Главная Мощные приборы



Значение

Режим измерения

й) с

<

Ьуквенное

<

Параметр

обозначе-пне

q та

IS са

Граничное напряжение (Тя 300 мкс, QislOO), В:

КЭО гр

(0,1)

КТ822А-!

КТ822Б-1

KT822B-I

Напряжение насыщения

КЭ иас

0.1*

0,2*

0, 1

коллектор - эмиттер. В

Напряжение насыщения ба-

БЭ иас

0, 8*

0,9»

1 .5

0, 1

за - эмиттер, В

Статический коэффициент

2 1Э

передачи тока в схеме ОЭ;

Г = 25 °С

Г = 85 °С

Г = -40 "С

Граничная частота коэффи-

0, 05

циента передачи тока в схе-

ме ОЭ, МГц

Емкость коллекторного пере-

I 15

хода (/ = 465 кГц), пФ

Емкость эмиттерного пере-

I 10*

1 25

(0,5

хода (/ = 465 кГц), пФ

Обратный ток коллектора.

мкА:

Г = 25 "С

(40)

Г = 85 °С

I 00

(40)

Входное соп-)Отивлеиие

Ч 1Э

0, 15

0,36

0, 03

транзистора в режиме мало-

го сигнала* (/=0.8 кГц).

Линейность статического

коэффициента передачи то-

ка*:

It;, а при /q= 0,001 А

1 5

2 ,75

:-- .........

2 1Э "Ри э=

Предельные эксплуатационные даииые

Постоянное напряжение коллектор - эмиттер (Рбэ 1 кОм):

КТ-822А-1......... 45 В

КТ822В-1......... 60 В

КТ822Б-1......... 100 В

Постоянное каиряжение коллектор - эмиттер {/g =0):

КТ-822А-1......... 45 В

КТ822Б-1......... 60 В

КТ822В-1.........; 80 В

Постоянное напряжение база - эмиттер , 5 В

Постоянный ток коллектора . . . v "- 2 А

Допускается /кт,1х = 3 А при условии не превышения мощности.



Импульсный ток коллектора (T„::g20 ме,

qOO)..........

Постоянный ток базы......

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора в составе гибридной схемы (Г =

L= 40-+25°С).......

Температура перехода ......

Температура окружающей среды

4 А 0,5 А

20 Вг 125 °С -40 -f 85 X

При Т„>25°С Якт,« [Вт] = (125-7-,,)/5.

J2ff 100

60 hO ZO О

КТ822/1-1, tlT8ZZB-l

--28


10Ч„,А

2Т825А-2Т825В, КТ825Г-КТ825Е

Тра11зисторы кремниевые мезапланарные р-п-р составные универсальные. Предназначены для применения в линейных и ключевых устройствах.

Корпус металлический со стеклянными изоляторами. Масса транзистора не более 20 г.

33.2


2oi8i,h.l

10,3



Параметр

Ьуквенное обозначение

Значение

Режим измерения

Ь со

<

Граничное напряжение (ти ООО мкс, Q> 100), В:

2Т825А

2Т825Б

2Т825В, КТ825Д

КТ826Г

КТ825Е Напряжение насыщения коллектор - эмиттер, В

Напряжение насыщения база - эмиттер, В Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ;

Г = 25 °С

2Т825А

2Т825Б. 2Т825В КТ825Г - КТ825Е Г=125 °С 2Т825А

2Т825Б, 2Т825В -Г = -60 °С 2Т825А

2Т825Б, 2Т825В

Г=25°С 2Т825А-2Т825В Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала* (/ = 5 кГц);

2Т825А - 2Т825В Время включения, мкс

Время выключения, мкс

Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте (/=1 МГц) Емкость коллекторного перехода (/= 100 кГц), пФ Емкость эмнттерного перехода (/= ЮО кГц), пФ Пробивное напряжение коллектор - эмнттер. В;

Г = 25 °С

2Т825А

2Т825Б

2Т825В, КТ825Д

КТ825Г

КТ825Е

Г=125 °С

2Т825А

2Т825Б

2Т826В

Г = -60°С

2Т825А

2Т825Б

2Т825В Пробивное напряжение эмнттер - база, В

КЭО гр

КЭ нас

БЭ нас 213

"21Э

выкл "21э I

КЭХ проб

80 60 45 70 25

500 750 750

400 600

100 150 100

100 80 60 90 30

80 60 50

100 80 60 5

1500 0,4*

350 400*

1 8000 8000

25000 25000

1 8000 18000

60000 I

600 600

(0,1)

20 10 20 (10)

200 40 200

(20) (10)

10 10 (10)

10 (3)

(1,5) 0,001

(1,5) (1,5)

40 40

0,005

О, 005 (0,002)



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 [65] 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183


0.0202