Главная Мощные приборы



Таблица исторов

Ре/кчм по посю

Режим ступеичттого

Гаоарнтпый

ян1 ому току

сигнала

размер, мм

(масса, кг)

nii\r-

и=0~ 20 В

По току

643 X 334 X 423

(при / = 1-10 А) (7= 0 -200 В (прп /<1 А)

1-500 мкА/ступень, 1-200 м А/ступень (всего 17 фикснрованныл значений)

По напряжению 0 01-0,2 В/ступень (всего 5 фиксированных значении)

Число ступеней 4-12

(40 кг)

Л2 56 (ПНХТ-2)

(7=0 - 16 В

По току

490 X 294 X 560

(при /1 0 А)

50 нЛ/ст>пеиь. 20 мЛ/сту

(40 кг)

(7 = 0 - 80 В {при / = 0,4 -2 А) t/ = 0 -4 00 В (при /= 0,4 - -0,08 А)

пень (всего 21 фиксированное значение)

По напряжению 0 05-2 В/ступень (всего 6 фиксированных значении)

t/= 0 -2000 В

Число ступеней 1 -10

(при / 0.08 А)

Раздел второй

ОСОБЕННОСТИ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ ТРАНЗИСТОРОВ В РАДИОЭЛЕКТРОННОЙ АППАРАТУРЕ

При разработке, 113готовлении и эксплуатации полупроводниковых приборов следует принимать во внимание их специфические особенности Высокая надежность радиоэлектронной аппаратуры может быть обеспечена только при учете таких факторов, как разброс параметров транзисторов, температурная нестабильность и зависимость нх параметров от режима работы, а так/кс изменение параметров транзисторов в процессе эксплуатации.

Транзисторы, приведенные в справочнике, являются транзисторами общего применения. Они сохраняют свои параметры в установленных пределах в условиях эксплуатации и хранения, характерных для различных видов и классов аппаратуры. Условия эксплуатации аппаратуры могут изменяться в широких пределах. Эти условия характеризуются внешними механическими (вибрационными, ударными, центробежными нагрузками) и климатическими воздействиями (температурными, атмосферными и др )

Общие требования, справедливые для всех транзисторов, предназначенных для нспо1ьзоваиия в аппаратуре определенного класса, содержатся в общих технических условиях Нормы на значения электрических параметров и специфические требования, относящиеся к Конкретному типу транзистора, содержатся в частных технических условиях

Под воздействием различных факторов окружающей среды некоторые параметры, характеристики и свойства траизисторов могут изменяться.



Для герметичной защиты транзисторных структур от внешних воздействий служат корпуса приборов Конструктивное оформление транзисторов рассчитано на их использование в составе аппаратуры при любых допустимых условиях эксплуатации Необходимо помнить что корпуса транзисторов в конечном счете имеют ограничение по герметичности Поэтому при испопьзовании транзисторов в аппара туре, предназначенной для эксплуатации в условиях повышенной влажности, платы с расположенными на них транзисторами рекомендуется покрывать лаком не менее чем в три слоя Рекомендуется при менять лаки ЬР 231 (ТУ 6 10 863-79) или ЭП-730 (ГОСТ 20824-75)

Все большее распространение получают так называемые бескор пусные транзисторы, предназначенные для использования в мнкросхе мах и микросборках Кристаллы таких транзисторов защищены сне цнатьным покрытием, но оно не дает дополнитеТииой защиты от воз действия окружающей среды Защита достигается общей герметнза циен всей микросхемы

Рассеиваемая мощность, а также возможность работы на СВЧ оп ределяются конструкцией транзисторов

Чтобы обеспечить долголетнюю и безотказную работу радиоэлектронной аппаратуры, конструктор обязан не только учесть характер ные особенности транзисторов на этапе разработки аппаратуры, но и обеспечить соответствующие условия ее эксплуатации и хранения

Транзисторы - приборы универсального применения Они могут быть успешно использованы не только в классе устройств, для которых они разработаны, но н во многих других устройствах Однако набор параметров и характеристик, приводимых в справочнике, со ответствует основному назначению транзистора В справочнике приводятся значения параметров транзисторов, гарантируемые ТУ дня соответствующих оптимальных или предельных режимов эксплуатации Рабочий режим транзистора в проектируемом устройстве часто отличается от того режима, для которого приводятся параметры в ТУ

Значение большинства параметров транзисторов зависит от рабочего режима и температуры, причем с увеличением температуры зависимость параметров от режима сказывается более сильно В спра вочнике, как правило, приводятся типовые (усредненные) зависимости параметров транзисторов от тока, напряжения, температуры, ча стоты и т д Эти зависимости должны использоваться при выборе типа транзистора и ориентировочных расчетах, так как значения параметров транзисторов о inoro типа не одинаковы, а лежат в некото ром интервале Этот интервал ограничивается минимальным или максимальным значением указанным в справочнике Некоторые пара метры имеют двустороннее ограничение

При конструировании устройств необходимо стремиться обеспе чить их работоспособность в возможно более широких интервалах изменений важнейших параметров транзисторов Разброс параметров транзисторов и их изменение во времени при конструировании могут быть учтены расчетными методами или экспериментально - методом граничных испытаний

В справочнике, как правило, не приводятся выходные характери стики биполярных транзисторов ввиду их однотипности и возможности построения по приводимым данным




Область f„ -йд отсечки, а)

0б/7асть

Л--\ч

1..........

Q fO/fac Область /1Е/ атсеч/<а.

Рис 2 1. Выходные характеристики биполярного транзистора и области работы при вкл10че1нн1 по схеме ОБ (а) и по схеме ОЭ (б).

На рис 2 1 показаны выходные характеристики биполярного транзистора с указанием областей работы для схем с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ). Как видно, выходные характеристики в схеме ОБ (рис. 2.1, а) напоминают анодные характеристики усилительных пентодов, с тем различием, что коллекторный ток протекает и при нулевом напряжении питания В схеме ОЭ (рис 2 1,6) выходные характеристики идут из начала координат, имеют наклон к оси напряжений.

Характерные особенности рабочих областей, показанных на рис. 2 2 применительно к токам и напряжениям для р-п-р транзистора, приведены в табл. 4. Для п-р-п транзисторов знаки неравенств в столбцах табл. 4 «Напряжение на коллекторе» и «Напряжение на эмиттере» должны быть заменены на обратные.

Выходные вольт-амперные характеристики полевых траизисторов (зависимость тока стока от напряжения на стоке при различных напряжениях на затворе) напоминают характеристики усилительных пентодов (рис. 2.3). На семействе этих характеристик можно выделить три области: линейную (изменение тока стока пропорционально изменению напряжения на стоке); область насыщения (ток стока слабо зависит от напряжения на стоке); область пробоя (ток стока резко возрастает при малых изменениях напряжения на стоке)

На рис. 2 4 приведены проходные вольт-амперные характеристики (зависимость тока стока от напряжения на затворе при неизменном напряжении на стоке) полевых транзнсторов с управляющим р-п переходом с каналами п- н р-типов проводимости и схемные обозначения этих транзисторов. Проходные характеристики полевых транзисторов с управляющим р-п переходом хорошо аппроксимируются выражением

/С=/С „ач(1-Зи/ЗИ ото)".

Де /с пач - начальный ток стока (ток стока при fgjO); V ore - напряжение отсечки. Теоретическое значение показателя степени п = - 2. Однако на практике п= 1,5-2,5.

Таким образом, полевые транзисторы с управляющим р-п переходом работают в режиме обеднения канала носителями заряда (неза-



0 1 2 3 [4] 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183


0.011