Главная Мощные приборы



Параметр

Буквенное обозначение

Значение

Режим H3Mep«ii

сп из

<

Граничное напряжение (Ти <£3(Ю ыкс,

> 100), В:

2Т830А

2Т830Б

2Т830В

2Т830Г Напряжение насыщения коллектор - эмиттер, В

Напряжение насыщения база-эмиттер, В Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ:

Г = 20-125 °С

2Т 830А - 2Т830В

2Т830Г

Г =-60 °С

2Т830А - 2Т830В

2Т830Г Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ, МГц

Время рассасывания, мкс

Время включения, мкс

Время выключения, мкс

Емкость коллекторного перехода (/= = 1 МГц), пФ Емкость эмиттерного перехода (f=l МГц), пФ

Обратный ток коллектора*, мкА Обратный ток эмиттера, мкА Пробивное напряжение коллектор - база. В:

2Т830А

2Т830Б

2Т830В

2Т830Г

Г=125 °С

2Т830А

2Т 830Б

2Т830В

2Т 830Г Пробивное иахшаже-ние эмнттер-в»»а. В:

2Т830А

2Т830Б

2Т830В

2Т830Г

КЭО гр

КЭ нас

БЭ иас 21Э

выкл С„

КБО эБО КБОпроб

ЭВОПроб

25 45 60 80 0,25»

25 20

20 18

0,3* 1

0,1 20

35 60 80 100

35 60 80 100

0,35 0,92

30* 23*

0,5* ,5* 67*

0,6 1,3

55» 50*

0,8 2

100 1000

(0,5)

80 (5)

О, 1 0,1

о, 1 о, I

3 3 3 3

(0,1)

(О 05)

(0,001)

0,1 0.1

0,1 0,1 0,1



Предельные эксплуатацноииые данные

Постоянное иапряженне коллектор - база:

2Т830А.......... 35 В

2Т830Б.......... 60 В

2Т830В.......... 80 В

2Т830Г.......... 100 В

Постоянное напряжение коллектор - эмиттер (R5,<1 кОм):

2Т830А.......... 30 В

2Т830Б.......... 50 В

2Т830В.......... 70 В

2Т830Г.......... 90 В

Постоянное напряжение эмиттер - база:

2Т830А.......... 12 В

2Т830Б - 2Т830Г....... 5 А

Постоянный ток коллектора .... 2 А

Импульсный ток коллектора .... 4 А

Постоянный ток базы...... 1 А

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Гк = -60-+25°С):

с теплоотводом....... 5 Вт

без теплоотвода....... 1 Вт

Температура перехода ...... 150°С

Температура окружающей среды ... от -60 °С

до 7-к=125°С

гтезой-гтвэог

J. 1

rejor

1к/1

1>

2Т830Я-2Г830Г

S"

SO 40 20

2тезой-

27830г

Urn - IB

0 20 40 60 80 100 T.C



гоо т т

2Т830А

zresar

>

Ig,MKfl

2 ТВ ЗОЯ- JL

гтазог /

и,,-08

Рнтао,,ВТ

Б 5 t

2Т830Я-2Т830Г

25 50 75 100 Т.С

0,5% §

.0"

-Т„25-С

-T„i50i:

10

0100

iMc WOmhc

ЗОмпс

2 Т830Я,

гтвзоб,

2Т830В, 2 Т830Г

W 40 60 Щз,8

0,4 0,5 О.В Ifg,,8

2Т836А-2Т836В

Транзисторы кремниевые планарные р-п-р переключательные. Предназначены для работы в ключевых усилителях мощности, вторичных источниках питания.

Корпус металлический со стеклянными изоляторами и гибкими выводами. Масса транзистора ие более 2 г.



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 [67] 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183


0.0106