Главная Мощные приборы



гтзгвА, 1тагвй

гоо ш 600 ij,M/i


-60 -го го 60

ВЭнасВ 0,6

0,5 O.h 0,3

гтзгвя, нтзгвй

ilh-o

гоо ш 600 Ik.mA

гтэгел, мтаге я

/д. • 300мЛ

1,6 l.t

0.8 0,6

-ВО -га 20 60

Допускается проводить пайку выводов при температуре 250 °С в течение 10 с иа расстоянии ие менее 3 мм от корпуса. Расстояние от корпуса до начала изгиба не менее 3 мм. Статический потенциал не более 1000 В.

2Т929А, КТ929А

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности. У ножителях частоты и автогенераторах иа частотах более 50 МГц пр напряжении питания 8 В.

Корпус металлокерамический с полосковыми выводами н монта ным винтом. Масса транзистора не более 4,5 г.

60 ttO




Электрические параметры

Параметр

Б квеиное обочиаче-ние

Злачение

Режим измерения

<У р

1 0 g

11,5*

14»

60 55 25

78* 50

1 I •

9 ♦

1 0*

кэ R

0,3*

5 10 I 0

1 , 2

5 1 0 1 0

Выходная мощность (/ = = 173 МГц. Гк 40 °С). Вт Коэффициент усиления но мощности (/=175 МГц)

2Т92ЭА (Pc,ii=i Вт)

КТ929А (Fbui=2 Вт) Коэффициент полезного действия (/=175 МГц, Pi!ui = -2 Вт). %

21929 А

КТ929А

Статический коэффициент "срсдачи тока в схеме ОЭ* Аодуль коэффициента перс Aa4vi тока на высокой частоте (/=100 МГц) Критический ток коллектора (/=100 МГц)*, А Постоянная BpcMCHir цепи обратной связи на высокой частоте (/ = 5 .МГц), пс емкость коллекторного перехода (/ = 5 МГц). пФ Обратный ток колтектор - зчнттер («сэ = Ш0 Ом), мА-7 = 25С

7 = 85 -С КТ929А 7=125 "С 2Т929А •-"ратный ток эмиттера мА 7 = 25 -С

=85 X КТ929А

= 125°с 2Т929А ""луктивкость »Ь10одл.. „Гп

!/"ДУктивность

иого

ш.вода*. нГи

эмиттериого коллектор-

(8) 30

о, 05



Параметр

Букасииос обо,1н а чение

Значение

<Jh<.,,

11идукТ11БИ0сть базового ЕЫ-

вода*, иГн

Емкость эмнттер - корпус*,

Со. и

Емкость коллектор - кор-

пус*. пФ

Емкость база - корпус*, пФ

2,6 1 ,84

I ,53

0,96

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор - база 30 В Постоянное напряжение коллектор - эмиттер (%э < 100 Ом)...... 30 В

Постоянное напряжение эмиттер - база . 3 В

Псстоянный ток коллектора .... 0,8 А

Импульсный ток коллектора . ... 1,5 ,-\

КСВН коллекторной цени*..... 10

Средняя рассеиваемая моихность в дннамн-

чоском режиме (Г,,-<40°С) .... 6 Вг

Тепловое сопротивление переход - корпус 20 "С/В г

Температура перехода...... 160 °С

Температура корпуса.

2Г929А . . ........ 125°С

КТ929А.......... 85 X

Температура окр\л<аюшей среды: от -GO °С до

2Т929А......... . Г, = 125°С

КТ929А.......... от -40 °С до

Г„ = -85°С

• При Г,,>40°С Рк. ср n.as ...Sr

г г929/!, КТ929Я

12, в

f = П5МГЦ

\<

[Вт] = {150-Г„)/20. Р, Вт

0,2 0,t 0,6 0,8

•tx.Br

2Т929/1.

НТ929/1

• 0.9 Вт

О.Звт

0,2 Вг

O.JBT*

0,28т

-

ц ,7»

т во

ООО /.ч



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 [89] 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183


0.0188