Главная Мощные приборы



КТ81<1Й-КТв11,Г

го 30 hO 50 60 70 80 Т. "С 10


О го 40 6080

If к3,8

Пайку выводов разрешается производить на расстоянии не менее 5 мм от корпуса. При пайке жало паяльника должно быть заземлено.

Изгиб выводов допускается на расстоянии не менее 5 мм от корпуса транзистора с радиусом закругления 1,5-2 мм. При этом должны приниматься меры, исключающие возможность передачи усилий иа корпус. Изгиб в плоскости выводов не допускается.

КТ816А-КТ816Г

Транзисторы кремниевые меза-эпитаксиально-плаиарные р-п-р универсальные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях и импульсных устройствах.

Корпус пластмассовый с жесткими выводами. Л\асса транзистора не более 0,7 г.




--:--

Значение

1.Ч измерения

0>

<и 0 з: из

Буквенное

<

Параметр

обозиаче -

5: о

<;

:а (0

Гоаиичное напряжение (Тн < 4 300 мкс, Q> 100), В.

КЭО гр

(0.1)

KT8I6A

КТ816Б

KT8IGB

КТ816Г

КЭ нас

Напряжение насыщения коллек-

0, 6

тор - эмнттер, В

Напряжение насыщения база -

БЭ нас

1, 5

эмиттер. В

Статический коэффициент пере-

"2 13

дачи тока в схеме ОЭ:

Гк = 25-100 °С

Гк = -40°С

Граничная частота коэффициен-

0,25

та передачи тока в схеме ОЭ,

Емкость коллекторного перехода

(f = 465 кГц), пФ

Емкость эмиттериого перехода

(0,5)

( = 465 кГц), пФ

Обратный ток коллектора, мкА:

Гк = 25 "С

KT8IGA

КТ816Б

КТ816В

1 00

КТ816Г

Гк= 100 "С

КТ816А

3000

КТ816Б

3000

КТ816В

3000

КТ816Г

3000

Предельные эксалуатациоиные данные

Постоянное напряженно коллектор - эмнттер (/g =0):

КТ816Л ..........

КТ816Б ..........

КТ816В ..........

КТ816Г .........

Постоянное напряжение коллектор - эмиттер кОм)-

КТ816А ..........

КТ816Б..........

КТ816В ..........

КТ816Г ..........

Постоянное напряжение база - эмиттер Постоянный ток коллектора .... Импульсный ток коллектора (т:и20 мс,

QlOO)..........

Постоянный ток базы......

И Зак. 225

25 В 45 В 60 В 80 В

40 В 45 В 60 В 100 В

5 В 3 А

6 А 1 А



Постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Тк = -40-+25°С)1:

с теплоотводом ..... 25 Вт

без теплоотвода ...... 1 Вт

Температура перехода ...... 125°С

Температура окружающей среды ... от -40 "С до 7"к=100°С

При температуре выше 25 °С Рк max уменьшается линейно на 0,2 Вт/°С при использовании транзисторов без теплоотвода.

10 k

к Т 816/1 КТ81В Г

НГ816/1-

м ТВ 16 г

0 10-

>i5

/<Тв16Я-КГ816

~Л-,

1з и

0,8 03.В

ео -/lO -20 о 20 40 БО 80 100 120 ГС

Пайку выводов разрешается проводить на расстоянин не менее 5 мм от корпуса. При пайке жало паяльника должно быть заземлено. Изгиб выводов допускается на расстоянии не менее 5 мм от корпуса транзистора с радиусом закругления 1,5-2 мм. При этом должны приниматься меры, исключающие возможность передачи усилий на корпус. Изгиб в плоскости выводов не допускается. При монтаже транзисторов на теплоотвод крутящий момент при нажиме не должен превышать 70 Н-см.

10 •

KTsio/i-KTBier

100в кг816г

20 fO 60 80 100 120 Т,°С



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 [61] 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183


0.0183