Главная Мощные приборы



Окончание

Параметр

т=25°С

f 45 и +100 °С Напряжение насыщения база - эмнттер В Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте (f=! МГц) Время рассасывания, мкс

Время спада, мкс Емкость коллекторного перехода, пФ

Емкость эмиттериого перехода, пФ

Постоянное напряжение эмиттер - база, В

Обратный ток коллектор - эмиттер, мА:

Г=25 °С

Tio и + 100 °С

Значеине

Режим

измерен ня

Буквенное обозначение

го S

4) О я

я S а:

<

<

£

IS CO

кэ нас

БЭ нас

1 ,5

1 0"

0,7*

1 70*

(10)

2200*

0,01

1500 1 1 00

Предельные эксплуатационные данные

Импульсное напряжение коллектор - эмит тер (Лбэ<10 Ом, Ти20 мкс, Тф2мкс,

Г„ = -45 -f 75°С . .

Тк=100С . . . Постоянный ток коллектора Импульсный ток коллектора Постоянный ток базы Импульсный ток базы Постоянная рассеиваемая мощность лектора 2 (Г„ = -45-f--f 95 °С) Импульсная рассеиваемая мощность кол лектора (Ти<4,5 мкс, Q14, Т„ = =-45- +95 °С):

1500 В 1100 В 5 А 7,5 А 0,1 А 3,5 А

12,5 Вт

(/кэ =200 В.....

{КЭ =300 В.....

(КЭ =400 В.....

tK3 =600 В.....

Температура перехода Температура окружающей среды

250 Вт 200 Вт 150 Вт 120 Вт 70 Вт 115 "С . от -45 °С до 7к=100 "С

снижается линейно.

При Тк от 75 до 100-С t/SR и п

При Тк от 95 до 100°С P„mai [Вт] = (Т„ - Г„) ?г п, к. где

т п, „ - тепловое сопротивление, определяемое из области "ильных режимов.

макси-



0,5 О

ктвзвя 1

"213 Zt

0,2 0,t 0,6 0,8 Ugj,B

/1ТВЗВД

Ik4,521

Jk3 нас

163 нас I

20 16 12 8 >

xt838/7

--SB

Z * 6

1Ю.и5 2200

1 2 J Ig,/?

2000 1800 1600 1400

1000

кT838 я

/ 10 70 10

к r838я

T„-Z5C

"t(3



2Т839А

Транзистор кремниевый мезапланарный п-р-п импульсный. Предна-ачен для работы в высоковольтных ключевых устройствах и вто-пнчных источниках питания.

Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими выводами. Масса транзистора не более 20 г. J3,2


2ат8<р,.1

Электрические параметры


Параметр

Буквенное обоэна ченне

Значение

« s

о с:

:::) и

:::)

Режим измерения

<

Граничное напряжение (i = 40 мГн, /к; „а(;= -300 мА), В

Напряжение иасыщеиня коллектор - эмнттер, В Напряжение насыщения база - эмиттер, В Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ:

Гк=2о °С ,/" = -60 и -fl00°C Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте (/=1 МГц) иремя рассасывания.

Время спада, мкс емкость коллекторного перехода, пФ

be"v1°„"" 1"иттерного перехода, пФ

Ра МА-"" ?:-25С

Л1-- " +100 "С

;»Ратный ток эмиттера.

КЭО гр КЭ нас БЭ нас

•21Э

21э1 рас

КБО ЭБО

240» 4000*

1 ,5 1,5

10* 1,5*

10 10

20 500 500

(10)

(1500) (1100)

0,3 4,5 1,5

1,8 ,8



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 [36] 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183


0.0111