фотодиоды - от 101 до 199

Фототранзисторы - от 201 до 29

Туннельные диоды усилительные - от 101 до 199, генераторные - от 201 до 299, переключающие - от 301 до 399, обращенные - от 401 до 499

Стабилитроны малой мощности (Р < 0,3 Вт) с напряжением стабилизации от 0,1 до 9,9 В - от 101 до 199, с напряжением стабилизации от 10 до 99 В - от 201 до 299, с напряжением стабилизации от 100 до 199 В - от 301 до 399

Стабилитроны средней Mowjriocmu (0,3 < Р < 5 Вт)

с напряжением стабилизации от 0,1 до 9,9 В - от 401 до 499,

с напряжением стабилизации от 10 до 99 В - от 501 до 599,

с напряжением стабилизации от 100 до 199 - от 601 до 699

Стабилитроны большой мощности (Р > 5 Вт)

с напряжением стабилизации от 0,1 до 9,9 В - от 701 до 799,

с напряжением стабилизации от 10 до 99 В - от 801 до 899,

с напряжением стабилизации от 100 до 199 В - от 901 до 999

4.2. Обозначения параметров полупроводниковых диодов

В соответствии с принятой классификацией полупроводниковые диоды относятся к пассивным электронным приборам с одним р-п переходом и с двумя выводами анодом (А) и катодом (К) Принято считать, что диод включен в прямом направлении, когда к аноду подключен положительный потенциал источника тока, так, как показано на рис 4 1 и включен в обратном направлении, когда к аноду подключен отрицательный потенциал, а к катоду - положительный

VBf V

+

Рис 4 1 Включение диода в цепь постоянного тока прямом направлении, б - в обратном направлении А - анод, К - катод

Таблица 41 Буквенные обозначения параметров диодов

При маркировке диодов используются следующие параметры прямое напряжение диода Unp - падение напряжения на диоде в цепи постоянного тока при включении диода в прямом направлении,

максимально допустимое обратное напряжение Uogp - наибольшее значение напряжения, которое диод может выдержать длительное время без пробоя при его обратном включении,

обратный ток 1обр - ток диода при максимальном обратном напряжении Буквенные обозначения основных параметров диодов, используемые в отечественной и зарубежной научно-технической литературе приведены в табл 4 1

4.3. Обозначение параметров полупроводниковых стабилитронов и стабисторов

Стабилитрон - от латинского stabilis (устойчивый, неизменный), это кремниевый полупроводниковый диод, областью стабилизации которого является обратная ветвь вольтамперной характеристики (ВАХ) стабилитрона

На рис 4 2 приведена ВАХ стабилитрона Д814Б с номинальным напряжением UcT = 9 В и с допускаемыми изменениями тока стабилизации 1ст от 5 до 36 мА При изменениях протекаемого через стабилитрон тока в указанных пределах, изменения напряжения на нем составят определенную величину Ucr

36 мA lew max

Рис 4 2 Вольтамперная характеристика стабилитрона типа Д814Б

На рис 4 3, а приведена электрическая схема включения стабилитрона VD1 в цепь постоянного тока, где Кст - резистор (балластный) токоограничи-вающий Стабилитрон VD1 включен в обратном направлении его анод (А) подключен к отрицательному потенциалу, катод (К) - к положительному потенциалу

Рис 4 3 Принципиальная электрическая схема а - включения стабилитрона в цепь постоянного тока, б - включения стабистора в цепь постоянного тока UcT (Uz) - напряжение стабилитрона, Ut (Iz) - ток стабилитрона В скобках приведены обозначения, принятые в зарубежной технической литературе, где стабилитрон именуется диодом Зенера (2епегс1юс1е) 122