Главная Мощные приборы



гост 20398.0-74

гост 20398.1-74 ГОСТ 20398.2-74 гост 20398.3-74 гост 20398.4-74

гост 20398.5-74 гост 20398.6-74 гост 20398.7-74 гост 20398.8-74 гост 20398.9-80 гост 20398.10-80 гост 20398.11-80

гост 20398.12-80 гост 20398.13-80 ост 11 336.909.1-79

ост 11 336.909.2-79

ост 11 336.909.3-79

ОСТ 11 336.916-80

ост 11 073.073-82

ГОСТ 2.117-71 ОСТ 11 аАО.336.013-73 ОСТ 11.336.907.0-79 ОСТ II 336.907.8-81

Транзисторы полевые. Методы измерения электрических параметров. Общие положения.

Транзисторы полевые. Метод измерения модуля полной проводимости прямой передачи. Транзисторы полевые. Метод измерения коэффициента шума.

Транзисторы полевые. Метод измерения крутизны характеристики. Транзисторы полевые. Метод измерения активной составляющей выходной проводимости.

Транзисторы полевые. Метод измерения входной, проходной и выходной емкостей. Транзисторы полевые. Метод измерения тока утечки затвора.

Транзисторы полевые. Метод измерения порогового напряжения и напряжения отсечки. Транзисторы полевые. Метод измерения начального тока стока.

Транзисторы полевые. Метод измерения кру. тнзны характеристики в импульсном режиме. Транзисторы полевые. Метод измерения начального тока стока в импульсном режиме. Транзисторы полевые. Метод измерения спектральной плотности шумового напряжения.

Транзисторы полевые. Метод измерения остаточного тока стока.

Хранзисторы полевые. Метод измерения сопротивления сток - исток. Транзисторы биполярные мощные высоковольтные. Методы измерения граничного напряжения.

Транзисторы биполярные мощные высоковольтные. Методы измерения временных параметров.

Транзисторы биполярные мощные высоковольтные. Методы измерения скорости нарастания обратного напряжения. Транзисторы полевые. Метод измерения выходной мощности, определения коэффициента усиления по мощности, определения коэффициента полезного действия стока. Приборы полупроводниковые и микросхемы. Методы контроля температуры полупроводниковых структур.

ЕСКД. Согласование применения покупных изделий.

Приборы полупроводниковые. Методы защиты от статического электричества. Приборы полупроводниковые. Руководство по применению. Общие положения. Транзисторы биполярные. Руководство по применению.



OCT 11 336 935-82

OCT 11 ПО 336 001 реД -7!

Транзисторы полевые. Руководство по применению

Приборы полупроводниковые бескорпусные. Руководство по применению.

J.6. Приборы для измерения параметров мощных транзисторов

Для измерения параметров транзисторов промышленность выпускает ряд измерительных приборов. Наибольшее распространение для измерения параметров мощных биполярных и полевых транзисторов получили приборы, приведенные в табл 21

Методы измерения основных электрических параметров транзисторов установлены государственными стандартами. Для наблюдения вольт-амперных характеристик транзисторов рекомендуется использовать приборы, приведенные в табл. 3.

Таблица 2

Приборы для измерения параметров мощных транзисторов

Тип.

Измеряе-

Предел

Режим измерения

ГабаритиыЯ

прибор

мый па-

измерения

размер, мм

раметр

по шкале

(масса, кг)

Л2-13 Измеритель статических параметров

М01ДКЫХ

транзисторов

Л2-28 Изчеритель емкости Р п переходов

Л2 34 Измеритель емкости полевых транзисторов

21Ъ S

КЭ „ас ЬЭ час КЭО гр КБО

3-1000 О 1-30 А/В 0,1-10 В 0.1-10 В 2-150 В

10 мкА- 100 мА

10 мкА- 100 мА

10 мкА- 300 мА

О 3-1000 пФ 0,3-1000 пФ 0,3-100 мкА

0,3-30 пФ 0.3-30 пФ 0,03-30 пФ

С/КБ = 1-20 В (при измерении кбо ДО 150 В) /К<10 А

/б<1 а

<КБ = 0.25 -99,9 В

(7ЭБ = 0.25-9,9 В

f=10 МГц (при С<3 0 пФ)

f = 0.3 МГц (при С<30 пФ)

СИ = 2-29 В С/зи1 = 1-29 В

t3H2 = l-29 В 1 =0,3- 50 мА

630 X 360 X 310 (32 кг) Выносной пульт 180X200X210 (3 кг)

495X215X36S (16 кг)

490X216X355 (16 кг)



Окончание табл. 2

Тип, прибор

Измеряемый параметр

Предел измерения по шкале

Режим измерения

Габаритный размер, мм (масса, кг)

Л2-42 Измеритель статических параметров

мощных транзисторов

Л2-46 Измеритель папаметров мощных "1левых транзисторов

Л2-57 Измеритель статических параметров

мощных транзисторов

Л2-58 Измеритель параметров высоковольтных транзисторов

21Э КЭнас бэ нас КБО ЭБО

ЗИ пор ЗИ отс СИ отк С, и

2 1Э КЭ нас БЭ нас ЭБО КБО

КЭО гр КБО

5-500 0,1-10 В 0,1-10 В 1 мкА-30 мА I икА-30 мА I мкА-30 мА

0,01-30 А/В

0,01-3 А/В

0,3-200 мА

0,3 10-=-10-5 А

0,3-30 В

0,3-30 В

3-1000 Ом

0,1-30 А

5-2000 0,05-10 В 0,05-10 В 10-S-10- А 10--10-" А 10-» 10-1 А

100-2000 В lO-s-iO-i А

С/к;в=2-50 в (при измерении КБО ДО В)

[/ЭБ=0,3- 10 В / = 0, 1 - 20 А /Б=0,0а-5 А

%Б = 0-

(/СИ=-200 В Сзи1 = 0.3-30 В (/ЗИ2 = 0,3 -30 В /С<200 мА

£/{3 = 3 - 299 В изБ = 0.3-30 В К.и = 0,1-99,9А /в, „ = 0,01-30 А

fKB,

j = 500--2000 В =0 мА~0,99 ; /б, и= 1 -300 мА

К, и

490X256X355 (21 кг) Пульт 122 122X131X200 (2 кг)

Блок измери-тельн1.[й

480X490X255 Блок режимов

360X490X175

Блок измерительный

300X230X205

Блок измерительный 488X475X 175 (20 кг) Блок режимов 488Х475Х 175

(30 кг) Блок геиера

TODOB

488X475X175

(25 кг) Устройство подключения 488X475X94 (15 кг)

480X555X 160 (30 кг)



0 1 2 [3] 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183


0.01