Главная Мощные приборы



2Т926А, КТ926А, КТ926Б

Прсд-

Транз-исторы кремниевые мезапланарные п-р-п импульсные, назначены для работы в импульсных модуляторах.

Корпус металлокерамический. Масса транзистора не более 20

п п гг


Электрические параметры

Значение

Режим измерения

Буквенное

я из

&

Параметр

обозначение

< «

« Е X

<

<

:й га

Напряжение насыщения коллек-

КЭ пас

тор - эмиттер, В;

2T926A, КТ926А

2Т926А

0,4*

КТ92бБ

0.5*

Напряжение насыщения база ~

БЭ нас

эмиттер. В-

2Т926А. КТ926А

1 ,5

КТ926Б

Статический коэффициент передачи

тока в схеме ОЭ (ти = 500 мкс,

Ч> 50);

7,t = 25 °С

2Т926А

КТ926Б

КТ926А

Гк=100°С КТ926А, КТ926Б

Тк таШ

2Т926А

КТ92вА

КТ926Б

Отношение статического коэффици-

/121э(125°С) .21э(25°С)

ента передачи тока в схеме ОЭ при

"s = !25°C к статическому коэффп-

Диенту при Гк = 25 °С;

2Т926А

Модуль коэффициента передачи

21э 1

1 .7

ока на высокой частоте (/ =

= 30 МГц)

Уфатнын ток коллектор - эмпттер «5з=,10 Ом), мА;

,к = Гкт!п 25°С "ратный ток эмиттера, мА

0, !•

0,2*

1 20



Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор - эмиттер {«бэ=!0 Ом).......

Импульсное напряжение коллектор-эмиттер (т„<0,5 мс, Q>50).....

Постоянное напряжение база - эмиттер Постоянный ток коллектора .... Импульсный ток коллектора (тв<0,5 мс,

Q>50)..........

Постоянный ток базы......

Импульсный ток базы (тя0,5 мс,

Q>50)..........

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора = (Т,, = Тк min - 50°С) . . . . Импульсная рассеиваемая мощность 2Т926.А (т„0,5 мс, Q>50, Гк = 25-80°С)

Температура перехода ......

Температура корпуса ......

Тепловое сопротивление переход - корпус (t/кэ <10 В, /к<5 А) . . . . .

Температура окружающей среды: 2Т926А ..........

КТ926А, КТ926Б.......

150 В

200 В 5 В 15 А

25 А 7 А

12 А

50 Вт

450 Вт 150 °С 125 "С

2 °С/Вт

от -60 °С до Гк = 125 "С от -45 °С до Т„ = 100°С

Тп100°С, t/j3„ax 11 диапазоне температур перехода от 100 до 150 °С уменьшается линейно на 10% на каждые 10 °С.

2 При Т„>50°С Рк шах [Вт]-(Т„-Т„)№т„,к, где /?г „, „ определяется из области максимальных режимов (например, при f/3=10 В и /к =5 А, Rt п, к = 2°С/Вт).

При конструировании схем следует учитывать возможность самовозбуждения транзисторов за счет паразитных связен. Крепление транзисторов к панели осуществлять с помощью гайки. Осевое усилие иа винт должно быть не более 120 кг. Допускается распайка транзисторов паяльником с температурой 275 °С в течение 3 с на расстоянии не менее 2 мм от корпуса транзистора.


SO 4(7

н гзгвА,

к 7925 Б

Чкз 7«



Z5 ZO 15

и HI4-

2T32Bfl

r„ 500

a-50

2 гзгб/г,

к T326я, К г326Б

1/13час

lls3nac /

0,5 I 1,5 Z Z,5 I./l

Щзтах. 200

ISO 120

2 7326 я, ПТЭ2БЯ, К 7326 Б

О 200 400 600 Пцз,0м

iood\r


60 50

40 30 20 10

2T326fl, /17926 Я, К 7926 Б

-60 -20 20 50 ТС

lOOOf 800 600

2Т926Я, ПТ32БЯ, П 7926Б

20 40 60 80 ид,В Ik,/!

10°

25 50 75 Гд., °С

27326 я, 17926 Я, Я 732Б в

7п150С

W 101



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 [86] 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183


0.0471