Главная Радиоэлектронная аппаратура, аппаратура средств связи, приборы и устройства промышленного производства и самодельные электронные изделия Пятый элемент обозначения - буква, условно определяющая классификацию транзисторов по их параметрам и изготавливаемых по единой технологии. В качестве классификационной литеры используются буквы русского алфавита за исключением букв Ё, Й, 3, О, Ч, Ы, Ш, Щ, Ю, Я, Ь, Ъ, Э. Стандарт предусматривает дополнения к обозначению рядом дополнительных признаков при необходимости отметить существенные конструктивно-технологические особенности транзисторов В качестве дополнительных символов в обозначении используют цифры от 1 до 99 (для обозначения модернизаций транзисторов), а также букву С - для обозначения набора однотипных транзисторов в одном общем корпусе - так называемые транзисторы сборки. В конце условного обозначения для бескорпусных транзисторов добавляется буква, написанная через дефис, которая определяет модификацию конструктивного исполнения: 1 - с гибкими выводами без кристаллодержателя (без подложки); 2-е тбкими выводами на кристаллодержателя (на подложке); 3-е жесткими выводами без кристаллодержателя (без подложки); 4 - с жесткими выводами на кристаллодержателе (на подложке); 5 - с контактными площадками без кристаллодержателя (без подложки) и без выводов; 6 - с контактными площадками на кристаллодержателе (на подложке), но без выводов. Примеры обозначений транзисторов: КТ315Б - кремниевый с приемкой ОТК (К); транзистор биполярный (Т); малой мощности, с граничной частотой более 30 MHz (3), номер разработки 5; классификационная группа Б. ГТ405А - германиевый с приемкой ОТК (Г); транзистор биполярный (Т); средней мощности, с фаничной частотой не более 3 MHz (4); номер разработки 05; классификационная группа А. КТ937Б-2 - кремниевый с приемкой ОТК (К); транзистор биполярный (Т); большой мощности, с граничной частотой более 30 MHz (9); номер разработки 37; классификационная группа Б; бескорпусный, с гибкими выводами на кристаллодержателе. 2ТС613Г - кремниевые с приемкой заказчика (2); транзисторы биполярные (Т); сборка транзисторная (С); средней мощности, с граничной частотой более 30 MHz; номер разработки - 13, классификационная группа - Г. КП305И - кремниевый с приемкой ОТК (К); полевой транзистор (П); малой мощности, с граничной частотой более 30 MHz. У биполярных транзисторов, разработанных до 1964 г , условные обозначения типа транзистора могут состоять из двух или трех элементов. Первый элемент характеризует класс биполярных транзисторов (полупроводниковые приборы) - буква П Для транзисторов в корпусе, герметизируемом способом холодной сварки - две буквы МП. Второй элемент обозначения - число, которое определяет порядковый номер разработки, указывает на материал и основные эксплутационные признаки, значения которых приведены в табл. 5.2. Третий элемент обозначения - буква, условно определяющая классификацию транзисторов по параметрам и изготавливаемых по единой технологии У некоторых типов транзисторов третий элемент может отсутствовать Примеры обозначения транзисторов: П16Б - германиевый, маломощный, низкочастотный, номер разработки 16, классификационная группа Б. МП101 - кремниевый, маломощный, низкочастотный транзистор в холодно-сварочном корпусе, номер разработки 01, П201Э - германиевый, мощностью более 0,25 W, низкочастотный, классификационная группа Э. П703Д - германиевый, мощностью более 0,25 W, высокочастотный, классификационная группа Д. Таблица 5.1. Расшифровка третьего элемента обозначения транзисторов согласно ОСТ 11.336.919-81 Третий элемент обозначения Эксплуатационные признаки транзисторов Малой мощности -рассеиваемая мощность до 0,3 Вт С фаничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой (далее - фаничной частотой) не более 3 МГц С граничной частотой 3...30 МГц С граничной частотой более 30 МГц Средней мощности -рассеиваемая мощность более 0,3, но не более 1,5 Вт С фаничной частотой не более 0,3 МГц С фаничной частотой 3...30 МГц С граничной частотой более 30 МГц Большой мощности -рассеиваемая мощность более 1,5 Вт С граничной частотой не более 3 МГц С фаничной частотой 3...30 МГц С граничной частотой более 30 МГц Таблица 5.2. Расшифровка второго элемента обозначения биполярных транзисторов, разработанных до 1964 г.
5.2. Типы транзисторов. Основные параметры, определяемые в технических справочниках по условному обозначению или маркировке транзистора Биполярные транзисторы - полупроводниковые приборы с двумя взаимодействующими переходами и с тремя или более выводами усилительные свойства которого обусловлены явлениями инжекции и экстракции не основных носителей заряда Работа биполярного транзистора зависит от носителей обеих поляоностей, управление - током Изготавливаются биполярные транзисторы на основе кремния или германия и в соответствии с чередованием слоев полупроводникового материала бывают р-п-р или п-р-п типов (проводимости) Выводы (электроды) транзисторов обоих типов проводимости называются вывод эмиттера - эмиттер, вывод базы - база, вывод коллектора - коллектор Кремниевые транзисторы имеют значительно лучшую температурную стабильность по сравнению с германиевыми транзисторами, кроме того, германий как материал более редкий и поэтому кремниевые полупроводниковые приборы применяются в подавляющем большинстве случаев Условные графические изображения биполярных и полевых транзисторов в конструкторской документации на электрических схемах приведены в табл 5 3 Даны обозначения и изображения однопереходных транзисторов с п и р базой и управляющим р-п переходом Слой полупроводникового материала, соответствующий базе транзистора, заключен между слоями эмиттера и коллектора и принципиально имеет очень малую ширину по сравнению с длиной свободного пробега электрона Ток базы транзистора значительно меньше токов коллектора и эмиттера (на I порядок и более) У транзисторов типа п-р-п напряжение коллектор-эмиттер и база-эмиттер положительные, а у транзистора типа р-п-р соответственно отрицательные При определении значения тока в транзисторе всегда выполняется соотношение 1э= 1б+ 1к где 1э- ток эмиттера, I б- ток базы, I к- ток коллектора Особую группу транзисторов образуют однопереходные транзисторы (ОПТ), которые являются переключающими полупроводниковыми приборами Однопереходной транзистор представляет собой ПП, вольт-амперная харак- теристка которого имеет участок с отрицательным сопротивлением Если нагрузочная линия пересекает участок отрицательного сопротивления, то будет иметь место переключающий (автоколебательный) режим работы ОПТ находят практическое применение в схемах управления тиристорных регуляторов, регулируемых выпрямителях, импульсных генераторах с пилообразной формой напряжения и в других устройствах автоматики и регулирования На рис 5 1 приведены изображения ОПТ с п базой, управляющим р-п переходом и его эквивалентная схема Такой транзистор имеет три вывода (электрода) эмиттер - Э, база 1 - Б1 и база 2 - Б2 \ Однопереходные транзисторы обладают следующими достоинствами / высоким значением входного сопротивления перехода эмиттер-база 1, отри- цательным наклоном вольт-амперной характеристики, низкой чувствительно-стью параметров ОПТ с изменением температуры 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 [57] 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 0.0146 |