Главная Мощные приборы



Значение

----""ичяни.

Режим измерения

Буквенное

Параметр

обозначе-

£

<:

Обратный ток коллектор -

эмнттер, мА:

7-„=-60-+25 С

1Т806А

1Т806Б

1Т806В

Тк = 25 "С

ГТ806А

ГТ806Б

ГТ806В

ГТ806Г

ГТ806Д Гк = 70°С

1Т806А

1Т806Б

1Т806В

Обратный ток эмиттера: 1Т806А - 1Т8063

ГТ806А-ГТ806Д

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор - эмиттер ({/вэ =1 В):

1Т806А, ГТ806А.......

1Т806Б, ГТ806Б.......

1Т806В, ГТ806В.....

ГТ806Г ........

ГТ806Д.........

Постоянное напряжение база - эмиттер:

1Т806А-1Т806В ... ...

ГТ806А - ГТ806Д.......

Постоянный ток коллектора в режиме насыщения:

1Т806А-1Т806В.......

ГТ806А - ГТ806Д.......

Импульсный ток коллектора в режиме насыщения (Ти<1 мс, Q2, Киае>1):

1Т806А - 1Т806В.......

Постоянный ток базы......

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора» при 7"к=7"к min-T-25°C:

с теплоотводом 30 Вт; без теплоотвода

Температура перехода ......

Тепловое сопротивление переход - корпус Тепловое сопротивление переход - среда . Температура окружающей среды:

1Т806А - 1Т806В.......

ГТ806А - ГТ806Д.......

При Г„>25 °С Рк max [Вт]= (85-Г„)/Лт п,к с теплоотводом и ?Ктах[Вт]== (85-Гк)/Ят п,с -

75 В 100 В 120 В 50 В 140 В

2 В 1,5 В

20 А 15 А

25 А 3 А

2 Вт

85 °С 2С/Вт 30-С/Вт

-60--f70°C -55- -f 55 "С

для транзисторов без теплоотвода.



1Т806Л-1ТввВВ, ГТвОбЯ -ГТ80ВД

"Z13 120

ПВОбЯ-ГТВОбВ,

гтвавя-гтвобд

а э 10 15 iie

-во -го га ва wo туе

1Т808А-ГТ8О68,

гтвобл-гтвоед

0,5 1,0 1,5 2,0 Ig,/1


10 4аво!/„з,в

7 -1

1ТвОВЯ-1ТШВ,

гтвовл-пвавд.

1к - гоя

\25С

2.0 1.5 1.0 0.5

гтвовя-гтваев, гтаабв-гтвавл.

/о в

2,0 1.5 1,0 0,5 О

пвавя-пвоев, гт80бЛ-гтвовд

Ом-ов

20 15 10



Ik,л


5060. W

507080

Пайка выводов допускается на расстоянии ие менее 6 мм от корпуса транзистора.

ГТ810А

Транзистор германиевый диффузиоиио-сплавной р-п-р усилительный. Предназначен для работы в выходных каскадах блоков строчной развертки телевизионных приемников.

Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими выводами. Масса транзистора не более 12 г.




0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 [57] 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183


0.015