Главная Мощные приборы



Параметр

Буквеииое обозначение

Значение

Режим тме,

m (а

Напряжение насыщения коллектор - эмиттер, В:

2Т908А, КТ908А

2Т908А

КТ908Б

Напряжение насыщения база - эмиттер, В:

2Т908А, КТ908А, КТ908Б

2Т908А

Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ:

Гк = 25 С

2Т908А, КТ908А

КТ908Б

7-к=-60 °С

2Т908А, КТ908А

КТ908Б

Отношение статического коэффициента передачи тока в схеме ОЭ при Гк = 125°С к статическому коэффициенту передачи тока при Гк = = 25 °С-

2Т908А

КТ908А

КТ908Б

Модуль коэффициента передачи тока иа высокой частоте (/=10 МГц): 2Т908А

КТ908А, КТ908Б

Время включения*, мкс

Время рассасывания*, мкс

Время спада*, мкс

Емкость коллекторного перехода (f=0,3 МГц), пФ

Обратный ток коллектор - эмнттер, мА: Гк =60-25 °С

2Т908А, КТ908А («бэ» = 10 Оч)

КТ908Б (Кбэ = 250 Ом)

Гк=125°С («63=10 Ом)

2Т908А

КТ908А

КТ908Б

Обратный ток эмиттера, мА

КЭ нас

БЭ иас

"213

сп е..

8 20

6 10

h2l э при 125° С

2 1 э ПР" 25° С

1*21 э

О, 1 0,6 0.1

0.2 500"

1.5 0,8 1

2,3 1.6

60 60

0,3 2,6 0,3 700

25 50

50 75 150

(10)

100 60

80 80 60



ельные эксплуатационные данные

п г-тпяиное напряжение коллектор - эмит-pni (Тц=-60Н-+100°С):

9Т908А, КТ908А (/?бэ=10 Ом) . . . 100 В

КТ908Б (Лба = 250 Ом)..... 60 В

ггпгтояиное напряжение коллектор - база

L-60-T-+100°C)...... 140 В

Постоянное напряжение база -эмиттер . 5 В

Постоянный ток коллектора .... 10 А

Постоянный ток базы...... 5 А

ппгтояниая рассеиваемая мощность кол-

(Г.=-60+50=С) . . . 50 Вт

Температура перехода ...... 150 С

Температура корпуса...... 125 °С

Температура окружающей среды ... от -60°С до

Г„=125°С

1 При температуре перехода от 100 до 150 °С t/gmax " ЬкБОтах fl снижаются линейно иа 10% иа каждые 10 °С. Температура перехода рассчитывается цо формуле:

+ где Рк, Рэ -мощности, рассеива-

емые коллектором и эмиттером.

2 При Г„>50°С Рк max [Вт] = (Гя-Г„)/Лгп, к, Где Ята.к-

определяется на области максимальных режимов (например, при у Э =10 В, /к =5 А, Rt „, „ = 2°C/Bt).

При эксплуатации траизисторов в условиях механических воздействий их необходимо крепить за корпус. Механические усилия иа выводы транзисторов в контактном приспособлении при испытаниях и измерениях параметров не должны превышать 2 кг в осевом и 350 г в перпендикулярном направлениях к оси вывода.

Допускается производить распайку паяльником, нагретым до температуры не более 275 °С в течение 3 с иа расстоянии не менее 6 мм от корпуса транзистора.

В импульсных устройствах допускаются перегрузки по мощности рассеивания до 400 Вт в момент переключений. При этом длительность перегрузки должна быть не более 0,5 мкс (по уровню 0,5), частота пе-Регрузок не более б кГц, Г„<90°С. При запертом транзисторе в импульсных устройствах допускается использование тран-lOr* с напряжением источника питания IOO-iTq (напряжение иа транзисторе ск Д"тельиость импульса 3 мкс, „у*иость >25). При пусковых переход-кол допускается импульс тока

-„."ора длительностью <5 мкс, ампли-У«ои А (импульс тока базы <10 А).

78"

27308/1, К7908Я

7„ = S0C \7„150Ч

10 из,В




0.8 0,6 0,<t 0,Z 0

гтзавй. ктзовя.

т-пвс

UfyOe

0.6 о.в г l/gj.

0,f 0.6 0.8 1 ifB

0,f 0,2 0

2ТЭ08Я, КТЭ08/Г, КТЭ08Б

0,t O.g 1,2 1,6

if63. В


0,4 0,8 1,2 1,6 Us3,B

КЗнаСЩзнас,

1.0 0.8 0.6 0,t

0,5 1 1,5 2

2тзавя,

НТЗОвЯ, BT308B

3ltttc

IffГОЛ

ВЗнас

his 60

50 tO 30 ZO

10 0

г ТЭ08Я, ктзовя

Uff3 -ZB

2 k 6 Ik,*



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 [79] 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183


0.0135