Главная Мощные приборы



Предельные эксплуатационные данные

Ппг-тоянное напряжение коллектор - база: 2Т602А, 2Т602Б, 2Т602АМ, 2Т602БМ

J 60 4- +100 °С...... 120 В

Г„=!50°С......... 60 В

КТ602А, КТ602Б, КТ602АМ, КТ602БМ

r„ = -40-f-+70°С...... 120 В

Г„=120С......... 60 В

Постоянное напряжение коллектор - эмиттер (Ло.-,<1 кОм):

2Т602А, 2Т602Б, 2Т602АМ, 2Т602БМ

Гп = -60 ч- +100 "С...... 100 В

Г„=150°С......... 50 В

КТ602А, КТ602Б, КТ602АМ. КТ602БМ

Г„ = -40-+70°С...... 100 В

7„ = 120°С......... 50 В

Импульсное напряжение коллектор - база (т„<1 мкс, 10); 2Т602А, 2Т602Б, 2Т502АМ, 2Т602БМ

7-п = -60+100 "С...... 160 В

7„=150С......... 80 В

КТ602А, КТ602Б, КТ602АМ, КТ602БМ

Гп = -40-Ь +70°С ..... 160 В

Постоянное .напряжение эмиттер - база 5 В

Постоянный ток коллектора..... 75 мА

Постоянный ток эмиттера..... 80 мА

Импульсный ток коллектора (ти1 мкс,

Q>7).......... 500 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:

с теплоотводом 2 2Т602А, 2Т602Б, 2Т602АМ, 2Т602БМ

Гк==-60-г +25°С...... 2,8 Вг

Г„ = 125°С......... 0,55 Вт

КТ602А, КТ602Б, КТ602АМ, КТ602БМ

Тн=-40-ь +25°С...... 2,8 Вт

7к = 85°С......... 0,65 Вт

без теплоотвода 2Т602А, 2Т602Б, 2Т602АМ, 2Т602БМ

Т = -60-+25°С ..... 0,85 Вт

7=125С......... 0,16 Вт

КТ602А, КТ602Б, КТ602АМ, КТ602БМ

7 = 40- +25 °С...... 0.85 Вг

T=S5C......... 0,2 Вт

Зак. 225 225



Тепловое сопротивление переход - корпус 45 °С/Вт

Тепловое сопротивление переход-среда !50°С/Вт

Температура перехода:

2Т602А, 2Т602Б, 2Т602АМ, 2Т602БМ 150 "С

КТ602А, КТ602Б, КТ602АМ, КТ602БМ 120 "С

Температура окружающей среды.

2Т602А, 2Т602Б, 2Т602АМ, 2Т602БМ -60-=-+125 "С

КТ602А, КТ602Б, КТ602АЛ\, КТ602БМ -40 -=- +85 °С

При Тп выше 70 "С для КТ602А, КТ602Б, КТ602АЛ\, КТ602Б;М и 100 °С для 2Т602А, 2Т602Б, 2Т602АМ, 2Т602БМ напряжения линейно уменьшаются

2 При 7„>25°С Рк max 1Вт] = (7„-Т„)/45 (с теплоотводом).

» При 7>25С Рк max [Вт] = (Г„-Т)/150 (без теплоотвода).

"2/J

"из


W го J0 1„,мя

300 250 200 150 100 50

2 тбагл, гтдогям /

ГОм/3

10 20 за i/fig.B

"из

500 400

гвв res

гтвагв. гтбогбм

7j --10 Mfl

14 12 10 в 6

гтбвгя,

ZT602S, 2ТШЯМ,

ZTsazsM,

ктбвгя,

nrsizs,

KTSozflM.

KTioZSM

IQ 20 за U/(g.B

о го 40 50 Unf,B



гтеогя, г теагв,

2тб02йм,

гтеагбм, ктбогя, ктбагБ,

kts02/im,

ктеагвм

1 1

60гЯМ-2Т602БН-

1 нг?

нмпутсний нети -1 III-

1 \ \ \

с/па/пичеен ретин

-+-Н-

•rsc

/<7

Шероховатость поверхности радиатора в месте крепления транзистора в пластмассовом корпусе не менее 1,5, неплоскостность должна быть не более 0,02. При креплении транзистора в пластмассовом корпусе к радиатору необходимо применять в качестве прокладки между крепящим винтом и корпусом транзистора шайбу 3 (ГОСТ 9649-66). Крутящий момент при прижиме должен быть 60-70 Н-см (6-7 кгс-см).

КТ6ПА-КТ611Г

Транзисторы кремниевые планарные п-р-п усилительные. Предназначены для усиления и генерирования напряжения r диапазоне высоких частот.

Корпус металлический со стеклянными изоляторами и гибкими выводами. Масса транзистора ие более 5 г.

Ф4.2




0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 [72] 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183


0.0114