Главная Мощные приборы



ZT9Z9/I,

ктзгэя

-- 58

в 0,2 0,t 0,6 0,8 Ij,/!

2.S 2

IS 1

0.5 0

гтэгэл, ктзгэя

/ -100 МГц

2 4 6 lfffj,B

3 8 7 6

2 Т329Д. КТ 329/1

f = то/гц

/д. 0.3Л

\>213\

О , 6

Ю и,,, 8

гтзгзй,

КГ929/1

J-SMrn

и„з-88

О 43 аа 720 160 ц,мй

2Т929в, НТ929Й

f = 100МГц

0 0,1 0,2 0,3 o.t Iff,/I ,пс

КТ929Я

f • 5 МГц

О г t в



2Т9 ftrs.

гзя.

змгц

30i/,s.B

кТ323я

Шероховатость контактной поверхности теплоотвода должна быть не менее 1,6. Неплоскостность контактной поверхности теплоотвода не более 0,04 мм. Пайка выводов допускается на расстоянии пе менее 3 мм от корпуса по методике, пе приводящей к наруше1;ию конструкции и герметичности транзистора. Пайку производить при температуре не выше 270 °С в течение времени не более 5 с.

2Т931А, КТ931А

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п генераторные. Пре,а,назначены для применения в широкополосных усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 50-200 МГц при напряжении питания 28 В.

Корпус металлокерамический с полосковыми выводами. Внутри корпуса имеется согласующее LC-звено. Масса транзистора не более 7 г.




Параметр

выходная мощность 175 МГЦ). Вт Коэффициент усиления по Мощности (f=l75 МГц, Сх = 80 Вт):

2т931а kt93ia

Коэффициент полезного действия коллектора (f = = 175 МГц. Рвы1 = 80 Вт),

Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ*

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер*. В

Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте (/=100 МГц)

Критический ток коллектора* (f=100 МГц), А

Постоянная времени цепи обратной связи иа высокой частоте (/ = 5 МГц*), пс

Емкость коллекторного перехода (/ = 30 МГц), пФ

Емкость эмиттериого перехода (/ = 5 МГц*). пФ Обратный TOh коллектор - эмиттер («бэ = 10 Ом), мА:

7=25 "С 2T93IA

KT93IA

7=85 "С КТ931А 7=125=С Т931А Обратный ток эмиттера, мА:

7=25 °С

7=85-С КТ931А

7=125°с 2Т931А ""дуктнвность внутреннего звена. пГп

ьмкость внутреннего LC-звеиа*, ПФ

индуктивность эмиттериого вывода Ц = , мм)*, „Гн ндуктивиость коллекторио-о вывода (/=1 мм)*, иГн ндуктивиость базового вы-«"До (=1 ММ)*, иГн

Буквенное обозначение

"213 КЭ нас I "21. I

Значение

Режим измерения

ш it:

1

0,06 2,5

18 1 1

165 2800*

1500

5,5* 60*

25 0,09 4*

22 18

190* 3200*

0,43 1600

0,29 1.6 1,47

70»

100 О, 16 5,5*

30 32

240 3800

20 30 60 40

20 20

1700

1 О 10

(28) 60

0,5 (0,1)



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 [90] 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183


0.0143