Главная Мощные приборы



Параметр

Буквеииое обозначение

Граничное напряжение. В

Напряжение нась.щения

колтектор-эмиттер, В <з"пря*=»"<= ""щения бя-,а эмиттер, В „„чсский коэффициент передачи тока в схеме ОЭ:

т„ = 25 °С

т« = 125°С 2Т935А

r„ = -GO°C 2Т935А Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте (f = 30 МГц) Время включениг* мкс

Бремя выключения*, мкс

Емкость коллекторного перехода (f=l МГц), пФ Емкость эмиттериого перехода* (/=1 МГц), пФ Обратный ток коллектор - эмиттер (Ябэ=10 Ом), мА:

Гк = Гк mln 25 °С

Тн- Тк max

Обратный ток эмиттера, мЛ

Значение

Режим измерения

<

КЭО гр КЭ иас бэ нас

/19 1 Э I "213 I

вкл выкл

I О ! , 7

О, 75 1,3*

1 ,7

100 150 100

О, 25 0.7

800 3500

30 60 300

(10)

80 60

15 (3) 15 (3)

15 3

15 1

10 (2) 10 (2)

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор - эмиттер" (Лоэ=10 Ом, Г„<100°С) .... 80 В

Импульсное напряжение коллектор - эмиттер (i?o,)=10 Ом, т„50 мкс, Тф15 мкс, QSs20).......... 100 В

Постоянное напряжение эмиттер - база . 5 В

Импульсное напряжение эмиттер - база

(t.,sS50 мкс, Q20)...... 6 В

Постоянный ток коллектора .... 20 А

Импульсный ток коллектора (тл<1 мс,

Q>2)........... 30 А

Постоянный ток базы...... 10 А

Импульсный ток базы (ти1 мс, Q2) . 15 А

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора з (7-„=7-„„>и-50°С) .... 60 Вт



Температура перехода Температура корпуса:

2Т935А.....

КТ935А . . .

Температура окружающей среды:

2Т935А . ....

КТ935А

150 °С

125 °С 100 "С

от -60 °С до Г„ = 125°С

от -45 °С до 7"„=100 "С

[В] при Тп от 100 до 150 °С снижается

КЭНтах l"J "1" п lyj ..„ассн ЛИНейно

до 40 В.

* Допускается при включении аппаратуры выброс тока ко.члек-тора до 50 А .в течение 1 мс, далее ток коллектора спадает до 20 д в течение 2 мс.

При 7",;>50С Рктах [Вт] = (7"п-7к)/-г в, It определяется из области максимальных режимов (например, при t/jg =6 В, /к = = 10 А, Rr п, .,= 1.67 °С/Вт).

При конструировании схем следует учитывать возможность самовозбуждения транзисторов за счет паразитных связей. Крепление к панелям осуществлять с помощью гайки. Осевое усилие на винт должно быть ие более 120 кг Допускается пайка паяльником, нагретым до Е50 °С, в течение 3 с на расстоянии не менее 2 мм от корпуса транзистора. Допускается пайка в торец виита корпуса. Время пайки не более 20 с.

12 0,6

2Т335Й,

а,Б о.в 1,0 Wg.B

120 700

80 60 liO 20 О

"21Э

v 2T335I\, \KT33Sfi

> /

-.

If. 8 12 li.fl




11нэНтах.0 700

2Г9 НТВ

75/1, ISA

-<

0,01 0,1 1 10 f,,HOr

1и,Я

soo ш zoo

ZT355fl, К Т335Я

О 20 40 БО Uifg,S

2Т355Я, Я Г355Я

1-15 Я

Z1 HI

935Я, -935Я

Т„ = 50° с

Иа постоянном moHGt

\г„ = 150С

Импульсное напр/fmeHue \

I Ml

2 4

10° 10 80Uj,B

КТ936А, КТ936Б

транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п усили-адьные. Предназначены для применения в широкополосных лиией-

усилителях мощности в герметизированной аппаратуре. J, "бскорпусные, выпускаются в двух конструктивных исполнениях [/.бсткнмн выводами: КТ936А - иа круглом крнсталлодержателе, 1зЗбБ -на прямоугольном крнсталлодержателе с диодом-датчиком «мпературы. Масса транзистора КТ936А не более 0,2 г, КТ936Б ие

Зак. 225



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 [92] 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183


0.0127