Главная Промышленные терморезисторы



с

У терморезисторов определенной конструкции, например у д ковых приборов одинакового размера, постепенное изменение става материала дает семейство характеристик, подобное изоб{ женному на рис. 3.2. По этим кривым можно установить ъзат

связь между сопротивлением (а а довательно, и удельным сопротив пием) при фиксированной темпер туре и составом материала прибо11, На рис. 3.3 показано изменен] удельного сопротивления смеси о сидов марганца и никеля при 25 в зависимости от введения в н определенного количества окси, меди.

Постоянная материала. Посто5; ную В в уравнении (3.2) иног называют постоянной материш коэффициентом В или же В-фа


j-1 Рис. 3.1. Зависимость удельного сопроти

5 jg-iS ления двух материалов для терморезя

торов от обратной температуры (по дг

Температура,И ньш [1])

J Ч-1

тором терморезистора с отрицательным ТКС Ее численное знаш ние в градусах Кельвина можно определить по двум значения] сопротивления Ri и R2, измеренным при температурах Ti и Т. V. уравнения (3.2) находим

;?1 = Л ехр (5/Г1) и = Л ехр (В/Т).

Разделив эти два уравнения друг на друга, получим

RJRexp(B/T~B/T) (3.4

\n{R/R)=B{l/T-l/T), (3.5

откуда

1/1-1/7-2

Выражение (3.6) часто записывают так:

2,303 Ti Г, jg

Т2 - Ti R2

(3.7;

Выше отмечалось, что для реальных терморезисторов значение В не остается постоянным. Если полученные выражения использовать для расчета В по данным измерений при фиксированной температуре Г1 = 298,1 К (25°С) и температуре Т2, изменяющейся в достаточно широких пределах, то в результате получается серия значений В. Рисунок 3.4 иллюстрирует изменение коэффи



R V твех промышленных терморезисторов щри изменении гГрпату/ы Т2 от 248 до 523 К (от -25 до 250Х). гемпер jr jgtjgocb, что постепенное добавление определенной си к данной оксидной систехме приводит не только к посте-"Рму изменению удельного соиротивления материала (см.


-1(0 о tO 80 по Температура, °С

Рис 3 2 Температурные характеристики сопротивлений нескольких дисковых терморезисторов, имеющих постоянные размеры, но различный химический состав


04 в 12 16 Содертаниеосива меди, х

Рис. 3.3. Изменение удельного сопротивления материала терморезистора при 25° С в зависимости от содержания в нем оксида меди:

Мпз04:№0:СиО

80 : 20 : х

оис 3 3) но и вызывает изменение энергии активации процесса прыжкоой проводимости, а следовательно, и «f ной В. Так как изменение удельного сопротивления « оэффициен та В вызывается одним и тем же механизмом, ff центраций легирующей .примеси должно обусловливать линейную зависимость двух электрических параметров. Из рис. 3.5 очевидно, что увеличение концентрации оксида медн от О до 17 мае % в смеси МП3О4: NiO с соотношением 4: 1 Дает линейную зависимость между логарифмом удельного сопротивления и коэффициентом В.

Рис. 3 4. Зависимости от температуры коэффициента В для трех терморезисторов, рассчитанные по уравнению (3.7) с использованием экспериментальных данных для Tl=298,1 К и различных значений Гг от 248 до 523 К температура

Отношение сопротивлений. В паспортных данных некоторых терморезисторов отсутствует коэффициент В, а вместо него дается отношение сопротивлений Ri/R где Ri - сопротивление, обычно




измеряемое при 25°С, а Ri - сопротивление, измеряемое при < которой температуре, как правило, в интервале от 50 до 10Q« Взаимосвязь между отношением сопротивлений и коэффициеит В дается выражением (3.4) и графически построена на рис ЗЩ форме зависимости Rb-cIRT от температуры в градусах Целы для различных значений В.

Температурный коэсрсрии,иент при 15 "С, %/°С


2800 3200 3600

В б интервале от 25 до 100°С

Рис. 3.5. Зависимость удельного сопротивления оксидной системы переменноя состава от В или температурного коэффициента

Температурный коэффициент сопротивления любого полу три водникового материала а представляет собой отношение скорое! изменения сопротивления с температурой к сопротивлению npj заданной температуре. Математически это записывается так i

I dR

R dT

(З.Й


Обычно ТКС измеряют в %Л Основное уравнение (3.2), ой ределяющее температурную завй симость сопротивления термор* зистора, можно записать в след5 ющей форме:

in i? +const. (3.9

После дифферепцировапия id Т, получаем

1 dR -В

R dT Г2

(3 10

1,1,1,1111111 Рис. 3.6. Зависимость отношения со го w 60 80 100 170 160 противлении RibocIRr от температур!

Температура, "С

для различных значений В



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 [11] 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67


0.0113