Главная Мощные приборы



so го

z гзовл.

"КЗ пас

0,8 O.h

гтзовл, ИТ 30 в я

/д- = 10 я

Ig-Z/I

.go -ZO 20 SO Т„.С

-60 -20 20 60

2Т912А, 2Т912Б, КТ912А, КТ912Б

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п усилительные. Предназначены для применения в линейных усилителях мощности иа частотах 1,5-30 МГц при напряжении питания 28 В.

Корпус металлокерамический с жесткими выводами. Внутри корпуса имеется полупроводниковый диод - датчик температуры. Масса транзистора не более 45 г.




Параметр

Значение

Режим

измерена.

Выходная мощность (в пике огибающей двухтонового сигнала) (/=30 МГц), Вт Коэффициент усиления по мощности (/=30 МГц, Рвых (но) = 70 Вт) Коэффициент полезного действия коллектора (/ = =30 МГц, Рвых (по) = 70 Вт, %

Коэффициент комбинационных составляющих третьего порядка (двухтоновый сигнал /=30 МГц. Рвыг (ПО) = =60 Вт). дБ

Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ:

2Т912А, КТ912А

2Т912Б, КТ912Б .Лодуль коэффициента передачи тока на высокой частоте (/=30 МГц) Обратный ток коллектор - эмнттер (Йбэ-Ю Ом), мА:

Г = 25 С

7=85°С KT9I2A. КТ912Б Г=125С 2Т912А, 2Т912Б Обратный ток эмиттера, мА

Постоянный обратный ток диода, мА

Постоянное прямое напряжение диода, В

вых (по) Кур

>>21Э 21э

обр пр

70 10 50

-30*

20 3

13» 80*

- 28*

20* 28» 5,5*

- 25

50 100 7,6*

50 75 75 250

(0,02)

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжеине коллектор - эмиттер (Лбэ<10 Ом):

2Т912А, 2Т912Б Т„=125С .... 70 В

Г„=150°С .... 35 В

КТ912А, КТ912Б Г„ = 75°С .... 70 В

Г„ = 85°С .... 56 В Импульсное напряжение коллектор - эмиттер ((/эБ=-1.5 В):

2Т912А, 2Т912Б Г„<125°С .... 80 В

Г„ = 150°С .... 60 В

КТ912А, КТ912Б Гк<75°С .... 80 В

Г„ = 85°С .... 60 В

Постояниое напряжение эмиттер - база . 5 В

Постоянный ток коллектора .... 20 А

Постоянный ток базы...... 10 А



„па пассеиваемая мощность в динакп-

СР;,С режиме («кэ <28 В, Г„<85°С) 35 Вт

ловое сопротивление переход - корпус 1,42°С/Вт

Температура перехода...... 150°С

%9Т2Г2Ш2Г....... .25;С

КТ912А, КТ912Б....... 85 Х

Температура окружающей среды:

2Т912А, 2Т912Б....... °Г„ = ?25°С°

КТ912А, КТ912Б....... °V=8?C°

Тпк>85°С для 2T9I2A, 2Т912Б Як. ср таж [Вт] = (150. -Г„)/1.42.

2 T91Z/I,

г т9п Б,

КТЭ12Я,

нтэпв

и„з - JOB f = ЗОМГц

1 1

Допускается производить пайку выводов иа расстоянии не менее 2 мм от корпуса паяльником, нагретым до температуры 250 °С в течение ие более 10 с. Допускается пайка выводов на расстоянии менее 2 мм от корпуса транзистора и в том случае, если обеспечен отвод тепла от корпуса, при котором температура корпуса ие превышает 125 °С. Диод включается в устройство в прямом направлении и служит датчиком температуры корпуса.

ш гоо

2/1, 21312 В, IMjJfT9l26

-J

0.2 а,Н 0,6 0,8 Ug,,B




0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 [80] 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183


0.0968