Главная Мощные приборы





0,1 0,4 0,0 0,8 Ifl

/ = 100 МГц

/гтзгод, нтягов

гТ920Б,КТ320Б

2T320fl, HTSZO/I

2Т921А, КТ921А, КТ921Б

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п усилительные. Предназначены для применения в линейных усилителях мощности КВ н УКВ диапазонов при напряжении питания 27 В.

Корпус металлокерамический с жесткими выводами и монтажньш винтом. -Масса транзистора не более 6,5 г.




Параметр

Буквенное обозиаче-и ие

Значепне

12 «

Режим измерения

мощность =

ij,..,.uPHT усиления по

Гт921а;КТ92.А кт921б

коэффициент полезного

действия коллектора (/ = iw МГц. 12.5 Вт),

*ilT921A. КТ921А КТ921Б

Коэффициент комбинационных составляющих третьего порядка (двухтоновыу"! сигнал, f = 60 МГц, Явых (on) = = 12.5 Вт), дБ

Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ

Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте (/ = 30 МГц1

Постоянная времени цепи обратной связи иа высокой частоте (/=10 МГц), пс

Емкость коллекторного перехода (/=10 МГц). пФ

Емкость эмиттериого перехода (/=10 МГц), пФ: 2Т921А

М921А. КТ921Б Обратный ток коллектор -

Г=125 С

Обратный ток эмиттера, мА

Иидуктивность эмиттериого вывода», нГн

Индуктивность коллектор-иого вывода, нГн

"ед,™вность базового вы-

"2 1 Э

ft2l3

K3R ЭБО

12,5

50 40

300*

65»

- 33

45* 7,5

3,5 3,5

80 10, 5<

210 4 50

10 50

27 27

10 10

(20)

0,4 1



Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор - эмнттер (Лбэ 10 Ом):

Тп = 125°С........ 65 В

Т„ = 150°С......... 32 В

Импульсное напряжение коллектор - эмиттер (Окэ =-1.5 В):

Тп<125°С..... . . 80 В

Г„=150=С......... 60 В

Постоянное напряжение эмиттер - база . 4 В Постоянный ток коллектора .... 3,5 А Постоянный ток базы ... . . 1,0 А Средняя рассеиваемая мощность в динамическом режиме {r„s£75°Ci, U 28 В) 12,5 Вт

Тепловое сопротивление переход - корпус 6 °С/Вт

Температура перехода...... 150°С

Температура корпуса...... 125°С

Температура окружающей среды:

2Т921А....... . . от -60 до

Т It = 125

КТ921Л, КТ921Б..... . от -45°С до

Гк = 125С

При Г„>75°С Рк, ершах [Вт] = (150 -Тк)/6.

Пайку выводов допускается производить иа расстоянин не менее 2 мм от корпуса транзистора паяльником, нагретым до температуры 250 °С, в течение не более 3 с. Допускается панка выводов на расстоянии менее 2 мм от корпуса при условии, что температура корпуса ие превышает 100 "С.

15 №

КТ92!Я

Я,

/ " £0 МГц

10 60 50 tO 30 20 1С

21321 л, К Г921/1,

КТЭ21В

= 2,---21В

S Вг

2h 25 26 27 28 23 IfВ

30 /,11Ц



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 [83] 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183


0.0099