Главная Преобразователи механических величин kj7,, Vdz 1 АЛЗО? 1,
Рис. 4.1. Схема индикатора заданной температуры + WB 4-7 1 сл Kurs Рис. 4.2. Схема индикатора сишала модуляции 9+5 в -1-II-oBbfKoS Вмды /1ДЗЗГА КАРУ Рис. 4.3. Схема включе- Рис. 4.4. Схема инднка- Рис. 4.5. Схема индикация светодиода в им- тора состояния логнче- тора настройки на ра-пульсном режиме ского элемента диопередающую станцию Рис. 4.6. Схема устройства обнаружения края листа бумаги Рис. 4.7. Схема оптоэлектронного преобразователя угол - код -200В 50 Гц Рис. 4.8. Схема оптоэлектронного клавшпного переключателя Рис. 4.9. Схема аварийной остановки конвейера Рис. 4.10. Схема источника импульсного питания Рис 4.11. Схема имитатора лазерного излучения
ист J 00 КТ801Б
KT315 KT31S Rj W Rr SU AMOT Инфракрасные СИД можно использовать во внешних устройствах вычислительной техники, в системах преобразования угол - код, в коммутационных устройствах и др. (рис. 4.6-4.9) [6, 72]. Большинство устройств использует импульсный режим питания СИД, так как при этом можно обеспечить необходимую мощность излучения, упростить процесс усиления и обработки сигнала. Следовательно, для питания СИД необходимы генераторы импульсов, в которых обеспечиваются необходимая стабильность амплитуды и частота повторения выходных импульсов. При невысоких требованиях источник импульсного питания может быть реализован по схеме на рис. 4.10. При использовании СИД в имитаторах лазерного излучения можно использовать схему, приведенную на рис. 4.11 [67]. Схема запуска может быть выполнена в виде блокинг-генератора. Амплитуда импульса тока может устанавливаться от 2 до !10 А изменением сопротивления резистора R. Длительность импульса может изменяться в пределах 50... 500 не переключением зарядных конденсаторов Сг-Съ переключателем 5i. При высоких требованиях источники импульсного питания могут быть выполнены на основе компенсированных транзисторных ключей (рис. 4.12) [68]. Такие источники имеют высокую стабильность выходного импульсного напряжения (5-10~). Управляющий сигнал через входное устройство (УГ5, VT%) поступает на базы транзисторов VTi-VT, которые при этом открываются. С коллектора VT на базу VTi поступает запирающее напряжение. Такое управление позволяет устранить выбросы на фронте выходного импульса. Ток, протекающий через СИД, определяется емкостью конденсатора С. Его включение обеспечивает малую зависимость светового потока от внутреннего сопротивления СИД. Нестабильность коммутируемого напряжения определяется в основном выбором стабилитронов и условиями их работы. С помощью рассмотренных излучателей могут проводится исследования импульсных и переходных характеристик фотоприемников при различных номиналах элементов схемы. Рис. 4.12. Схема генератора •стабильной амплитуды rrjrjs Ks г, г к 0+SB +12в Li ii -- ~1 • Рис 4.13. Схема одного канала уровнемера: D\ - одновибратор; - элемент ИЛИ При повышенных требованиях к линейности излучения можно использовать параметрическую линеаризацию выходной характеристики СИД [71]. Оптопару СИД - фотоприемник можно использовать для контроля уровня. Прибор контроля уровня жидкости содержит две пары элементов СИД - фототранзистор. Одна пара используется для контроля верхнего уровня, другая - нижнего [73]. Электрическая схема одного канала уровнемера приведена на рис. 4.13. Принцип действия прибора основан на том, что при уменьшении уровня жидкости на фототранзистор ФТ падает излучение от СИД. Срабатывает реле Р и включает соответствующий блок системы. Так автоматически регулируется уровень жидкости. 4.2. УСТРОЙСТВА КОНТРОЛЯ ПАРАМЕТРОВ ВЕЩЕСТВ И МАТЕРИАЛОВ Рассмотрим схемы, которые могут быть использованы при разработке влагомеров, газоанализаторов и других устройств. На рис. 4.14 приведена электрическая схема прибора на СИД, работающих в импульсном режиме. Основными его узлами являются: задающий генератор на микросхемах D\-D3; формирователь импульсов необходимой длительности на микросхемах D4- 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 [18] 19 20 21 22 23 24 25 0.0165 |