Главная Мощные приборы



Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор - эмнттер (Лбэ<10 Ом)....... 60 В

Постоянное напряжение эмнттер - база . 4 В

Постоянный ток коллектора . ... 15 Л

ВЧ входная мощность...... 20 Вт

Средняя рассеиваемая мощность в динамическом режиме (Т„<40°С) .... 150 Вт Тепловое сопротивление переход - корпус 0,8°С/Вт

Температура перехода ...... 160°С

Температура корпуса:

2Т931А.......... 125 °С

КТ931А.......... 85 X

Температура окружающей среды: от -60 °С до

2Т931А.......... Гк = 125Х

КТ931Л.......... от -40 Т до

Л. = 85°С

При Г, >40°С Я,, ершах [Вт] = (160-Г,,)/0,8. "Ik-""

100 SO 60 40 20

2 T9Slfl, !<T93lft

= 175 МГц

>

£/„ 28 В

Р8ь„.В

60 40

то 100

80 80

20 20 О

2 Т93Г/1,

втзий

Щз - 28В

20 О

8 12 76

PSbix, Br 120

ВО 60 40 20 О

2 Т951Я, ВТ 931Я

J = too МГц

и,--288

100 80

60 40

го о

120 100

60 40 20 О

ZT93M, К Г93 Г/1

St./X

У = 0 т ц Ps,6 8r

100 80 60 40

го о

11 16 20



ZT931fl, К Г931/1

100/Л

\h,B в

о h в 12 1Б I/ в

2 T931fl, КТ 931/1

/ = ЮО/ЧГц

03 - Юв

50 кО J0

2 Т 931/1, ПТ931/1

/ = 5/ГЦ и,, - 5в

0,2 0,1 0,В 0,8 1ц,й

3500

3400

згео

3000 2800

гвао

2400

•БЗ.В


12 10 &

10 2

0 за 40

lIxS.B

2Т331Я, КТ931Я

г„ = 160° с

т„ -- ZS-C

10 20 Щз, В

го ю



I -3 мм


•-p-rVV-j-Y-y"

1=3MM

Шероховатость контактной верхности теплоотвода долж,? быть не менее 2,5. Неплоскос ность контактной поверхност" теплоотвода должна быть не б" лее 0,04 мм. Тепловое сопротив" ление корпус - теплоотвод при нанесении теплоотводящей пасть типа КПТ-8 на поверхность теп. лоотвода транзистора не ботр» 0,3 °С/Вт.

Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 1 мм от корпуса по методике, не приводящей к нарушению конструкции и герметичности транзисторов. Пайку производить при температуре не выше 270 °С в течение воемеии - не более 3 с.

2Т935А, КТ935А

Транзисторы кремниевые эпитаксиальио-меза-плаиарные п-р-п переключательные. Предназначены для работы в переключателях и импульсных устройствах.

Корпус мета.тлокерамнческий с жесткими выводами. Масса транзистора не более 20 г.




0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 [91] 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183


0.0102