Главная Мощные приборы




Электрические параметры

Параметр

Буквенное обозначение

Значение

Режим измерения

< "л it:

Выходная мощность (/=10 МГц), Вт

Коэффициент усиления по мощности (f=K) МГц. Рвыг = 10Вт) Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения коллектор - эмиттер, В Прямое напряжение база-эмиттер, В

Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте (f= = 10 МГц)

Обратный ток коллектора, мА Обратный импульсный ток коллектор-эмиттер (/?бэ = 50 Ом), мА

Обратный ток эмиттера, мА

"213 КЭ иас

БЭО 21э1

КБО и, КЭЛ

20 7 15

28 28 10

10 10

110 (имп )

2 (0,4) 2 1

Предельные эксплуатационные данные

Постояниое напряжение коллектор - база

(Гц<125°С)1..... . 65 В

Импульсное напряжение коллектор - эмиттер (/?бэ<50 Ом, т„<15 мкс, Г„<125°С) ПО В Постоянное напряжение эмиттер - база

(Г„<125°С)........ 5 В

Импульсное напряжение эмиттер - -база

(ти<40 мкс)........ 8 В

Постоянный ток коллектора .... 5 А

Постоянный ток базы ... . . 2 А



рассеиваемая мощность кол-

.....

?Рп10вое сопротивление переход - корпус

Температура перехода .....

Температура корпуса ..... Температура окружающей среды . .

30 В 3,3 °С/Вт 150 °С 125 °С от -60 °С до Г„=125 X

i Ппи Тп>125°С напряжение снижается линейно до 0,5 зиа-7" =150 "С

"""/пи гГ>50°С Як max [Вт] = (150-Г„)/3,3.

Пайка выводов допускается иа плоской части выводов транзисто-и осуществляется в течение не более 10 с. Температура плавления припоя, применяемого для пайки, не должна превышать 250 °С.

Необходимо осуществлять теплоотвод между корпусом транзистора и местом пайки. Запрещается кручение выводов вокруг оси. Изгибы и боковые натяжения выводов ие допускаются.

"213

80 60

w го

к 7902 л

>

"КЗ

= Юв

"213

1 4 6 Ъ /„,/7

80 60 40

го о

н79огл

1-гй

12 16 из,В

кгэогя

40 V,,,B

С,, пФ

1500

1100 900

ктзогл



100 80 60

ктвогя

RgSSOOM \

40 30 20

100 т;с

1Т302Я

100 т,с

2Т903А, 2Т903Б, КТ903А, КТ903Б

Транзисторы кремниевые мезапланарные п-р-п генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности н автогенераторах.

Корпус металлостеклянный с жесткими выводами. Масса транзистора не более 24 г.




0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 [77] 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183


0.0109