

2.6*

Статический коэффициент

нерсдачн тока в схеме ОЭ:

18000

7"к=25 °С

6000*

700*

3500*

Тк = Тн max

Г„ = -60°С

1 00

Модуль коэффициента пе-

редачи тока на высокой ча-

0, 4

стоте (/= 10 МГц)

Время включения*, мкс

Время выключения*, мкс

выкл

Время рассасывания*, мкс

Емкость коллекторного пе-

рехода*, пФ

Емкость эмиттерного перехо-

да*. нФ

Входное напряжение база -

эмиттер*. В

1 .6

Обратный ток коллектор -

КЭОгр

эмиттер {/?бэ=1 кОм). мА;

Тк = +25 и -60 °С

Тк = Тк milX

Обратный ток эмиттера. мА

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор-база:

2Т827А, КТ827А.......

2Т827Б, КТ827Б.......

2Т827В, КТ827В .... . .

Постоянное напряжение коллектор - эмиттер (Rca- 1 кОм):

2Т827А, КТ827А . .....

2Т827Б, КТ827Б . . .

2Т827В, КТ827В.......

Импульсное напряжение коллектор - эмиттер (тф0,2 мкс):

2Т827Л, КТ827А.......

2Т827Б, КТ827Б.......

2Т827В, КТ827В Постоянное напряжение база-эмиттер Постоянный ток коллектора

100 В 80 В 60 В

100 В 80 В 60 В

100 В 80 В 60 В 5 В 20 А



40 А 0,5 А 0,8 А

рмпульсный ток коллектора ....

Постоянный ток базы......

Импульсный ток базы......

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Г„ = -60--+25°С).....

Хемпература перехода......

Температура окружающей среды:

2Т827А - 2Т827В.......от -60 °С до

7к= 125°С

КТ827А - КТ827В....... от -60 "С

до Г,, = 100 °С

125 Вт 200 °С

При Гк>25°С Як max [Вт] = (Г„-Г„)„, к, Rt...

определяется из области максимальных режимов; например „,„=1,4 "С/Вт прн =10 В./к = 12,5 А.

2S 20 IS 10 S О

2TBZ7B, ПТ82ЛЯ~

кгвгтв

\ /

0,5 1,0 1,5 2,0 Щз,д

гтагтй-гтагтв, птвпя-нт&па

--<N

Т, = 25-С

>

ЧкэЗВ

2TeZln-ZT827B,

/(твгтл-ктегтв

т„-ес,!/узв\

--r-1

0 8 11 I,fl

Зак. 225

2T821nZT8Zia,

птвпй-ктегтв

- ->

ч

Т„ - 12SC N

Ar-i

0 t в 12



3.5 3,0

J.0 0.5

гт8г7Я-ггв218,

Ктв27й-КТ8г1В

I, lie-250

БЗнас.

J/<3littC

8 12

КЗRпроб, В

ггвгтя-гтвгтв

f<T8Z7/1-HT8Z7h

----

/ 2 3 Ri,Kan

20 10

• г 00С

г га27 в.

/(78278

2 78276, K78Z76 -

2Т8г7Я, КТ827Я

-213 I 7

1/КЗ -- \

/ гомгц \

2Т827Я-27827 В\

кТа27Я--итяг7в

¥

10"

2Т828А, 2Т828Б, КТ828А, КТ828Б

Транзисторы кремниевые мезапланарные п-р-п высоковольтные импульсные. Предназначены для работы в источниках питания, высоковольтных ключевых устройствах.

Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими выводами. Масса транзистора не более 20 г.



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 [29] 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183


0.0127