Главная Радиоэлектронная аппаратура, аппаратура средств связи, приборы и устройства промышленного производства и самодельные электронные изделия



Пятый элемент обозначения - буква, условно определяющая классификацию транзисторов по их параметрам и изготавливаемых по единой технологии. В качестве классификационной литеры используются буквы русского алфавита за исключением букв Ё, Й, 3, О, Ч, Ы, Ш, Щ, Ю, Я, Ь, Ъ, Э.

Стандарт предусматривает дополнения к обозначению рядом дополнительных признаков при необходимости отметить существенные конструктивно-технологические особенности транзисторов В качестве дополнительных символов в обозначении используют цифры от 1 до 99 (для обозначения модернизаций транзисторов), а также букву С - для обозначения набора однотипных транзисторов в одном общем корпусе - так называемые транзисторы сборки.

В конце условного обозначения для бескорпусных транзисторов добавляется буква, написанная через дефис, которая определяет модификацию конструктивного исполнения: 1 - с гибкими выводами без кристаллодержателя (без подложки); 2-е тбкими выводами на кристаллодержателя (на подложке); 3-е жесткими выводами без кристаллодержателя (без подложки); 4 - с жесткими выводами на кристаллодержателе (на подложке); 5 - с контактными площадками без кристаллодержателя (без подложки) и без выводов; 6 - с контактными площадками на кристаллодержателе (на подложке), но без выводов.

Примеры обозначений транзисторов:

КТ315Б - кремниевый с приемкой ОТК (К); транзистор биполярный (Т); малой мощности, с граничной частотой более 30 MHz (3), номер разработки 5; классификационная группа Б.

ГТ405А - германиевый с приемкой ОТК (Г); транзистор биполярный (Т); средней мощности, с фаничной частотой не более 3 MHz (4); номер разработки 05; классификационная группа А.

КТ937Б-2 - кремниевый с приемкой ОТК (К); транзистор биполярный (Т); большой мощности, с граничной частотой более 30 MHz (9); номер разработки 37; классификационная группа Б; бескорпусный, с гибкими выводами на кристаллодержателе.

2ТС613Г - кремниевые с приемкой заказчика (2); транзисторы биполярные (Т); сборка транзисторная (С); средней мощности, с граничной частотой более 30 MHz; номер разработки - 13, классификационная группа - Г.

КП305И - кремниевый с приемкой ОТК (К); полевой транзистор (П); малой мощности, с граничной частотой более 30 MHz.

У биполярных транзисторов, разработанных до 1964 г , условные обозначения типа транзистора могут состоять из двух или трех элементов.

Первый элемент характеризует класс биполярных транзисторов (полупроводниковые приборы) - буква П Для транзисторов в корпусе, герметизируемом способом холодной сварки - две буквы МП.

Второй элемент обозначения - число, которое определяет порядковый номер разработки, указывает на материал и основные эксплутационные признаки, значения которых приведены в табл. 5.2.

Третий элемент обозначения - буква, условно определяющая классификацию транзисторов по параметрам и изготавливаемых по единой технологии

У некоторых типов транзисторов третий элемент может отсутствовать

Примеры обозначения транзисторов:

П16Б - германиевый, маломощный, низкочастотный, номер разработки 16, классификационная группа Б.

МП101 - кремниевый, маломощный, низкочастотный транзистор в холодно-сварочном корпусе, номер разработки 01,



П201Э - германиевый, мощностью более 0,25 W, низкочастотный, классификационная группа Э.

П703Д - германиевый, мощностью более 0,25 W, высокочастотный, классификационная группа Д.

Таблица 5.1. Расшифровка третьего элемента обозначения транзисторов согласно ОСТ 11.336.919-81

Третий элемент обозначения

Эксплуатационные признаки транзисторов

Малой мощности -рассеиваемая мощность до 0,3 Вт

С фаничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой (далее - фаничной частотой) не более 3 МГц С граничной частотой 3...30 МГц С граничной частотой более 30 МГц

Средней мощности -рассеиваемая мощность более 0,3, но не более 1,5 Вт

С фаничной частотой не более 0,3 МГц С фаничной частотой 3...30 МГц С граничной частотой более 30 МГц

Большой мощности -рассеиваемая мощность более 1,5 Вт

С граничной частотой не более 3 МГц С фаничной частотой 3...30 МГц С граничной частотой более 30 МГц

Таблица 5.2. Расшифровка второго элемента обозначения биполярных транзисторов, разработанных до 1964 г.

Второй элемент обозначения

Эксплуатационные признаки транзисторов

От 1 до 99 От 101 д0199 От 201 до 299 От 301 до 399 От 401 до 499 От 501 до 599 От 601 до 699 От 701 до 799

Германиевые, маломощные (до 0,25 Вт), низкочастотные Кремниевые, маломощные (до 0,25 Вт), низкочастотные Германиевые, мощностью более 0,25 Вт, низкочастотные Кремниевые, мощностью более 0,25 Вт. низкочастотные Германиевые, высокочастотные и СВЧ, маломощные (до 0,25 Вт) Кремниевые, высокочастотные и СВЧ, маломощные (до 0,25 Вт) Германиевые, высокочастотные и СВЧ, мощностью бопее 0,25 Вт Кремниевые, высокочастотные и СВЧ, мощностью более 0,25 Вт



5.2. Типы транзисторов. Основные параметры, определяемые в технических справочниках по условному обозначению или маркировке транзистора

Биполярные транзисторы - полупроводниковые приборы с двумя взаимодействующими переходами и с тремя или более выводами усилительные свойства которого обусловлены явлениями инжекции и экстракции не основных носителей заряда Работа биполярного транзистора зависит от носителей обеих поляоностей, управление - током

Изготавливаются биполярные транзисторы на основе кремния или германия и в соответствии с чередованием слоев полупроводникового материала бывают р-п-р или п-р-п типов (проводимости)

Выводы (электроды) транзисторов обоих типов проводимости называются вывод эмиттера - эмиттер, вывод базы - база, вывод коллектора - коллектор Кремниевые транзисторы имеют значительно лучшую температурную стабильность по сравнению с германиевыми транзисторами, кроме того, германий как материал более редкий и поэтому кремниевые полупроводниковые приборы применяются в подавляющем большинстве случаев

Условные графические изображения биполярных и полевых транзисторов в конструкторской документации на электрических схемах приведены в табл 5 3 Даны обозначения и изображения однопереходных транзисторов с п и р базой и управляющим р-п переходом

Слой полупроводникового материала, соответствующий базе транзистора, заключен между слоями эмиттера и коллектора и принципиально имеет очень малую ширину по сравнению с длиной свободного пробега электрона Ток базы транзистора значительно меньше токов коллектора и эмиттера (на I

порядок и более) У транзисторов типа п-р-п напряжение коллектор-эмиттер и база-эмиттер положительные, а у транзистора типа р-п-р соответственно отрицательные

При определении значения тока в транзисторе всегда выполняется соотношение

1э= 1б+ 1к

где 1э- ток эмиттера, I б- ток базы, I к- ток коллектора

Особую группу транзисторов образуют однопереходные транзисторы (ОПТ), которые являются переключающими полупроводниковыми приборами Однопереходной транзистор представляет собой ПП, вольт-амперная харак-

теристка которого имеет участок с отрицательным сопротивлением Если нагрузочная линия пересекает участок отрицательного сопротивления, то будет иметь место переключающий (автоколебательный) режим работы ОПТ находят практическое применение в схемах управления тиристорных регуляторов, регулируемых выпрямителях, импульсных генераторах с пилообразной формой напряжения и в других устройствах автоматики и регулирования

На рис 5 1 приведены изображения ОПТ с п базой, управляющим р-п переходом и его эквивалентная схема Такой транзистор имеет три вывода (электрода) эмиттер - Э, база 1 - Б1 и база 2 - Б2 \

Однопереходные транзисторы обладают следующими достоинствами /

высоким значением входного сопротивления перехода эмиттер-база 1, отри-

цательным наклоном вольт-амперной характеристики, низкой чувствительно-стью параметров ОПТ с изменением температуры



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 [57] 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114


0.0128