Главная Мощные приборы



1,08 Щ ЬО 0.96 13Z 7.86 1М

г Г708Л,

гт7аев, гт708в


КЗвтах • * IZO

100 80 60 40

1 гТ708Я, 1 27 7086,

JJzT70et

10 W lo- 10 w ffgj.OM го *o 60 30 loo i,°c

Plmux.BT 6

Z77a8fl, 2 77086, г 7 708в

25 50 75 100


25 50 75 100

27708л, 277086, 2 77088

при включении питающих из пряжений, а также при переход ных процесеах не допускаете; превышения области максималь ных режимов При работе с пиковой мощностью при длительности, промежуточной для значений, приведенных на области максимальных режимов, не рекомендуется превышать границы области максимальных режимов для ближайшего большего значения длительности Расстояние от корпуса до начала изгиба вывода не *ie-нее 3 мм.



2Т709А-2Т709В

Транзисторы кремниевые мезапланарные р-п-р составные усилительные.

Предназначены для работы в линейных и ключевых устройствах. Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими выводами. Масса транзистора не более 9 г.

RS.i

гог1<Ь4

К4.3


го, 5

Электрические параметры

Параметр

Зиачеине

Буквенное

обозначе-

«

£

£

X X £

Режим измерения

<

<

Граничное напряжение (ти ооо мкс, О >100), В-

2Т709А

2Т709Б

2Т709В Напряжение насыщения коллектор - эмиттер. В Напряжение насыщения база - эмиттер, В Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ-

Г=25-125 X

2Т709А

2Т709Б. 2Т709В Г=-60 "С 2Т709А

2Т709Б. 2Т709В

3=25°С

2Т709А

2Т709Б, 2Т709В Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ«, МГя Время включения*, мкс

Врем

я выключения*, мкс

КЭО гр

КЭ иас БЭ нас

80 60 40 1.1*

1.8*

500 750

200 300

200* 300*

90* 70* 50* 1,4*

500« 600*

I ,4

100* 80* 60*

(5) (5)

(6) (5)

(10) (10) (0.5)

0,02 0,02

0,02 0,02



Параметр

Буквенное обозначение

Значение

Окончание

Режим измерения

Та и:

о la

<; (а

iKOCTb коллекторного рехода* (f-300 кГц),

[кость эмиттерного пе-

хода* (/=300 кГц), нФ

юбивное напряжение

ллектор - база. В:

Г=-60 +25°С

1Т709А

!Т709Б

Т709В

Г=125С

JT709A

Т709Б

!Т709В

>обнвное напряжение

ллектор - эмнттер*

бэ < 1 кОм), В:

2Т709А

2Т709Б

гТ709В

юбивное напряжение за - эмиттер, В

КБОпроб

КЭЛпроб

ЭБОпроб

100 80 60

100 80 60

100 80 60 5

120* 90* 70*

120 90 70

150* 100* 80*

150 100 80

(0.5)

5 5 5

0,005

ре дельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжеине коллектор - база:

2Т709А ..........

2Т709Б . . ... ...

2Т709Б..........

Постоянное напряжение коллектор - эмиттер (/?бо<1 кОм, 7-„ = -60--1-55 °С):

2Т709А..........

2Т709Б..........

2Т709В ..........

Постоянное напряжение эмиттер - база:

Постоянный ток коллектора.....

Импульсный ток коллектора (тя2 мс,

02)..........

Постоянный ток базы......

Импульсный ток базы (ти2 мс, .

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Гк = -60 ч--Ь25°С):

с теплоотводом .......

без теплоотвода .......

Температура перехода ......

Температура окружающей среды

1 При Q<2 /к, > max [А] =/к maxQ.

от -

100 В 80 В 60 В

100 В 80 В 60 В 5 В 10 А

20 А 0,2 А 0,3 А

30 Вт 2 Вт 150°С -60 °С до = 125 "С



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 [55] 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183


0.0084