Главная Мощные приборы



Знач

;иие

Режим измерен

Буквенное

<

Параметр

обозначе-

<

Модуль коэффициента передачи

Л21э

(20)

тока на высокой частоте (/ =

= 20 МГц)

Постоянная времени цепи об-

(20)

(20)

ратной связи иа высокой часто-

те (/=2 МГц). ПС

Статический коэффициент пере-

дачи тока в схеме ОЭ:

Г=25 °С

KT61IA. КТ611В

КТбпБ. КТбПГ

Г= 100 °С

KT6IIA. КТО! IB

КТ6ПБ. КТбПГ

7-= -25 С

КТ6ПА, КТ611В

КТбПБ, КТ611Г

Напряжение насыщения коллек-

КЭ нас

тор - эмнттер, В

(40)

Емкость коллекторного перехо-

да (/ = 2 МГц), пФ

Обратный ток коллектор- эмит-

тер (fi63 = 0), мкА:

KT6I1A, КТ611Б

KT61IB, КТ611Г

Обратный ток эмиттера, мкА:

КТ6ИА -КТ611Г

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Лбэ=1 кОм).

Т„ = -2Ьч-+100"С КТ611А, КТ611Б 180 В

КТ611В, КТ611Г 150 В

Т„ = 150С KT6UA, КТ611Б 90 В

КТ61Ш, КТ611Г 75 В Постоянное напряжейие коллектор - база:

Г„ = -25-+100°С КТ611А, КТ611Б 200 В

КТ611В, КТ611Г 180 В

7„=150°С КТ611А, КТ611Б 100 В

КТ611В, КТ611Г 90 В Постоянное напряжение база - эмиттер:

Т„ = -25 ч--f 100°С КТ611А -КТ611Г ЗВ

Г„=150°С КТ611А-КТ611Г 1,5 В

Постоянный ток коллектора . . 100 мА Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:

без теплоотвода 2 Т = 25°С 0,8 В

Г=100°С 0,33 Вт

с теплоотводом 3 Г„ = 25°С* . 3 Вт

.Г„ = 100°С . . . 1.25 Вт



Тепловое сопротивление переход - окружа-

ТепловоГсопротивление переход - корпус

Температура перехода . .....

Температура окружающей среды . . .

При повышении температуры иере-от 100 до 150 °С напряжение

а от 100 до 150 °С напряжение Сеньшастся линейно.

2 ппи темиературе окружающей сре-.т25 до ЮОХЯкша. [Вт] = (150-

от 25 до ЮОХЯкша. [Вт] = (150. --Т) ?гп с (без теплоотвода).

3 При температуре иа корпусе < 25 до 100 "С Рк mar [Вт] =(150-п у. (с теплоотводом).

150°С/Вт 40 °С/Вт 150 "С -25 +100°С

10 8 6 4

ктв1)я-ктвиг, кгепям,/ггп1бм

l/ffjOeJ

0,3 0,6 0,7 0,8 Vgj,B

"из

HTsn/i, лтеив, к твил м

*а 80 па

120 30 60 30

птеив.птвиг, ятбпвм

и„в*ов

*а во 120

2Т625А-2, 2Т625Б-2, 2Т625АМ-2, 2Т625БМ-2, КТ625А, КТ625АМ

нзнсторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п импульс-Ь1е. Предназначены для применения в быстродействующих импульсных устройствах, системах памяти ЭВМ герметизированной аппара-



Оформление бескорпусное на кристаллодержателе с защитным покрытием и гибкими выводами: 2Т625А-2, 2Т625Б-А, КТ625А на керамическом (1,9X1,9 мм) кристаллодержателе (масса не более 0,015 г); 2Т625АМ-2, 2T6i25BM-2, КТ625АМ на металлическом (ЗХ XI мм) кристаллодержателе (масса не более 0,04 г).


Электрические параметры

Значение

Режим

измерения

Параметр

Буквенное обозначение

«

о m о с

о я л

со S X О

<: (а

Граничное напряжение (Ти<ЭО мкс. Q>50), В: 2Т625А-2, 2Т625АМ-2. КТ625А, КТ625АМ 2Т625Б-2. 2Т62БМ-2

КЭО гр

40 30

48* 37»

60» 54»

0,01

Напряжение насыщения коллектор - эмиттер. В: 2Т625А-2, 2Т625АМ-2 2Т625Б-2, 2Т625БМ-2 КТ625А, КТ625АМ

КЭ нас

0,33» 0,2*

0,49» 0,37»

0.65 0, 7 1,2

0, 5

0,05

Напряжение насыщения

база - эмиттер. В: 2Т625А-2, 2Т625АМ-2 2Тв2ЭБ-2, 2Т625БМ-2, КТ625А, КТ625АМ

БЭ нас

0,8»

0,95» 0.95»

1 ,2 1,5

• ,05

Статицескнй коэффициент передачи тока в схеме ОЭ: 2Т62,5А-2, 2Т625АМ-2 2TS25B-2, 2Т625БМ-2 КТ625А, КТ625АМ

20 20

48»

120 120 200

Модуль коэффициента передачи тока на высо-квй частвте (/ = 100 МГц)

21э 1

3,5»

5,5»

0,05



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 [73] 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183


0.0122