Главная Мощные приборы



Постоянный ток базы...... ЗА

Импульсный ток базы...... 5 д

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Тк=Т„т1п-25°С) с теплоотводом 2Т818А - КТ818В,

КТ818АМ-КТ818ГМ..... 100 Вт

КТ818А-КТ818Г...... 60 Вт

без теплоотвода 2Т818А - 2Т818В . 3 Вт

КТ818АМ-КТ818ГМ..... 2 Вт

КТ818А-КТ818Г....... 1,5 Вт

Температура перехода:

2Т818А -2Т818В....... 150 °С

КТ818АМ - КТ818ГМ, КТ818А-КТ818Г 125 °С Температура окружающей среды:

2Т818А -2Т818В....... от-60 до

Г„==125 "С

КТ818АМ - КТ818ГМ, KT818A-КТ818Г от -40°С до

Гк = 100 °С

При температуре корпуса (окружающей среды) выше 25 °С для 2Т818А -2Т818В Рк max [Вт] == (Г„ max - 7„)/1,25 (с теплоотводом), Рк max [Вт] = (Гп max - 7")/41,6 (без теплоотвода); для КТ818А - КТ818Г Рк max уменьшается на 0,6 с теплоотводом и на 0,015 Вт/°С без теплоотвода; для КТ818АМ - КТ818ГМ на 1 с теплоотводом и на 0,02 Вт/°С без теплоотвода.

2Гв!в/1-гГвГвВ,

кт818ям-кт8тгм,

8Тв18Я-КТ818Г

Щ}ОВ

,.1 .

1 ,,

О.г 0.4 0,6 0.8 и.в

160 120 80 40 О

гтв1вя-ктб18в,

8Г618М-/1Г8!8ГМ, 2Тв1вЯ-КГВ18Г

10°

Is.л




гтвт-гтв1вь, nTBiBM-mism, ктвия-ктвтзг

-1,0 -го

о га ho 60 во юа ус sw ю-

2.0 0.S

5-10

ZrSJ88-ZT8WB,

liTeis.iM-miBfM тт/!-ктв18г

. J.

10"

НЗВпраЬ

\21Ы8П -

ZTSisB,

\КТ8ШЯМ-КТВЮГМ

-jiTBiB/i-KTsmr

>

10ly

RlflOOOf

ZTSI85

- -.

ZTBiSB

RijIOSOm

. 60

-60-1,0 -ZO 0 20 40 60 80 T„,C -60 -40 -20 0 ZO 40 SO 80 Т/.С npoS

2T818fl - гГ8!8В, /(Г81вЯМ-КГй1ВГМ, КГ81ВЯ -КТ81вГ




10°

>

-Г„ ISO"C

2 те в

2 ms S

ZTSWfl

IL 1

3070

100 80 60 40

20 О

2Т818П

гтв18б

г T81S г

20 40 60 80 100 Т.С

Пайка выводов допускается иа расстоянии не менее 5 мм от кор-пуса транзистора.

КТ820А-1 -КТ820В-1

транзисторы кремниевые меза-эпитакснально-планарные р-Р универсальные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях и импульсных устройствах герметизированной аппаратуры.

Оформление бескорпусное, с гибкими выводами, без кристаллодержателя, с защитным покрытием. Каждый транзистор упаковывается в индивидуальную тару. Масса транзистора не более 0,02 г.



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 [63] 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183


0.0119