Главная Радиоэлектронная аппаратура, аппаратура средств связи, приборы и устройства промышленного производства и самодельные электронные изделия



Если для решения определенной схемотехнической задачи требуется ОПТ с п-р переходом (такие ОПТ не выпускаются отечественной промышленностью в настоящее время), то с помощью двух транзисторов п-р-п и р-п-р типов можно образовать его аналог

(Е)э

ei(ii) а)

Рис 5 1 ОПТ с /?-базой и р-п переходом а - условное графическое изображение, б - эквивалентная схема ОПТ

3 к б

/о7 \ /р01\ /

Д со J

Рис 5 2 Кодированное обозначение комплементарных кремниевых транзисторов типов КТ361 и КТ315 (Э - эмиттер. К-коллектор, 6 - база) а - транзистор типа КТ361А, изготовлен в апреле (4) 1988 г (W), б - транзистор типа КТ361 Г, изготовлен в июне (06) 1985 г (85), е - транзистор типа КТ361 В, изготовлен в 1991 году (В), г - транзистор типа КТ315Г, изготовлен в ноябре (11) 1989 г (X), б - транзистор типа КТ315А, изготовлен в июле (07) 1988 г (88), е - транзистор типа КТ315И, изготовлен в январе (01) 1993 г (D), ж - транзистор типа КТ315Д, изготовлен в 1997 г (J), з - транзистор типа КТ315Д, изготовлен в мае (5) 1991 г (В)



При маркировке или обозначении транзистора в литературе могут быть определены основные параметры транзистора

В табл. 5.4 приведены буквенные обозначения основных параметров биполярных транзисторов, принятые в отечественной и зарубежной технической литературе. Соотношение токов на электродах транзистора является мерой его эффективности, как усилителя сигнала.

Полевые транзисторы - это полупроводниковые приборы, усилительные свойства которых обусловлены потоком основных носителей, протекающих через проводящий канал и управляемый электрическим полем. Действие полевого транзистора вызвано носителями заряда одной полярности.

Полевые транзисторы изготавливаются: с управляющим р-п переходом с р или п каналом; с изолированным затвором с встроенным п или р каналом; с изолированным затвором с индуцированным п или р каналом.

Полевой транзистор с управляющими р-л переходом имеет три электрода исток, сток и затвор. Если на затворе напряжение отсутствует, а на сток подано относительно истока положительное напряжение, то между истоком и стоком через п-канал протекает максимальный ток. Для его изменения на затвор подают отрицательное относительно истока, при этом р-п переход между областью затвора и каналом смещается в обратном направлении. Область р-п перехода тем шире чем больше обратное .напряжение.

По маркировке или обозначению полевого транзистора можно определить параметры полевого транзистора, воспользовавшись соответствующими справочниками.

В табл 5.5 приведены буквенные обозначения основных параметров полевых транзисторов, отвечающие требованиям нормативной документации и наиболее часто встречающиеся в отечественной и зарубежной литературе.

Крутизна характеристики S полевого транзистора определяется отношением приращения тока стока (Д1с) к приращению напряжения перехода затвор-исток (AUs): 8 = Д1с/Аз

Таблица 5.3. Условные графические изображения биполярных и полевых транзисторов

Полное наименование транзистора

Графическое обозначение

Биполярные транзисторы р-п-р и п-р-п типов


п-база


р-база

Однопереходные транзисторы с л и р базой и с р-п переходом





Полное наименование транзистора

Полевой транзистор с каналами пир типа

Полевые транзисторы с изолированным затвором с внутренним соединением подложки и истока с встроенными каналами рил типов

Графическое обозначение

л-канал р-канал

@1 jJZ

п-канал

р-канал

Полевые транзисторы с изолированным затвором с внутренним соединением подложки и истока с унифицированным канапом рил типов

л-канал

р-канал

Примечание 1 Обозначение выводов биполярных транзисторов 3 - эмиттер Б - саза К - коллеп-ор 2 Обозначения выводов полевых транзисторов 3 - затвор С - сток И - исток

Табпица 54 Буквенные обозначения основных параметров биполярных транзисторов

Обозначения параметров транзисторов

Наименование параметров транзисторов

отечественных

зарубежных

Напряжения между выводами транзисторов.

база-коллектор

база-эмиттер

коллектор-эмиттер

Uk3R

UcER

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при

заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер

Uk30

UcEO

Постоянное напряжение коплектор-змиттер при ра-

зомкнутой цепи базы

Uk3 мак1

UcT max

Максимально допустимое постоянное напряжение

коллектор-эмиттер



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 [58] 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114


0.0135